本實用新型涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種離子注入機(jī)的石墨電極棒。

背景技術(shù)：

隨著平板顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，采用低溫多晶硅技術(shù)(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)生產(chǎn)的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二級管顯示面板(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)，由于其具有體積小、結(jié)構(gòu)簡單、亮度高、畫質(zhì)好以及省電等優(yōu)點，逐漸成為顯示技術(shù)領(lǐng)域的主流發(fā)展方向。

而在生產(chǎn)AMOLED時，需要利用到離子注入工藝，離子注入是指利用離子注入機(jī)將離子束射入制作顯示面板的半導(dǎo)體材料內(nèi)，對半導(dǎo)體表面區(qū)域進(jìn)行摻雜技術(shù)，以改變半導(dǎo)體材料的表面成分、結(jié)構(gòu)以及性能。

生產(chǎn)AMOLED時，需要注入帶狀或線狀的離子束，因而離子注入機(jī)的束流掃描裝置中需要設(shè)置幾組平行石墨電極棒來得到線狀或帶狀的離子束，如圖1所示，為現(xiàn)有的離子注入機(jī)中設(shè)置有平行石墨電極棒束流掃描裝置的透視圖，其中，10為束流掃描裝置中平行排布的石墨電極棒，11為石墨電極棒上的定位頭，20為固定石墨電極棒的壓條，30為螺絲。離子束從石墨電極棒之間的縫隙射入，從而可以產(chǎn)生線狀或者帶狀的離子束。

但是隨著離子束不斷的穿過石墨電極棒之間的縫隙，可能會導(dǎo)致石墨電極棒發(fā)生彎曲變形，例如，離子注入機(jī)束流掃描裝置中的石墨電極棒在發(fā)生彎曲變形后，可能由圖1中所示的形狀變?yōu)閳D2中所示的形狀，從而導(dǎo)致離子注入機(jī)產(chǎn)生的離子束不均勻。

如何避免石墨電極棒的彎曲變形，成為現(xiàn)有技術(shù)亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型提供一種離子注入機(jī)的石墨電極棒，用以解決現(xiàn)有離子注入機(jī)的石墨電極棒易發(fā)生彎曲變形而導(dǎo)致離子注入機(jī)產(chǎn)生的離子束不均勻的問題。

本實用新型采用下述技術(shù)方案：

一種離子注入機(jī)的石墨電極棒，包括：外層石墨電極棒以及內(nèi)層支撐棒；其中：

所述外層石墨電極棒中沿長度方向上設(shè)有中空通道；

所述內(nèi)層支撐棒設(shè)置在所述外層石墨電極棒的中空通道內(nèi)；

所述內(nèi)層支撐棒的硬度大于所述外層石墨電極棒的硬度。

優(yōu)選的，所述中空通道貫穿所述外層石墨電極棒。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒為內(nèi)層金屬支撐棒。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒的形狀為棱柱狀。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒的橫截面形狀與所述中空通道橫截面的形狀相匹配。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒橫截面的面積尺寸小于所述中空通道橫截面的面積尺寸。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒穿過所述中空通道后，所述內(nèi)層支撐棒的外壁與所述中空通道的內(nèi)部緊密貼合。優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒的長度大于所述外層石墨電極棒的長度。

優(yōu)選的，所述內(nèi)層支撐棒超出所述外層石墨電極棒的部分作為所述離子注入機(jī)的石墨電極棒的固定端。

優(yōu)選的，所述外層石墨電極棒的固定端與傳動裝置連接；所述傳動裝置用于帶動所述離子注入機(jī)的石墨電極棒的固定端轉(zhuǎn)動，以使得所述離子注入機(jī)的石墨電極棒隨所述固定端的轉(zhuǎn)動而轉(zhuǎn)動。

本實用新型能夠達(dá)到的有益效果是：

本實用新型所提供的石墨電極棒由外層石墨電極棒以及內(nèi)層支撐棒組成，在外層石墨電極棒中沿長度方向上設(shè)有中空通道，并將所述內(nèi)層支撐棒設(shè)置在外層石墨電極棒的中空通道中，由于內(nèi)層支撐棒的硬度大于所述外層石墨電極棒的硬度，因而在內(nèi)層支撐棒的支撐下，石墨電極棒不易發(fā)生彎曲變形。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為現(xiàn)有的離子注入機(jī)中束流掃描裝置上石墨電極棒的排布方式效果圖；

圖2為現(xiàn)有的離子注入機(jī)中束流掃描裝置上石墨電極棒發(fā)生彎曲變形后的效果；

圖3為本實用新型提供的一種離子注入機(jī)的石墨電極棒的具體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實用新型提供的一種離子注入機(jī)的石墨電極棒的未發(fā)生磨損時的側(cè)視圖；

