1.一種SOD882雙芯高密度框架，包括用于承裝芯片的矩形框架，其特征在于，所述框架上設(shè)有將框架均分為兩個(gè)區(qū)域的分區(qū)槽，所述分區(qū)槽的方向與框架短邊平行，在每個(gè)區(qū)域內(nèi)都設(shè)有多個(gè)芯片安裝單元，每個(gè)芯片安裝單元上設(shè)置有2個(gè)芯片安裝區(qū)，相鄰芯片安裝單元之間的框架為半腐蝕框架，在同一個(gè)芯片安裝單元中，2個(gè)芯片安裝區(qū)通過(guò)芯片分隔槽隔開(kāi)，所述芯片分隔槽延伸至半腐蝕框架上，分開(kāi)的半腐蝕框架通過(guò)加強(qiáng)筋連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOD882雙芯高密度框架，其特征在于，所述框架長(zhǎng)度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，在每個(gè)區(qū)域內(nèi)分別布置52排、154列芯片安裝單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SOD882雙芯高密度框架，其特征在于，所述芯片安裝單元的長(zhǎng)邊和框架的短邊平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SOD882雙芯高密度框架，其特征在于，在框架上的兩個(gè)區(qū)域之間設(shè)置多個(gè)間隔布置的分區(qū)槽，多個(gè)所述分區(qū)槽中心線位于同一直線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SOD882雙芯高密度框架，其特征在于，所述分區(qū)槽的寬度為1-1.5mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5之一所述的SOD882雙芯高密度框架，其特征在于，所述框架的芯片安裝單元也為半腐蝕結(jié)構(gòu)，所述半腐蝕結(jié)構(gòu)即將框架腐蝕掉一定的厚度。