1.一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述低剖面多芯片封裝結構至少包括一第一芯片和一第二芯片:
所述第一芯片具有有源面及相對該有源面的背面，所述第一芯片的有源面或背面上設置有凹槽；所述第二芯片設置并容納于所述第一芯片的凹槽中，所述第二芯片具有接近所述凹槽底面的第一表面及相對該第一表面且遠離所述凹槽底面的第二表面。
2.如權利要求1所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，與所述第一芯片凹槽開口位于同一側的表面上設置有植球，所述第二芯片的第二表面上設置有植球。
3.如權利要求1所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述第一芯片為傳感器。
4.如權利要求2所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，
所述凹槽設置于所述第一芯片的背面上，所述植球設置于所述第一芯片的背面上，所述有源面與所述植球電性連接。
5.如權利要求2所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，
所述凹槽設置于所述第一芯片的有源面上，所述植球設置于有源面上，所述有源面與所述植球電性連接。
6.如權利要求4或5所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述凹槽被設置為具有斜坡的剖面，所述凹槽的底面與所述第二芯片的第一表面相貼合。
7.如權利要求4或5所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述凹槽被設置為具有斜坡剖面，所述凹槽的底面及側面與所述第二芯片的第一表面及側面相貼合。
8.如權利要求4或5所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述凹槽被設置為具有斜坡剖面，所述第二芯片的第一表面對應所述凹槽的底面嵌入到凹槽中。
9.如權利要求4或5所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述凹槽被設置為具有垂直剖面，所述凹槽的底面與所述第二芯片的第一表面相貼合。
10.如權利要求4或5所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述凹槽被設置為具有垂直剖面，所述凹槽的底面及側面與所述第二芯片的第一表面及側面相貼合。
11.如權利要求2所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述多芯片封裝結構還包括塑封模制品，所述塑封模制品位于所述凹槽開口的同一側，部分包覆位于凹槽內的第二芯片并在對應凹槽周邊部分延伸到第一芯片表面上，并使得所述植球的至少部分暴露在外。
12.如權利要求2所述的一種低剖面多芯片封裝結構，其特征在于，所述多芯片封裝結構還可以包括一電路組件，與所述植球電性連接。