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一種發(fā)光二極管外延片的制作方法

文檔序號(hào):12772541閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型公開了一種發(fā)光二極管外延片,屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述發(fā)光二極管外延片包括藍(lán)寶石襯底、以及依次層疊在藍(lán)寶石襯底上的緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、應(yīng)力釋放層、發(fā)光層、P型電子阻擋層、P型GaN層,藍(lán)寶石襯底上設(shè)有若干凸起,藍(lán)寶石襯底的中心設(shè)置的凸起的尺寸與藍(lán)寶石襯底的邊緣設(shè)置的凸起的尺寸不同。本實(shí)用新型通過藍(lán)寶石襯底的中心設(shè)置的凸起的尺寸與藍(lán)寶石襯底的邊緣設(shè)置的凸起的尺寸不同,對藍(lán)寶石襯底的邊緣上生長的GaN材料和藍(lán)寶石襯底的中心上生長的GaN材料產(chǎn)生不同的作用力,可以緩解由于藍(lán)寶石襯底的邊緣溫度會(huì)高于藍(lán)寶石襯底的中心溫度而造成LED的發(fā)光波長不均勻的情況,提高LED的良率。

技術(shù)研發(fā)人員:胡任浩
受保護(hù)的技術(shù)使用者:華燦光電(浙江)有限公司
文檔號(hào)碼:201620796338
技術(shù)研發(fā)日:2016.07.25
技術(shù)公布日:2017.01.25

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