1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：
第一半導(dǎo)體芯片；
多個(gè)連接體；
封裝所述第一半導(dǎo)體芯片和所述連接體的第一封裝劑；
與所述第一半導(dǎo)體芯片和所述連接體的多個(gè)電連接；以及
散熱區(qū)域，被布置為釋放所述第一半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱，其中所述散熱區(qū)域包括以下之一：
所述第一半導(dǎo)體芯片附接至的焊盤的表面；
焊盤附接至的導(dǎo)電層的表面，其中所述第一半導(dǎo)體芯片附接至所述焊盤；
所述第一半導(dǎo)體芯片附接至的導(dǎo)電層的表面；以及
附接至導(dǎo)電層的散熱片的表面區(qū)域，其中所述第一半導(dǎo)體芯片附接至所述導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述電連接包括：
貫穿所述第一封裝劑延伸至所述第一半導(dǎo)體芯片的多個(gè)通孔；以及
所述第一封裝劑的表面上的多個(gè)第一跡線，其中所述第一跡線通過所述通孔與所述第一半導(dǎo)體芯片電連接并且其中所述連接體與所述第一跡線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：
封裝所述第一跡線的第二封裝劑；以及
延伸貫穿所述第二封裝劑以暴露所述第一跡線的表面的多個(gè)開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：
第二半導(dǎo)體芯片；
多個(gè)焊料凸塊，附接至所述第二半導(dǎo)體芯片并將所述第二半導(dǎo)體芯片與所述第一跡線的暴露表面電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：
所述第一跡線上的多個(gè)導(dǎo)電柱；以及
封裝所述第一跡線和所述導(dǎo)電柱的第二封裝劑，其中所述第二封裝劑的一部分被去除，暴露所述導(dǎo)電柱的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：所述第二封裝劑的表面上的多個(gè)第二跡線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：在所述第一半導(dǎo)體芯片的多個(gè)電路墊片中的至少一個(gè)上設(shè)置的導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述導(dǎo)電層的表面區(qū)域大于在其上形成所述導(dǎo)電層的電路墊片的表面區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述導(dǎo)電層包括墊片部分和線部分，所述 墊片部分位于在其上形成所述導(dǎo)電層的電路墊片之上，所述線部分延伸遠(yuǎn)離所述電路墊片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝，其中與所述第一半導(dǎo)體芯片的所述電連接從所述導(dǎo)電層的所述線部分形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括被所述第一封裝劑封裝的多個(gè)墊片，其中所述連接體設(shè)置在所述墊片上。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括在所述導(dǎo)電層中形成的多個(gè)開口，所述開口暴露所述連接體的表面。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：
附接至所述焊盤的第二半導(dǎo)體芯片；
將所述第二半導(dǎo)體芯片與各個(gè)墊片電連接的多個(gè)焊線；以及
封裝所述第二半導(dǎo)體芯片和所述焊線的第三封裝劑。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，還包括：
附接至所述焊盤的第二半導(dǎo)體芯片；以及
將所述第二半導(dǎo)體芯片與各個(gè)墊片電連接的多個(gè)焊料凸塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括所述散熱區(qū)域上的涂層。
16.一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括：
第一半導(dǎo)體封裝，所述第一半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝；
附接至所述第一半導(dǎo)體封裝的第一跡線的暴露表面的多個(gè)焊料凸塊；
第二半導(dǎo)體封裝，所述第二半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述焊料凸塊與所述第二半導(dǎo)體封裝的墊片電耦接。
17.一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括：
第一半導(dǎo)體封裝，所述第一半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝；
第二半導(dǎo)體封裝，所述第二半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝；以及
焊接材料，將所述第一半導(dǎo)體封裝的第一焊盤與所述第二半導(dǎo)體封裝的第二焊盤電耦接，并將所述第一半導(dǎo)體封裝的多個(gè)第一墊片與所述第二半導(dǎo)體封裝的多個(gè)第二墊片電耦接。
18.一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括：
第一半導(dǎo)體封裝，所述第一半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝；
附接至所述第一半導(dǎo)體封裝的第一跡線的暴露表面的多個(gè)焊料凸塊；以及
第二半導(dǎo)體封裝，所述第二半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述焊料凸塊與所述第二半導(dǎo)體封裝的連接體的暴露表面電耦接。
19.一種堆疊半導(dǎo)體封裝，包括：
第一半導(dǎo)體封裝，所述第一半導(dǎo)體封裝為根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝；
第二半導(dǎo)體封裝，其中所述第二半導(dǎo)體封裝是具有多個(gè)焊料凸塊的晶圓級封裝，并且其中所述焊料凸塊與所述第一半導(dǎo)體封裝的連接體的暴露表面電耦接。