本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體集成電路制造設(shè)備領(lǐng)域,更具體地,涉及一種可防止機(jī)臺(tái)RF電感線圈被電弧擊傷的裝置。
背景技術(shù):
在很多半導(dǎo)體工藝?yán)绲入x子體刻蝕或等離子化學(xué)氣相沉積中,都需要用到RF(radio frequency,射頻)來解離氣體或者參與制程。相應(yīng)地,在這些等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)或等離子化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)都安裝有RF發(fā)生系統(tǒng)。
由于RF產(chǎn)生的能量很大,這就要求其路徑處于絕對(duì)獨(dú)立的狀態(tài)。因此,在RF路徑中不能和任何導(dǎo)體(例如金屬,水汽等)接觸,否則就會(huì)改變RF路徑的內(nèi)部電阻,以致無法提供滿足工藝所要求的RF能量。嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)赗F路徑與外來導(dǎo)體的接觸點(diǎn)部位形成電弧,并由此擊傷該接觸點(diǎn)部位的RF發(fā)生系統(tǒng)零部件。
請(qǐng)參閱圖1,圖1是現(xiàn)有的一種等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)的RF路徑局部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示,在等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)的RF路徑中設(shè)有一RF電感線圈10,RF電感線圈10的兩端通過接線柱11、12分別連接至機(jī)臺(tái)腔體中的電極和RF發(fā)生器(圖略),從而形成RF路徑。兩個(gè)接線柱11、12通過RF電感線圈下方的安裝底座13進(jìn)行固定,從而使RF電感線圈10處于懸空固定狀態(tài)。
由于圖1所示的RF電感線圈10在RF路徑中處于裸露狀態(tài),使其在工作過程中極易誤接觸到機(jī)臺(tái)的其他金屬部件(通常是金屬鋁)、掉落的金屬線頭以及水汽等導(dǎo)體。
在此狀況下,如果因不小心有導(dǎo)體搭到RF電感線圈裸露的銅線上,就會(huì)改變整個(gè)RF路徑的內(nèi)阻,并會(huì)造成RF電感線圈被電弧擊傷的危害,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐蓹C(jī)臺(tái)的損壞。
因此,如何能夠避免RF路徑中裸露的RF電感線圈或者其他部件誤接觸到外來導(dǎo)體,成為機(jī)臺(tái)設(shè)備維護(hù)工作的一項(xiàng)重要課題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷,提供一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置,所述RF電感線圈裸露設(shè)于機(jī)臺(tái)的RF發(fā)生系統(tǒng)中,其兩端分別連接至RF發(fā)生器和機(jī)臺(tái)腔體中的電極,形成RF路徑,所述防電弧擊傷裝置包括設(shè)于RF電感線圈外部的絕緣保護(hù)體,所述絕緣保護(hù)體至少將所述RF電感線圈與RF路徑外部相隔離。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)體為包覆于所述RF電感線圈表面的絕緣保護(hù)層。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)層為同心包覆于所述RF電感線圈表面的絕緣單層或復(fù)合層結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)層為包覆于所述RF電感線圈表面的絕緣涂層結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)層為包覆于所述RF電感線圈表面的特氟龍絕緣噴涂層結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)層為包覆于所述RF電感線圈表面的絕緣膠帶裹繞層結(jié)構(gòu)。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)體為罩于所述RF電感線圈外部的絕緣保護(hù)套。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)套固設(shè)于所述RF電感線圈外部,并與所述RF電感線圈保持間隙。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)套具有與所述RF電感線圈輪廓相適應(yīng)的內(nèi)腔。
進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)套為剛性特氟龍絕緣保護(hù)套。
從上述技術(shù)方案可以看出,本實(shí)用新型通過在機(jī)臺(tái)RF路徑中的RF電感線圈外部設(shè)置絕緣保護(hù)體,包括利用包覆于RF電感線圈表面的絕緣保護(hù)層或罩于RF電感線圈外部的絕緣保護(hù)套形式,將RF電感線圈與RF路徑外部相隔離,既可以避免RF電感線圈與非RF路徑的導(dǎo)體接觸,從而可有效防止RF電感線圈被電弧擊傷,同時(shí)又不會(huì)影響RF路徑內(nèi)部的電阻,從而可持續(xù)穩(wěn)定地提供滿足工藝所要求的RF能量。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有的一種等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)的RF路徑局部結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
需要說明的是,在下述的具體實(shí)施方式中,在詳述本實(shí)用新型的實(shí)施方式時(shí),為了清楚地表示本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)以便于說明,特對(duì)附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖,并進(jìn)行了局部放大、變形及簡(jiǎn)化處理,因此,應(yīng)避免以此作為對(duì)本實(shí)用新型的限定來加以理解。
