技術(shù)總結(jié)
具有AZO粗化層的高亮度AlGaInP發(fā)光二極管，屬于LED生產(chǎn)應(yīng)用技術(shù)領(lǐng)域，N電極設(shè)置在襯底背面，在襯底正面依次設(shè)置N?GaAs緩沖層、AlAs/AlGaAs反射層、N?AlGaInP下限制層、MQW多量子阱有源層、P?AlGaInP上限制層、P?GaInP緩沖層和P?GaP電流擴(kuò)展層，在P?GaP電流擴(kuò)展層表面設(shè)置AZO透明導(dǎo)電層，在部分AZO透明導(dǎo)電層表面布置所述P電極，在另一部分AZO透明導(dǎo)電層表面設(shè)置AZO粗化層。AZO透明導(dǎo)電層具有良好的電流擴(kuò)展能力，減小了電流在局部區(qū)域內(nèi)的積聚，提升了發(fā)光效率。

技術(shù)研發(fā)人員：肖和平;王宇;孫如劍;郭冠軍;李威;張英;馬祥柱
受保護(hù)的技術(shù)使用者：揚(yáng)州乾照光電有限公司
文檔號(hào)碼：201620914399
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.22
技術(shù)公布日：2017.03.08