技術(shù)特征：

1.一種MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管包括源極(1)、漏極(3)、溝道區(qū)(2)、第一柵極(4)和第二柵極(5)；

在位于所述源極(1)與所述漏極(3)之間的溝道區(qū)(2)的兩側(cè)表面上分別設(shè)置所述第一柵極(4)和所述第二柵極(5)，所述溝道區(qū)(2)為過渡金屬硫族化合物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，所述溝道區(qū)(2)選自于MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS晶體管，其特征在于，所述第一柵極(4)和所述第二柵極(5)中的每一個柵極包括金屬層(42、52)和氧化物層(41、51)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS晶體管，其特征在于，所述氧化物層(41、51)為HfO₂。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管為PMOS晶體管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管為NMOS晶體管。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管為增強型MOS晶體管。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的MOS晶體管，其特征在于，所述MOS晶體管為耗盡型MOS晶體管。