本實用新型涉及一種半導(dǎo)體封裝制造技術(shù)，特別是一種SOD882單芯高密度框架。

背景技術(shù)：

引線框架的主要功能是為芯片提供機械支撐的載體，作為導(dǎo)電介質(zhì)內(nèi)外連接芯片電路而形成電信號通路，并與封裝外殼一同向外散發(fā)芯片工作時產(chǎn)生的熱量，構(gòu)成散熱通道，它是一種借助于鍵合金絲或銅絲實現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。芯片封裝形式為SOD882單芯（其中，SOD是小型電子元器件的芯片封裝單元型號，882表示單個芯片安裝單元的尺寸為長1.0mm、寬0.6mm，單芯表示每個芯片安裝單元內(nèi)封裝一個芯片）時，由于傳統(tǒng)的芯片封裝技術(shù)限制，要在相同的引線框架尺寸布置更多的芯片，就需要對布置形式進行合理設(shè)計。

隨著技術(shù)改進，目前已經(jīng)研發(fā)出更優(yōu)化的SOD882 48排單芯引線框架，如圖1所示，該引線框架將將框架分成四個相同的區(qū)域，每個區(qū)域布置48排、67列芯片安裝單元，可在固定的框架尺寸下滿足布置12864個芯片安裝單元的需求，增加了框架密度，提高設(shè)備利用率。

但隨著市場需求的不斷提高，如何進一步提高框架的有效利用率，以及在有限的框架尺寸上布置更多的芯片后、解決DFN產(chǎn)品的翹曲問題、節(jié)約生產(chǎn)成本，依然是研究的重要方向。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的發(fā)明目的在于：針對現(xiàn)有SOD882單芯框架的布局仍然不能滿足市場對框架高利用率、節(jié)約生產(chǎn)成本的需求，并且框架還存在翹曲和切割分離的問題，提供一種SOD882單芯高密度框架，該框架可進一步提高框架的利用率，并能改善框架的翹曲，節(jié)約生產(chǎn)成本、保證框架質(zhì)量，便于切割、保證切割尺寸準確。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為：

一種SOD882單芯高密度框架，包括用于承裝芯片的矩形框架，所述框架上設(shè)有將框架均分為兩個區(qū)域的分區(qū)槽，所述分區(qū)槽的方向與框架短邊平行，在每個區(qū)域內(nèi)都設(shè)有多個芯片安裝單元，每個芯片安裝單元上設(shè)置有1個芯片安裝區(qū)，相鄰芯片安裝單元之間的框架為半腐蝕框架。

上述的半腐蝕框架即是將框架腐蝕掉一定的厚度；該高密度框架由原來劃分為四個區(qū)域變?yōu)閮蓚€區(qū)域，減少劃區(qū)的框架浪費，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安裝單元；而將相鄰芯片安裝單元之間的框架設(shè)為半腐蝕框架，節(jié)約生產(chǎn)成本、保證框架質(zhì)量、改善框架翹曲，便于塑封完成后的框架切割分離、保證切割尺寸準確。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，在同一個芯片安裝單元中，芯片安裝區(qū)通過極性分隔槽分為芯片承裝區(qū)和另一極性部，所述極性分隔槽延伸至半腐蝕框架上，分開的半腐蝕框架通過加強筋連接。將原來芯片安裝單元四角均設(shè)置加強筋的結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化調(diào)整，去掉芯片安裝單元四角上設(shè)置的加強筋，只在相鄰的芯片安裝單元之間被極性分隔槽分開的框架上設(shè)置加強筋，即可保證框架強度，又改善框架翹曲；同時，加強筋的減少，也使分割芯片時刀片的磨損大幅降低，減少刀片使用量、節(jié)約成本。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述框架長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，在每個區(qū)域內(nèi)分別布置52排、154列芯片安裝單元。由于SOD882型號的芯片封裝單元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成兩個相同的區(qū)域，而在每個區(qū)域內(nèi)布置52排、154列芯片安裝單元，所以可以算出整個框架上可以布置的芯片安裝單元的數(shù)量為：52*154*2=16016個，相比之前分為四個區(qū)域布置12864個芯片安裝單元，增加3152個，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述芯片安裝單元的長邊和框架的短邊平行。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，在框架上的兩個區(qū)域之間設(shè)置多個間隔布置的分區(qū)槽，多個所述分區(qū)槽中心線位于同一直線上。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述分區(qū)槽的寬度為1-1.5mm。