圖5為本實用新型提供的一種離子注入機(jī)的石墨電極棒的發(fā)生磨損后的側(cè)視圖；

圖6為本實用新型提供的一種離子注入機(jī)的石墨電極棒的內(nèi)層支撐棒橫截面的形狀示意圖；

圖7本實用新型提供的一種離子注入機(jī)的石墨電極棒的轉(zhuǎn)動效果圖；

圖8為現(xiàn)有的離子注入機(jī)中束流掃描裝置上石墨電極棒固定端的效果圖。

具體實施方式

為使本申請的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本申請具體實施例及相應(yīng)的附圖對本申請技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒旧暾堉械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。

以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說明本實用新型提供的技術(shù)方案。

本申請實施例提供一種離子注入機(jī)的石墨電極棒，用以解決現(xiàn)有離子注入機(jī)的石墨電極棒易發(fā)生彎曲變形而導(dǎo)致離子注入機(jī)產(chǎn)生的離子束不均勻的問題。

所述離子注入機(jī)的束流掃描裝置是由一組平行的石墨電極棒組成的，每個石墨電極棒的尺寸、結(jié)構(gòu)均相同，因而圖3以其中一個石墨電極棒為例，進(jìn)行示例性說明。

其中，a0為外層石墨電極棒，虛線框所圍區(qū)域a1為所述外層石墨電極棒內(nèi)的中空通道，b0為內(nèi)層支撐棒，圖中虛線箭頭方向表示所述外層石墨電極棒的長度方向。

如圖3所示，所述外層石墨電極棒a0中沿長度方向上設(shè)有中空通道a1，且所述中空通道a1貫穿所述外層石墨電極棒a0；

所述內(nèi)層支撐棒b0設(shè)置在所述外層石墨電極棒a0的中空通道a1內(nèi)；

所述內(nèi)層支撐棒b0的硬度大于所述外層石墨電極棒a0的硬度。

通過上述設(shè)計，由于所述石墨電極棒是由外層石墨電極棒a0以及設(shè)置在所述外層石墨電極棒a0的中空通道a1內(nèi)的支撐棒b0組成，且所述內(nèi)層支撐棒b0的硬度大于所述外層石墨電極棒a0的硬度，因而在所述內(nèi)層支撐棒b0的支撐下，所述外層石墨電極棒a0不易在離子束的作用下發(fā)生彎曲變形，從而可以保證離子注入機(jī)在使用過程中，離子注入機(jī)產(chǎn)生的離子束不會由于石墨電極棒的彎曲變形而變得不均勻。

在一種實施方式中，所述內(nèi)層支撐棒b0可以為金屬支撐棒，或者所述內(nèi)層支撐棒可以使用其他硬度大于石墨硬度的材料制成，本申請對所述內(nèi)層支撐棒b0的制造材料不做具體限定，只要所述制造材料的硬度大于所述石墨的硬度即可。

需要說明的是，由于離子注入機(jī)產(chǎn)生的離子束一般具有較高的能量，因而離子注入機(jī)的束流掃描裝置上的石墨電極棒直面離子束的一側(cè)在長期使用時，可能會被離子束磨損。例如，圖4表示圖3中外層石墨電極棒a0沿c-c方向上的剖面圖，此時圖4中最大的實線框所圍區(qū)域的形狀表示所述外層石墨電極棒a0的橫截面的形狀，圖4中陰影區(qū)域的形狀表示設(shè)置在所述外層石墨電極棒a0中的中空通道a1橫截面的形狀。離子束沿圖中虛線箭頭方向射向所述外層石墨電極棒a0，隨著離子束的不斷穿過，外層石墨電極棒a0上直面離子束流的一側(cè)將會被磨損成如圖5所示的形狀，外層石墨電極棒a0中與離子束直接接觸的A面棱角被磨圓，進(jìn)而可能導(dǎo)致離子注入機(jī)產(chǎn)生的離子束的均勻性不好，在這種情況下，現(xiàn)有技術(shù)往往需要對離子注入機(jī)的石墨電極棒進(jìn)行更換，對離子注入機(jī)的石墨電極的更換，既影響了離子注入機(jī)的產(chǎn)能，同時也增加離子注入機(jī)的使用成本。

由圖5明顯可以看出，雖然外層石墨電極棒的A面的棱角被磨損了，但是外層石墨電極棒a0未被離子束直接照射的B面并沒有被磨損，因而如果可以將所述外層石墨電極棒a0進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，以使得所述外層石墨電極棒a0的B面直面離子束，則可以在不更換石墨電極棒的情況下，避免由于外層石墨電極棒a0發(fā)生的形變而導(dǎo)致的離子束的均勻性不好的問題。

