技術(shù)總結(jié)
提供了半導(dǎo)體封裝(78)和堆疊半導(dǎo)體封裝(96)。半導(dǎo)體封裝(78)包括第一半導(dǎo)體芯片(14)、多個(gè)連接體(76)、封裝第一半導(dǎo)體芯片(14)和連接體(76)的第一封裝劑(20)、以及與第一半導(dǎo)體芯片(14)和連接體(76)的多個(gè)電連接(24)。散熱區(qū)域(38)被布置以釋放第一半導(dǎo)體芯片(14)產(chǎn)生的熱。散熱區(qū)域(38)包括以下之一：第一半導(dǎo)體芯片(14)附接至的焊盤(16)的表面；焊盤(16)附接至的導(dǎo)電層(120)的表面，其中第一半導(dǎo)體芯片(14)附接至焊盤(16)；第一半導(dǎo)體芯片(14)附接至的導(dǎo)電層(120)的表面；以及附接至導(dǎo)電層(120)的散熱片(136)的表面區(qū)域，其中第一半導(dǎo)體芯片(14)附接至導(dǎo)電層(120)。

技術(shù)研發(fā)人員：周亦歆
受保護(hù)的技術(shù)使用者：PEP創(chuàng)新私人有限公司
文檔號(hào)碼：201620642598
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.24
技術(shù)公布日：2017.02.22