本實(shí)用新型的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置,可提供對(duì)半導(dǎo)體制作機(jī)臺(tái)的RF電感線圈進(jìn)行防電弧擊傷保護(hù)。其中,適用的機(jī)臺(tái)可包括等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)或等離子化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)等,在這些機(jī)臺(tái)中安裝有RF發(fā)生系統(tǒng),用于在進(jìn)行等離子體刻蝕或等離子化學(xué)氣相沉積時(shí),利用RF(radio frequency,射頻)來解離氣體或者參與制程。
以等離子體刻蝕機(jī)臺(tái)為例,RF電感線圈通常采用銅線圈,并裸露設(shè)于機(jī)臺(tái)的RF發(fā)生系統(tǒng)中。RF電感線圈的兩端分別連接至RF發(fā)生器和機(jī)臺(tái)腔體中的電極,共同形成了RF路徑(請(qǐng)參考圖1加以理解)。
本實(shí)用新型的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置,可包括設(shè)置在圖1中RF電感線圈10外部的絕緣保護(hù)體。所述絕緣保護(hù)體的設(shè)置狀態(tài)應(yīng)至少能夠?qū)⑺鯮F電感線圈與RF路徑外部相隔離,以避免RF電感線圈與非RF路徑的外部導(dǎo)體、例如金屬,水汽等接觸,從而可有效防止RF電感線圈被由此可能產(chǎn)生的電弧擊傷。
在以下本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式中,請(qǐng)參閱圖2,圖2是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示,其顯示出圖1中RF電感線圈10的銅線截面10’結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型防電弧擊傷裝置的絕緣保護(hù)體結(jié)構(gòu)實(shí)際是沿圖1中RF電感線圈10的銅線表面包裹設(shè)置的,即絕緣保護(hù)體可以采用在所述RF電感線圈表面包覆絕緣保護(hù)層14的結(jié)構(gòu)形式來實(shí)施。體現(xiàn)在圖2中,即為包覆在RF電感線圈的銅線截面10’外部的絕緣保護(hù)層14。并且,所述絕緣保護(hù)層14可以采用圖示的同心包覆在所述RF電感線圈表面(即包覆在RF電感線圈的銅線截面10’表面)的絕緣單層結(jié)構(gòu)?;蛘咭部梢圆捎猛陌苍谒鯮F電感線圈表面的復(fù)合層結(jié)構(gòu)(圖略)。
作為一優(yōu)選的實(shí)施方式,所述絕緣保護(hù)層14可以采用包覆于所述RF電感線圈表面的絕緣涂層結(jié)構(gòu)形式來實(shí)施,例如可以是采用油漆或噴涂方式在所述RF電感線圈表面形成的絕緣涂層結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)層14可以是包覆于所述RF電感線圈表面的特氟龍絕緣噴涂層結(jié)構(gòu);或者也可以是其他的耐腐蝕絕緣樹脂、橡膠類材料等形成的噴涂層結(jié)構(gòu)。
作為另一優(yōu)選的實(shí)施方式,所述絕緣保護(hù)層14還可以是包覆于所述RF電感線圈表面(即包覆在RF電感線圈的銅線截面10’表面)的絕緣膠帶裹繞層結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)參閱圖3,圖3是本實(shí)用新型另一較佳實(shí)施例的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3所示,本實(shí)用新型的一種用于機(jī)臺(tái)RF電感線圈的防電弧擊傷裝置,包括設(shè)置在RF電感線圈外部的絕緣保護(hù)體15,所述絕緣保護(hù)體可以采用罩設(shè)于所述RF電感線圈(圖略)外部的絕緣保護(hù)套15結(jié)構(gòu)形式來實(shí)施。
請(qǐng)繼續(xù)參閱圖3。作為一優(yōu)選的實(shí)施方式,所述絕緣保護(hù)套15可固定安裝在圖1所示的RF電感線圈10下方的接線柱安裝底座13上(此處圖略,請(qǐng)參考圖1加以理解),將RF電感線圈10整體罩住,并在RF電感線圈兩端頭與接線柱的連接部位相應(yīng)的留出開口16,以便RF電感線圈的兩端頭穿出。絕緣保護(hù)套15可加工出與所述RF電感線圈10外輪廓相適應(yīng)的內(nèi)腔,并與所述RF電感線圈保持一定的間隙,該間隙的大小可以RF電感線圈通電受熱時(shí)產(chǎn)生的最大膨脹體積以及可能的振動(dòng)擺幅作為設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。進(jìn)一步地,所述絕緣保護(hù)套15可以采用圖示剛性半圓柱形的特氟龍絕緣保護(hù)套來加工制作。
綜上所述,本實(shí)用新型通過在機(jī)臺(tái)RF路徑中的RF電感線圈外部設(shè)置絕緣保護(hù)體,包括利用包覆于RF電感線圈表面的絕緣保護(hù)層或罩于RF電感線圈外部的絕緣保護(hù)套形式,將RF電感線圈與RF路徑外部相隔離,既可以避免RF電感線圈與非RF路徑的導(dǎo)體接觸,從而可有效防止RF電感線圈被電弧擊傷,同時(shí)又不會(huì)影響RF路徑內(nèi)部的電阻,從而可持續(xù)穩(wěn)定地提供滿足工藝所要求的RF能量。
以上所述的僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,所述實(shí)施例并非用以限制本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍,因此凡是運(yùn)用本實(shí)用新型的說明書及附圖內(nèi)容所作的等同結(jié)構(gòu)變化,同理均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。