本公開涉及電子器件，并且更具體地講，涉及包括高電子遷移率晶體管(HEMT)或雙向高電子遷移率晶體管的電子器件。

背景技術(shù)：

高電子遷移率晶體管(HEMT)，并且具體地講GaN晶體管，因其在相對(duì)高溫下承載大量電流的能力而被使用。包括雙向HEMT的電子器件具有一個(gè)或多個(gè)問題。需要對(duì)包括雙向HEMT的電子器件進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

根據(jù)實(shí)用新型的一個(gè)方面，提供了包括HEMT結(jié)構(gòu)的電子器件，該電子器件包括漏極/源極電極、源極/漏極電極、相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的第一柵極電極以及第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到漏極/源極電極并且包括第一部分，該第一部分限定覆蓋在第一柵極電極上面的第一開口。

在一個(gè)實(shí)施例中，電子器件還包括第一開關(guān)柵極電極、第二開關(guān)柵極電極、第二阻擋柵極電極和第二屏蔽結(jié)構(gòu)，其中第一開關(guān)柵極電極設(shè)置在漏極/源極電極與第一阻擋柵極電極之間，第一柵極電極為電連接到第一屏蔽結(jié)構(gòu)的第一阻擋柵極電極，第二開關(guān)柵極電極設(shè)置在源極/漏極電極與第二阻擋柵極電極之間，并且第二屏蔽結(jié)構(gòu)與第一屏蔽結(jié)構(gòu)間隔開并且覆蓋在第二開關(guān)柵極電極上面。

在實(shí)用新型的另一方面，提供了包括雙向HEMT的電子器件，該電子器件包括第一漏極/源極電極；第一源極/漏極電極；耦接到第一漏極/源極電極的第一阻擋柵極電極；設(shè)置在第一漏極/源極電極與第一阻擋柵極電極之間的第一開關(guān)柵極電極，其中第一開關(guān)柵極電極未電連接到第一阻擋柵極電極；耦接到第一源極/漏極電極的第二阻擋柵極電極；以及設(shè)置在第一源極/漏極電極與第二阻擋柵極電極之間的第二開關(guān)柵極電極，其中第二開關(guān)柵極電極未電連接到第二阻擋柵極電極，其中第一阻擋柵極電極、第一開關(guān)柵極電極、第二阻擋柵極電極和第二開關(guān)柵極電極位于相同管芯上。

在一個(gè)實(shí)施例中，電子器件還包括第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到第一漏極/源極電極并且包括第一部分，該第一部分限定覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面的第一開口。

在另一個(gè)實(shí)施例中，第一屏蔽結(jié)構(gòu)還包括覆蓋在第一部分上面的第二部分、第一部分內(nèi)的第一開口以及第一開關(guān)柵極電極；并且第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到第一阻擋柵極電極。

在又一個(gè)實(shí)施例中，電子器件還包括第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到第一漏極/源極電極并且包括第一側(cè)向延伸部分，該第一側(cè)向延伸部分為第一互連層面的一部分并且覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面，并且與第一開關(guān)柵極電極相比較，第一側(cè)向延伸部分在第一側(cè)向方向上更靠近第一源極/漏極電極延伸；以及第二側(cè)向延伸部分，該第二側(cè)向延伸部分為覆蓋在第一互連層面上面的第二互連層面的一部分，其中第二側(cè)向延伸部分覆蓋在第一開關(guān)柵極電極和第一側(cè)向延伸部分上面，并且與第一開關(guān)柵極電極和第一側(cè)向延伸部分相比較，第二側(cè)向延伸部分在第一側(cè)向方向上更靠近第一源極/漏極電極延伸。

在另外的實(shí)施例中，電子器件還包括設(shè)置在第一阻擋柵極電極與第一開關(guān)柵極電極之間的第二漏極/源極電極；以及設(shè)置在第二阻擋柵極與第二開關(guān)柵極電極之間的第二源極/漏極電極。

在另一個(gè)實(shí)施例中，電子器件還包括耦接到第一漏極/源極電極的第一屏蔽結(jié)構(gòu)；以及耦接到第二漏極/源極電極的第二屏蔽結(jié)構(gòu)。

在再一個(gè)實(shí)施例中，第二屏蔽結(jié)構(gòu)包括第一側(cè)向延伸部分，該第一側(cè)向延伸部分覆蓋在第一阻擋柵極電極上面并且為第一互連層面的一部分；以及第二側(cè)向延伸部分，該第二側(cè)向延伸部分覆蓋在第一阻擋柵極電極和第一側(cè)向延伸部分上面，其中第二側(cè)向延伸部分為第二互連層面的一部分；并且第一屏蔽結(jié)構(gòu)包括側(cè)向延伸部分，該側(cè)向延伸部分覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面并且為第二互連層面的一部分，其中第一結(jié)構(gòu)不包括在第一開關(guān)柵極電極上方延伸的第一互連層面屏蔽處的側(cè)向延伸部分。