在一種實施方式中，可以通過轉(zhuǎn)動離子注入機(jī)的石墨電極棒的內(nèi)層支撐棒b0，以帶動外層石墨電極棒a0，以達(dá)到旋轉(zhuǎn)離子注入機(jī)的石墨電極棒的目的，為了能夠保證通過轉(zhuǎn)動內(nèi)層支撐棒b0，可以帶動所述外層石墨電極棒a0，所述內(nèi)層支撐棒b0的形狀一般為棱柱狀，且所述內(nèi)層支撐棒b0的橫截面形狀與所述外層石墨電極棒a0內(nèi)的中空通道a1橫截面的形狀相匹配，例如圖6表示圖3中內(nèi)層支撐棒b0沿c-c方向上的剖面圖，圖6所示的圖形的形狀即為所述內(nèi)層支撐棒b0的橫截面的形狀，此時內(nèi)層支撐棒b0的橫截面的形狀與中空通道a1橫截面的形狀相同，均為正方形。

其中，所述內(nèi)層支撐棒b0的橫截面形狀與所述外層石墨電極棒a0內(nèi)的中空通道a1橫截面形狀相匹配，除了指內(nèi)層支撐棒b0的橫截面形狀與外層石墨電極棒a0內(nèi)的中空通道a1橫截面的形狀相同，比如，內(nèi)層支撐棒b0的橫截面形狀為正方形，則外層石墨電極棒a0內(nèi)的中空通道a1橫截面的形狀也為正方形，或者內(nèi)層支撐棒b0的橫截面形狀為三角形，則外層石墨電極棒a0內(nèi)的中空通道a1橫截面的形狀也為三角形，等等。

所述內(nèi)層支撐棒b0的橫截面形狀與所述外層石墨電極棒a0內(nèi)的中空通道a1橫截面的形狀相匹配，還指所述內(nèi)層支撐棒b0的橫截面的面積尺寸小于所述中空通道a1橫截面的面積尺寸，且可以保證所述內(nèi)層支撐棒b0穿過所述中空通道a1后，所述內(nèi)層支撐棒b0的外壁與所述中空通道a1的內(nèi)壁緊密貼合，從而可以保證在轉(zhuǎn)動內(nèi)層支撐棒b0時，可以帶動所述外層石墨電極棒a0一起轉(zhuǎn)動。

例如，如圖7所示，圖中虛線箭頭所指方向，表示離子束射入的方向，假設(shè)隨著離子束的不斷穿過，外層石墨電極棒直接面向所述離子束的一面被磨損，則可以通過轉(zhuǎn)動內(nèi)層支撐棒b0，以帶動所述外層石墨電極棒a0旋轉(zhuǎn)，以使得所述外層石墨電極棒a0的另外一個未曾磨損的面朝向離子束。

在現(xiàn)有的離子注入機(jī)中，石墨電極棒一般是通過位于石墨電極棒兩端的固定端固定在束流掃描裝置上的，而在現(xiàn)有技術(shù)中，石墨電極棒兩端固定在壓條下的部分，即作為所述石墨電極棒的固定端，例如，如圖8所示，其中，40為石墨電極棒，41為放大后的石墨電極棒的固定端，50為壓條，60為螺絲，石墨電極棒40的固定端41通過壓條固定在束流掃面裝置上，然而石墨的硬度很低，因而在現(xiàn)有技術(shù)中，石墨電極棒兩端的固定端很容易斷裂，影響離子注入機(jī)的正常使用。

為了避免上述問題，本申請實施例提供的石墨電極棒中，所述內(nèi)層金屬支撐棒b0的長度大于所述外層石墨電極棒a0的長度，從而可以將所述內(nèi)層金屬支撐棒b0超出所述外層石墨電極棒a0的部分作為所述外層石墨電極棒的固定端。由于所述內(nèi)層支撐棒b0的硬度大于所述石墨電極棒a0的硬度，因而將所述內(nèi)層支撐棒b0作為石墨電極棒的固定端，可以避免石墨電極棒出現(xiàn)固定端斷裂的問題。

同時，可以將所述石墨電極棒的固定端與傳動裝置連接，所述傳動裝置用于帶動所述石墨電極棒的固定端的轉(zhuǎn)動，以使得所述石墨電極棒隨所述固定端的轉(zhuǎn)動而轉(zhuǎn)動。

其中，所述石墨電極棒的固定端與所述傳動裝置可以采用螺紋連接或者卡扣連接，本申請對石墨電極棒的固定端與傳動裝置的具體連接方式不做限定，只要能保證固定端與傳動裝置連接后，傳動裝置可以帶動固定端轉(zhuǎn)動即可。

本實用新型所提供的石墨電極棒由外層石墨電極棒以及內(nèi)層支撐棒組成，在外層石墨電極棒中沿長度方向上設(shè)有中空通道，并將所述內(nèi)層支撐棒設(shè)置在外層石墨電極棒的中空通道中，由于內(nèi)層支撐棒的硬度大于所述外層石墨電極棒的硬度，因而在內(nèi)層支撐棒的支撐下，石墨電極棒不易發(fā)生彎曲變形。

以上所述僅為本申請的實施例而已，并不用于限制本申請。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。