1.一種集成電路片內(nèi)電感器件,其特征在于,包括襯底,所述襯底上形成有SiN隔離層,所述SiN隔離層具有露出所述襯底的電感區(qū)域,所述電感區(qū)域內(nèi)形成有聚苯并惡唑固化層,所述聚苯并惡唑固化層與所述SiN隔離層的厚度相同,所述聚苯并惡唑固化層上形成有多個相連的橋形金屬片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路片內(nèi)電感器件,其特征在于,所述襯底的厚度為50μm~2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路片內(nèi)電感器件,其特征在于,所述SiN隔離層的厚度為50nm~1μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路片內(nèi)電感器件,其特征在于,所述橋形金屬片的寬度為5μm~50μm,厚度為2μm~10μm,所述橋形金屬片的橋墩間距與寬度的比例為1:3~1:5。