技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型提供一種低溫多晶硅式晶體管及其顯示裝置。所述晶體管結(jié)構(gòu)包含基板、第一絕緣層、低溫多晶硅層、第二絕緣層、第一金屬層、第三絕緣層、第四絕緣層、第一和第二柵極開(kāi)口、第二金屬層和第三金屬層。低溫多晶硅層設(shè)置于第一絕緣層。第三絕緣層設(shè)置于第二絕緣層。第四絕緣層設(shè)置于第三絕緣層。第一和第二柵極開(kāi)口分別形成于第三和第四絕緣層。第二金屬層分別與低溫多晶硅層的源極區(qū)與漏極區(qū)接觸。第三金屬層的一部分容納于第一與第二柵極開(kāi)口從而與第一金屬層接觸。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的第三金屬層可用作金屬傳導(dǎo)線或柵極，在不影響原制程的前提下，以降低金屬傳導(dǎo)線的阻抗，提升產(chǎn)品的規(guī)格。

技術(shù)研發(fā)人員：邱大維
受保護(hù)的技術(shù)使用者：友達(dá)光電（昆山）有限公司
文檔號(hào)碼：201621169444
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.02
技術(shù)公布日：2017.05.31