在實(shí)用新型的又一方面，提供了包括雙向HEMT結(jié)構(gòu)的電子器件，該電子器件包括漏極/源極電極；源極/漏極電極；相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的第一柵極電極；第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到漏極/源極電極并且包括第一側(cè)向延伸部分，其中第一側(cè)向延伸部分為覆蓋在第一柵極電極上面的第一互連層面的一部分，并且與第一柵極電極相比較，第一側(cè)向延伸部分在水平方向上更靠近源極/漏極電極延伸；相比于漏極/源極電極更靠近源極/漏極電極的第二柵極電極；以及第二屏蔽結(jié)構(gòu)，該第二屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到源極/漏極電極并且包括第二側(cè)向延伸部分，其中第二側(cè)向延伸部分為覆蓋在第二柵極電極上面的不同互連層面的一部分，并且與第二柵極電極相比較，第二側(cè)向延伸部分在水平方向上更靠近漏極/源極電極延伸。

根據(jù)本公開的至少一個(gè)實(shí)施例，可以提供改進(jìn)的包括HEMT或雙向HEMT的電子器件。

附圖說明

在附圖中以舉例說明的方式示出實(shí)施例，而實(shí)施例并不受限于附圖。

圖1包括雙向HEMT的示意圖。

圖2包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括圖1的雙向HEMT的工件一部分的剖視圖的圖示。

圖3包括根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的包括圖1的雙向HEMT的工件一部分的剖視圖的圖示。

圖4包括雙向HEMT電路的電路示意圖。

圖5包括根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的包括圖4的電路的工件一部分的剖視圖的圖示。

圖6包括根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的包括圖4的電路的工件一部分的剖視圖的圖示。

技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到附圖中的元件為了簡明起見而示出，而未必按比例繪制。例如，附圖中一些元件的尺寸可以相對(duì)于其他元件放大，以有助于理解該實(shí)用新型的實(shí)施例。

具體實(shí)施方式

提供以下與附圖相結(jié)合的說明以幫助理解本文所公開的教導(dǎo)。以下討論將著重于該教導(dǎo)的具體實(shí)現(xiàn)方式和實(shí)施例。提供該著重點(diǎn)以幫助描述所述教導(dǎo)，而不應(yīng)被解釋為對(duì)所述教導(dǎo)的范圍或適用性的限制。然而，基于如本申請(qǐng)中所公開的教導(dǎo)，可以采用其他實(shí)施例。

術(shù)語“化合物半導(dǎo)體”旨在意指包含至少兩種不同元素的半導(dǎo)體材料。例子包括SiC、SiGe、GaN、InP、Al_vGa_(1-v)N、CdTe等等。III-V半導(dǎo)體材料旨在意指包含至少一種三價(jià)金屬元素和至少一種15族元素的半導(dǎo)體材料。III-N半導(dǎo)體材料旨在意指包含至少一種三價(jià)金屬元素和氮的半導(dǎo)體材料。13族至15族半導(dǎo)體材料旨在意指包含至少一種13族元素和至少一種15族元素的半導(dǎo)體材料。

術(shù)語“載體雜質(zhì)”旨在意指(1)當(dāng)作為受體時(shí)，化合物內(nèi)的雜質(zhì)，與化合物內(nèi)的所有陽離子的至少90％相比較，該雜質(zhì)具有不同化合價(jià)狀態(tài)，或(2)作為給體時(shí)，化合物內(nèi)的雜質(zhì)，與化合物內(nèi)的所有陰離子的至少90％相比較，該雜質(zhì)具有不同化合價(jià)。例如，C、Mg和Si為相對(duì)于GaN的受體，因?yàn)樗鼈兛煞@電子。如本文所用，Al不是相對(duì)于GaN的載體雜質(zhì)，因?yàn)锳l和Ga具有3+化合價(jià)。載體雜質(zhì)可有意地添加，或者可作為天然產(chǎn)生雜質(zhì)或作為形成包括雜質(zhì)的層的結(jié)果存在。受體和給體為相反載體類型的載體雜質(zhì)。

盡管層或區(qū)域在本文可描述為給體雜質(zhì)類型或受體雜質(zhì)類型，但技術(shù)人員理解雜質(zhì)類型可為相反的并且根據(jù)本實(shí)用新型描述也為可能的。

