本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種集成電路片內(nèi)電感器件。

背景技術(shù)：

在單片微波集成電路(MMIC)中，尤其是放大器應(yīng)用中，電感的Q值是衡量器件性能的主要參數(shù)。Q值是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比，電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。以GaAs低噪放大器為例，第一級電路中所用的電感，將直接作為插入損耗，惡化整個放大器的噪聲系數(shù)，高Q值的電感將直接減小插損，優(yōu)化放大器的噪聲系數(shù)。因此，提高片內(nèi)Q值，一直是人們的研究熱點(diǎn)之一。一般來說，較大的介電常數(shù)意味著較大的介電損耗，而介電損耗的大小直接影響電感的Q值。

當(dāng)前，在無源器件工藝中，一般采用SiN材料作為隔離層，主要是由于SiN性能穩(wěn)定，不易變質(zhì)，防潮性好,硬度高，具有較高的機(jī)械強(qiáng)度，但是SiN材料的介電常數(shù)為6～8，影響了片內(nèi)電感Q值的改善。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種集成電路片內(nèi)電感器件，能夠改善片內(nèi)電感Q值。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個技術(shù)方案是：提供一種集成電路片內(nèi)電感器件，其特征在于，包括襯底，所述襯底上形成有SiN隔離層，所述SiN隔離層具有露出所述襯底的電感區(qū)域，所述電感區(qū)域內(nèi)形成有聚苯并惡唑固化層，所述聚苯并惡唑固化層與所述SiN隔離層的厚度相同，所述聚苯并惡唑固化層上形成有多個相連的橋形金屬片。

優(yōu)選地，所述襯底的厚度為50μm～2mm。

優(yōu)選地，所述SiN隔離層的厚度為50nm～1μm。

優(yōu)選地，所述橋形金屬片的寬度為5μm～50μm，厚度為2μm～10μm，所述橋形金屬片的橋墩間距與寬度的比例為1:3～1:5。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本實(shí)用新型的有益效果是：通過在SiN隔離層的電感區(qū)域內(nèi)形成聚苯并惡唑固化層，同時利用橋形金屬片形成“”“空氣橋”，從而能夠改善片內(nèi)電感Q值。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例集成電路片內(nèi)電感器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

參見圖1，是本實(shí)用新型實(shí)施例集成電路片內(nèi)電感器件的結(jié)構(gòu)示意圖。本實(shí)施例的集成電路片內(nèi)電感器件包括襯底1，襯底1上形成有SiN隔離層2，SiN隔離層2具有露出襯底1的電感區(qū)域21，電感區(qū)域21內(nèi)形成有聚苯并惡唑固化層3，聚苯并惡唑固化層3與SiN隔離層2的厚度相同，聚苯并惡唑固化層3上形成有多個相連的橋形金屬片4。圖中僅示意顯示了兩個橋形金屬片4。

聚苯并惡唑材料的介電常數(shù)為2.6～2.9，利于提高片內(nèi)電感Q值，且具有感光性，可采用光刻方式定義有效區(qū)域。同時，采用多個相連的橋形金屬片4作為“空氣橋”形成電感，由于與襯底1的接觸面積的減少，能進(jìn)一步降低襯底1對電感的影響，降低損耗，提高電感Q值。

在本實(shí)施例中，橋形金屬片4的寬度為5μm～50μm，厚度為2μm～10μm，橋形金屬片4的橋墩間距與寬度的比例為1:3～1:5。襯底1的厚度為50μm～2mm，SiN隔離層2的厚度為50nm～1μm。

本實(shí)施例的集成電路片內(nèi)電感器件的制作過程為：

首先采用化學(xué)氣相沉積(CVD)或反應(yīng)濺射方法在襯底上生長形成SiN隔離層；

其次采用光刻或反應(yīng)離子刻蝕方法在SiN隔離層上制作出露出襯底的電感區(qū)域；

然后在電感區(qū)域內(nèi)涂覆聚苯并惡唑材料，并采用光刻、烘烤工藝進(jìn)行處理形成聚苯并惡固化層；

再采用光刻、濺射、二次光刻等工藝在聚苯并惡固化層上定義出電感位置；

最后采用電鍍工藝在聚苯并惡固化層的電感位置上制作多個相連的橋形金屬片。

以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。