1.一種基于石墨烯量子點(diǎn)的THz單光子探測(cè)器，其特征在于：采用石墨烯單量子點(diǎn)或者串聯(lián)石墨烯雙量子點(diǎn)與納米條帶石墨烯靜電計(jì)相耦合的基本結(jié)構(gòu)；所述的基本結(jié)構(gòu)是：以硅基片、源極、漏極、側(cè)柵極、背柵極、庫(kù)侖島、靜電計(jì)和保護(hù)層為基本組成單元，將源極、漏極、側(cè)柵極、庫(kù)侖島和靜電計(jì)集成設(shè)置在硅基片表面形成的二氧化硅襯底上，將背柵極設(shè)置在硅基片的硅襯底上，其中，石墨烯單量子點(diǎn)或者串聯(lián)石墨烯雙量子點(diǎn)作為THz單光子探測(cè)器的庫(kù)侖島，庫(kù)侖島位于源極、漏極和側(cè)柵極之間，庫(kù)侖島附近集成一個(gè)石墨烯納米條帶作為石墨烯靜電計(jì)；庫(kù)侖島與源極和漏極以隧道結(jié)的形式耦合，庫(kù)侖島與側(cè)柵極、背柵極和石墨烯靜電計(jì)以電容的形式耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于石墨烯量子點(diǎn)的THz單光子探測(cè)器，其特征在于：所述二氧化硅襯底作為源極、漏極、側(cè)柵極、庫(kù)侖島、靜電計(jì)和硅基底的絕緣層，厚度為300±5 nm，所述硅基片是重?fù)诫s的，背柵極通過硅基片、二氧化硅襯底與量子點(diǎn)電容耦合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于石墨烯量子點(diǎn)的THz單光子探測(cè)器，其特征在于：所述源極和漏極位于二氧化硅襯底上，中間是串聯(lián)的石墨烯雙量子點(diǎn)，每個(gè)量子點(diǎn)以及兩個(gè)量子點(diǎn)之間，都有對(duì)應(yīng)的側(cè)柵單獨(dú)調(diào)控。