1.一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，包括InP襯底，在InP襯底上自下而上依次設(shè)置有緩沖層、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上限制層、第二緩沖層、腐蝕阻擋層、包層和光柵層；在光柵層上面設(shè)置有二次外延層，其特征在于：所述二次外延層自下而上包括光柵包層、勢壘漸變層和歐姆接觸層，所述光柵包層自下而上包括光柵覆蓋層和過渡層，所述光柵覆蓋層厚度比光柵層厚度大1.5nm-8nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光柵層的厚度為40 nm -50 nm，所述光柵覆蓋層厚度比光柵層厚度大2nm-4nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光柵覆蓋層的平均生長速度為0.002 nm/s-0.003 nm/s，所述光柵覆蓋層的生長溫度為530-570°C；所述過渡層的平均生長速度為0.15 nm/s-0.55 nm/s，所述過渡層的生長溫度為650-690°C。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述過渡層的厚度是所述光柵覆蓋層厚度的10倍-20倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述光柵層的厚度為43 nm；光柵層中光柵周期為210 nm；所述光柵覆蓋層的厚度為47 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述勢壘漸變層自下而上包括波長為1300nm的第一勢壘漸變層和波長為1500nm的第二勢壘漸變層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述歐姆接觸層的上端面為單脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的一種DFB激光器的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，其特征在于：所述光柵層的波長為1100nm。