該框架的長為250mm，將芯片安裝單元的短邊與框架的長邊平行布置，芯片安裝單元間隔尺寸設(shè)為0.15mm，則芯片安裝單元將會占用的框架長度為：（（0.6+0.15）*153+0.6）=230.7mm，即在芯片安裝單元之外還有較為充足的空間布置框架邊框；而寬度方面，芯片安裝單元占用的寬度：（1+0.15）*51+1=59.65mm，小于框架寬度70mm，也滿足使用需求，所以該框架能滿足布置16016個芯片安裝單元的需求，這樣的布置增加了框架密度，提高了設(shè)備效率，降低成本。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述框架的芯片安裝單元為半腐蝕結(jié)構(gòu)，所述半腐蝕結(jié)構(gòu)即將框架腐蝕掉一定的厚度。將芯片安裝單元設(shè)置成半腐蝕結(jié)構(gòu)，有利于芯片安裝單元的封裝，增加塑封料和框架的結(jié)合力，也有利于改善框架整體的翹曲。

作為本實用新型的優(yōu)選方案，在框架的邊框與芯片安裝區(qū)域之間還設(shè)有半腐蝕區(qū)域。可增加塑封料和邊框的結(jié)合力，切割分離去掉邊框時，塑封料能一塊去除，提高操作人員的工作效率。

綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是：

1、該高密度框架由原來劃分為四個區(qū)域變?yōu)閮蓚€區(qū)域，減少劃區(qū)的框架浪費，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安裝單元；而將相鄰芯片安裝單元之間的框架設(shè)為半腐蝕框架，節(jié)約生產(chǎn)成本、保證框架質(zhì)量、改善框架翹曲，便于塑封完成后的框架切割分離、保證切割尺寸準確；

2、該框架將原來芯片安裝單元四角均設(shè)置加強筋的結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化調(diào)整，去掉芯片安裝單元四角上設(shè)置的加強筋，只在相鄰的芯片安裝單元之間被極性分隔槽分開的框架上設(shè)置加強筋，即可保證框架強度，又改善框架翹曲；同時，加強筋的減少，也使分割芯片時刀片的磨損大幅降低，節(jié)約成本；

3、由于SOD882型號的芯片封裝單元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成兩個相同的區(qū)域，而在每個區(qū)域內(nèi)布置52排、154列芯片安裝單元，所以可以算出整個框架上可以布置的芯片安裝單元的數(shù)量為：52*154*2=16016個，相比之前分為四個區(qū)域布置12864個芯片安裝單元，增加3152個，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率；

4、將芯片安裝單元設(shè)置成半腐蝕結(jié)構(gòu)，有利于芯片安裝單元的封裝，增加塑封料和框架的結(jié)合力，也有利于改善框架整體的翹曲；而在框架的邊框與芯片安裝區(qū)域之間設(shè)半腐蝕區(qū)域，可增加塑封料和邊框的結(jié)合力，切割分離去掉邊框時，塑封料能一塊去除，提高操作人員的工作效率。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有SOD882 框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為圖1中的芯片安裝單元之間的連接結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3本實用新型的SOD882單芯高密度框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為圖3中C區(qū)域的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為圖4中E部的放大圖。

圖6為圖5中F部的放大圖。

圖中標記：1-框架，101-芯片安裝單元，1011-芯片安裝區(qū)，1012-芯片承載區(qū)，102-橫向連接部，103-豎向連接部，104-加強筋，105-極性分隔槽，2-分區(qū)槽。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細的說明。

為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

實施例1

如圖3至圖6所示，本實施例的SOD882單芯高密度框架，包括用于承裝芯片的矩形框架1，所述框架1上設(shè)有將框架1均分為C、D兩個區(qū)域的分區(qū)槽2，所述分區(qū)槽2的方向與框架1短邊平行，在C、D區(qū)域內(nèi)都設(shè)有多個芯片安裝單元101，每個芯片安裝單元101上設(shè)置有1個芯片安裝區(qū)1011，相鄰芯片安裝單元101之間的框架為半腐蝕框架。此處的半腐蝕框架即是將框架腐蝕掉一定的厚度；如圖5所示，相鄰芯片安裝單元之間的半腐蝕框架包括橫向連接部102和豎向連接部103。