除非相反地明確規(guī)定，否則術(shù)語“載體雜質(zhì)濃度”或“載體雜質(zhì)的濃度”在指代層、膜或區(qū)域時(shí)，旨在意指此類層、膜或區(qū)域的平均濃度。

為了附圖清楚起見，器件結(jié)構(gòu)的某些區(qū)域，諸如摻雜區(qū)或介電區(qū)，可示為具有大致直線邊緣和精確角度拐角。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員理解，由于摻雜物的擴(kuò)散和激活或?qū)拥男纬?，此類區(qū)域的邊緣通?？刹粸橹本€并且拐角可不為精確角度。

術(shù)語“在…上”、“覆蓋在上面”和“在…上方”可用于指示兩個(gè)或更多個(gè)元件彼此直接物理接觸。然而，“在…上方”也可意指兩個(gè)或更多個(gè)元件彼此不直接接觸。例如，“在…上方”可意指一個(gè)元件在另一個(gè)元件之上，但元件彼此不接觸并且可在兩個(gè)元件之間具有另一個(gè)或多個(gè)元件。

對(duì)應(yīng)于元素周期表中的列的族編號(hào)基于2011年1月21日版IUPAC元素周期表。

術(shù)語“正常操作”和“正常操作狀態(tài)”是指電子部件或器件被設(shè)計(jì)來根據(jù)其進(jìn)行操作的條件。條件可從數(shù)據(jù)表或關(guān)于電壓、電流、電容、電阻或其他電參數(shù)的其他信息獲得。因此，正常操作不包括在電子部件或器件的設(shè)計(jì)極限之外對(duì)其進(jìn)行良好操作。

術(shù)語“高電壓”在提及層、結(jié)構(gòu)或器件時(shí)，意指此類層、結(jié)構(gòu)或器件可跨接此類層、結(jié)構(gòu)或器件(如，在處于斷開狀態(tài)的晶體管的源極與漏極之間)經(jīng)受至少150V差值而不表現(xiàn)出介電擊穿、雪崩擊穿等。

術(shù)語“包含”、“含有”、“包括”、“具有”或其任何其他變化形式旨在涵蓋非排他性的包括。例如，包括一系列特征的方法、制品或設(shè)備不一定僅限于那些特征，而是可以包括未明確列出的或該方法、制品或設(shè)備固有的其他特征。另外，除非相反地明確規(guī)定，否則“或”是指包括性的或，而非排他性的或。例如，條件A或B由以下任一者滿足：A為真(或存在)而B為假(或不存在)，A為假(或不存在)而B為真(或存在)，以及A和B均為真(或存在)。

另外，使用“一個(gè)”或“一種”來描述本文所述的元件和部件。這僅僅是為了方便，并給出該實(shí)用新型的范圍的一般含義。該描述應(yīng)被視為包括一個(gè)(種)、至少一個(gè)(種)，或單數(shù)形式也包括復(fù)數(shù)形式，反之亦然，除非明確有相反的含義。例如，當(dāng)本文描述單項(xiàng)時(shí)，可以使用多于一項(xiàng)來代替單項(xiàng)。類似地，在本文描述多于一項(xiàng)的情況下，可用單項(xiàng)替代所述多于一項(xiàng)。

詞語“約”、“大約”或“基本上”的使用旨在意指參數(shù)的值接近于規(guī)定值或位置。然而，細(xì)微差值可防止值或位置完全如所規(guī)定的那樣。因此，從完全如所述的理想目標(biāo)來看，針對(duì)值至多百分之十(10％)(以及針對(duì)半導(dǎo)體摻雜濃度至多百分之二十(20％))的差值為合理差值。

除非另外定義，否則本文所用的所有技術(shù)和科學(xué)術(shù)語具有與該實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。材料、方法和例子僅為示例性的，而無意進(jìn)行限制。在本文未描述的情況下，關(guān)于具體材料和加工動(dòng)作的許多細(xì)節(jié)是常規(guī)的，并可在半導(dǎo)體和電子領(lǐng)域中的教科書和其他來源中找到。

電子器件可包括雙向HEMT。在某方面，電子器件可包括耦接到第一漏極/源極電極的第一阻擋柵極電極，以及設(shè)置在第一漏極/源極電極與第一阻擋柵極電極之間的第一開關(guān)柵極電極，其中第一開關(guān)柵極電極未電連接到第一阻擋柵極電極。電子器件還可包括耦接到第一源極/漏極電極的第二阻擋柵極電極，以及設(shè)置在第一源極/漏極電極與第二阻擋柵極電極之間的第二開關(guān)柵極電極，其中第二開關(guān)柵極電極未電連接到第二阻擋柵極電極。與開關(guān)柵極電極不存在或如果它們電連接到阻擋柵極電極相比較，所述開關(guān)柵極電極可允許以更快電壓信號(hào)改變電流。第一阻擋柵極電極、第一開關(guān)柵極電極、第二阻擋柵極電極和第二開關(guān)柵極電極可位于相同管芯上，從而允許更高水平集成和更小封裝尺寸。

