本實(shí)用新型涉及刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種干濕混合等離子刻蝕裝置。

背景技術(shù)：

等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體，由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體，從而形成了等離子或離子，電離氣體原子通過電場加速時(shí)，會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或刻蝕表面。某種程度來講，等離子清洗實(shí)質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進(jìn)行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進(jìn)行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式，這種設(shè)計(jì)的是富有彈性的，用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法：反應(yīng)性等離子體(RIE)，順流等離子體(downstream)，直接等離子體(direction plasma)。

濕法刻蝕是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)。簡單來說，就是中學(xué)化學(xué)課中化學(xué)溶液腐蝕的概念，它是一種純化學(xué)刻蝕，具有優(yōu)良的選擇性，刻蝕完當(dāng)前薄膜就會停止，而不會損壞下面一層其他材料的薄膜。由于所有的半導(dǎo)體濕法刻蝕都具有各向同性，所以無論是氧化層還是金屬層的刻蝕，橫向刻蝕的寬度都接近于垂直刻蝕的深度。這樣一來，上層光刻膠的圖案與下層材料上被刻蝕出的圖案就會存在一定的偏差，也就無法高質(zhì)量地完成圖形轉(zhuǎn)移和復(fù)制的工作，因此隨著特征尺寸的減小，在圖形轉(zhuǎn)移過程中基本不再使用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于提供一種干濕混合等離子刻蝕裝置，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案：一種干濕混合等離子刻蝕裝置，包括機(jī)體和活動(dòng)門，所述活動(dòng)門鉸接在機(jī)體左側(cè)壁，所述機(jī)體上表面安裝有刻蝕劑儲存箱，所述刻蝕劑儲存箱通過管道連接有噴淋管，且噴淋管位于機(jī)體內(nèi)部，所述噴淋管表面設(shè)有噴淋頭，所述機(jī)體右側(cè)壁設(shè)有射頻匹配裝置，所述射頻匹配裝置通過導(dǎo)線連接有等離子板，且等離子板位于機(jī)體內(nèi)部，所述等離子板表面設(shè)有屏蔽罩，所述機(jī)體內(nèi)部設(shè)有擱板，所述擱板上表面安裝有盛料托盤，所述盛料托盤內(nèi)腔底部設(shè)有紅外發(fā)熱二極管，所述紅外發(fā)熱二極管上表面設(shè)有導(dǎo)熱層，所述導(dǎo)熱層的上表面設(shè)有防水層，所述擱板下表面連接有真空管，且真空管的一端連接有真空泵，所述真空泵位于機(jī)體內(nèi)腔底部，所述機(jī)體內(nèi)部右側(cè)壁設(shè)有回流管，所述回流管的一端連接有刻蝕劑回流箱，且刻蝕劑回流箱位于真空泵右側(cè)，所述回流管的表面安裝有截止閥，所述機(jī)體右側(cè)壁安裝有紅外加熱裝置，且紅外加熱裝置電性連接于紅外發(fā)熱二極管，所述機(jī)體右側(cè)壁還安裝有分級控制器，且分級控制器電性連接于射頻匹配裝置和紅外加熱裝置。

優(yōu)選的，所述噴淋嘴不少于3組。

優(yōu)選的，所述分級控制器表面設(shè)有電容感應(yīng)式觸摸屏。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：本干濕混合等離子刻蝕裝置，利用噴淋頭將刻蝕劑噴灑到硅片表面，增加光程，減少光的反射，再通過等離子板與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)，從而去掉暴露的表面材料，干濕刻蝕相結(jié)合，能夠使兩者的優(yōu)缺點(diǎn)相結(jié)合，對硅片表面更好的刻蝕。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型盛料托盤結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1機(jī)體、2活動(dòng)門、3刻蝕劑儲存箱、4噴淋管、5噴淋頭、6射頻匹配裝置、7等離子板、8屏蔽罩、9盛料托盤、91紅外發(fā)熱二極管、92導(dǎo)熱層、93防水層、10擱板、11真空管、12真空泵、13回流管、14刻蝕劑回流箱、15紅外加熱裝置、16截止閥、17分級控制器。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

請參閱圖1-2，本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案：一種干濕混合等離子刻蝕裝置，包括機(jī)體1和活動(dòng)門2，所述活動(dòng)門2鉸接在機(jī)體1左側(cè)壁，所述機(jī)體1上表面安裝有刻蝕劑儲存箱3，所述刻蝕劑儲存箱3通過管道連接有噴淋管4，且噴淋管4位于機(jī)體1內(nèi)部，所述噴淋管4表面設(shè)有噴淋頭5，所述機(jī)體1右側(cè)壁設(shè)有射頻匹配裝置6，所述射頻匹配裝置6通過導(dǎo)線連接有等離子板7，且等離子板7位于機(jī)體1內(nèi)部，所述等離子板7表面設(shè)有屏蔽罩8，所述機(jī)體1內(nèi)部設(shè)有擱板10，所述擱板10上表面安裝有盛料托盤9，所述盛料托盤9內(nèi)腔底部設(shè)有紅外發(fā)熱二極管91，所述紅外發(fā)熱二極管91上表面設(shè)有導(dǎo)熱層92，所述導(dǎo)熱層92的上表面設(shè)有防水層93，所述擱板10下表面連接有真空管11，且真空管11的一端連接有真空泵12，所述真空泵12位于機(jī)體1內(nèi)腔底部，所述機(jī)體1內(nèi)部右側(cè)壁設(shè)有回流管13，所述回流管13的一端連接有刻蝕劑回流箱14，且刻蝕劑回流箱14位于真空泵12右側(cè)，所述回流管13的表面安裝有截止閥16，所述機(jī)體1右側(cè)壁安裝有紅外加熱裝置15，且紅外加熱裝置15電性連接于紅外發(fā)熱二極管91，所述機(jī)體1右側(cè)壁還安裝有分級控制器17，且分級控制器17電性連接于射頻匹配裝置6和紅外加熱裝置15。所述噴淋嘴5不少于3組。所述分級控制器17表面設(shè)有電容感應(yīng)式觸摸屏。

工作原理：利用噴淋頭5將刻蝕劑均勻的噴灑到硅片的表面，進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，反應(yīng)完成后打開截止閥16，刻蝕劑通過回流管13回流到刻蝕劑回流箱14中，打開紅外加熱裝置15，對盛料托盤9中的硅片表面的刻蝕劑殘留進(jìn)行烘干，真空泵12將反應(yīng)室抽成真空，這時(shí)通過分級控制器17打開射頻匹配裝置6，通過等離子板7與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)，去掉暴露在硅片表面材料。該裝置結(jié)構(gòu)簡單，設(shè)計(jì)合理，且實(shí)用性強(qiáng)。

盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。