該高密度框架由原來劃分為四個區(qū)域變?yōu)閮蓚€區(qū)域，減少劃區(qū)的框架浪費，有利于在有限的框架尺寸上布置更多的芯片安裝單元；而將相鄰芯片安裝單元之間的框架設(shè)為半腐蝕框架，節(jié)約生產(chǎn)成本、保證框架質(zhì)量、改善框架翹曲，便于塑封完成后的框架切割分離、保證切割尺寸準確。

進一步地，在同一個芯片安裝單元101中，芯片安裝區(qū)101通過極性分隔槽105分隔為芯片承載區(qū)1012和另外的一個極性部，如圖5和圖6所示，所述極性分隔槽105延伸至半腐蝕框架的橫向連接部102上，分開的橫向連接部102通過加強筋104連接。

如圖1和圖2所示，現(xiàn)有SOD882雙芯框架上的芯片安裝單元的布置如圖所示，框架被均分為A、B、C、D四個區(qū)域，在每個區(qū)域內(nèi)布置多個芯片安裝單元，在每個芯片安裝單元的四個角上均設(shè)有加強筋，這樣就造成該芯片框架的翹曲比較嚴重，不利于后續(xù)的框架檢測、塑封等加工過程。

本實施例將原來芯片安裝單元四角均設(shè)置加強筋的結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化調(diào)整，去掉芯片安裝單元四角上設(shè)置的加強筋，只在相鄰的芯片安裝單元之間被極性分隔槽分開的框架上設(shè)置加強筋，即可保證框架強度，又改善框架翹曲；同時，加強筋的減少，也使分割芯片時刀片的磨損大幅降低，減少刀片使用量、節(jié)約成本。

本實施例中，所述框架1長度為250±0.1mm，寬度為70±0.05mm，在C和D區(qū)域內(nèi)分別布置52排、154列芯片安裝單元101。本實施例中，所述芯片安裝單元101的長邊和框架1的短邊平行。

由于SOD882型號的芯片封裝單元的尺寸是固定的1.0*0.6mm，因此在框架尺寸固定的情況下，合理地對框架焊接區(qū)域分區(qū)有助于提高框架利用率，本引線框架沿框架長度方向分成兩個相同的區(qū)域，而在每個區(qū)域內(nèi)布置52排、154列芯片安裝單元，所以可以算出整個框架上可以布置的芯片安裝單元的數(shù)量為：52*154*2=16016個，相比之前分為四個區(qū)域布置12864個芯片安裝單元，增加3152個，密度增加24.5%，大大提高框架的利用率。

本實施例中，在框架1上的C、D區(qū)域之間設(shè)置多個間隔布置的分區(qū)槽2，多個所述分區(qū)槽2中心線位于同一直線上；相鄰芯片安裝單元101之間的距離設(shè)為0.15mm。

本實施例中，所述分區(qū)槽2的寬度為1.5mm。

該框架的長為250mm，將芯片安裝單元的短邊與框架的長邊平行布置，芯片安裝單元間隔尺寸設(shè)為0.15mm，則芯片安裝單元將會占用的框架長度為：（（0.6+0.15）*153+0.6）=230.7mm，即在芯片安裝單元之外還有較為充足的空間布置框架邊框；而寬度方面，芯片安裝單元占用的寬度：（1+0.15）*51+1=59.65mm，小于框架寬度70mm，也滿足使用需求，所以該框架能滿足布置16016個芯片安裝單元的需求，這樣的布置增加了框架密度，提高了設(shè)備效率，降低成本。

實施例2

如圖1至圖6所示，根據(jù)實施例1所述的SOD882單芯高密度框架，所述框架1的芯片安裝單元101為半腐蝕結(jié)構(gòu)，即將框架腐蝕掉一定的厚度。將芯片安裝單元設(shè)置成半腐蝕結(jié)構(gòu)，有利于芯片安裝單元的封裝，增加塑封料和框架的結(jié)合力，也有利于改善框架整體的翹曲。

進一步地，在框架1的邊框與芯片安裝區(qū)域之間還設(shè)有半腐蝕區(qū)域?？稍黾铀芊饬虾瓦吙虻慕Y(jié)合力，切割分離去掉邊框時，塑封料能一塊去除，提高操作人員的工作效率。

更進一步地，上述的半腐蝕區(qū)域沿框架1的長度方向布置。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。