在另一方面，電子器件可包括相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的第一柵極電極。電子器件還可包括第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到漏極/源極電極并且包括第一側(cè)向延伸部分，其中第一側(cè)向延伸部分為覆蓋在第一柵極電極上面的第一互連層面的一部分，并且與第一柵極電極相比較，第一側(cè)向延伸部分在水平方向上更靠近源極/漏極電極延伸。電子器件可包括相比于漏極/源極電極更靠近源極/漏極電極的第二柵極電極。電子器件還可包括第二屏蔽結(jié)構(gòu)，該第二屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到源極/漏極電極并且包括第二側(cè)向延伸部分，其中第二側(cè)向延伸部分為覆蓋在第二柵極電極上面的不同互連層面的一部分；并且與第二柵極電極相比較，第二側(cè)向延伸部分在水平方向上更靠近漏極/源極電極延伸。因此，屏蔽結(jié)構(gòu)可在不同屏蔽結(jié)構(gòu)內(nèi)具有不同數(shù)量的側(cè)向延伸部分，該側(cè)向延伸部分可通過下面的柵極電極提供足夠的屏蔽和較小電容。

在另外的方面，電子器件可包括相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的柵極電極。電子器件還可包括屏蔽結(jié)構(gòu)，該屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到漏極/源極電極并且包括一個(gè)部分，該部分限定覆蓋在柵極電極上面的開口。開口有助于減小柵極電極與屏蔽結(jié)構(gòu)之間的電容耦合，并且所述部分還可朝源極/漏極電極進(jìn)一步延伸以減小柵極電極與源極/漏極電極之間的電容耦合。

在閱讀隨后的實(shí)施例之后，可更好地理解概念和設(shè)計(jì)考慮。作為具體例子，下面描述中的大部分將提出GaN作為溝道層的材料，以便簡化對(duì)概念和設(shè)計(jì)考慮的理解。顯然，本實(shí)用新型的實(shí)施例不限于GaN溝道層。在閱讀說明書全文之后，技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，實(shí)施例僅僅是為了進(jìn)行示意性的說明，并非對(duì)所附權(quán)利要求的范圍進(jìn)行限制。

圖1包括由一對(duì)柵極控制的雙向HEMT 130的示意圖。雙向HEMT130的漏極/源極耦接到漏極/源極端子122，并且雙向HEMT 130的源極/漏極耦接到源極/漏極端子144。雙向HEMT 130的柵極中的一者耦接到柵極端子126，并且雙向HEMT 130的另一柵極耦接到柵極端子147。雙向HEMT 130在耦接到襯底端子138的管芯襯底內(nèi)或上方。在具體實(shí)施例中，耦接中的每一者均可為電連接。

圖2包括工件的一部分的剖視圖的圖示，該部分包括襯底200、成核層220、半導(dǎo)體層以及介電層260。襯底200具有主表面202并且可包含硅、藍(lán)寶石(單晶Al₂O₃)、碳化硅(SiC)、氮化鋁(AlN)、氧化鎵(Ga₂O₃)、尖晶石(MgAl₂O₄)、氮化鎵(GaN)、另一種合適的基本單晶材料等?？筛鶕?jù)將隨后在襯底200上方形成的半導(dǎo)體層的組成，來選擇沿主表面202的具體材料和晶體取向的選擇。成核層220可有助于使半導(dǎo)體層外延生長。在實(shí)施例中，成核層220可包括通用于隨后形成的半導(dǎo)體層的一種或多種元素。在具體實(shí)施例中，當(dāng)在成核層220上方形成含鋁半導(dǎo)體層時(shí)，成核層可包含氮化鋁。成核層的厚度可在20nm至1000nm的范圍內(nèi)。

半導(dǎo)體層可包括緩沖膜242、溝道膜244以及阻擋膜246。緩沖膜242的組成可取決于溝道膜244的組成。在實(shí)施例中，溝道膜244包含GaN，并且緩沖膜242包含AlGaN。緩沖膜242的組成可根據(jù)厚度改變，使得緩沖膜242更靠近成核層220具有相對(duì)較大鋁含量并且更靠近溝道膜244具有相對(duì)較大鎵含量。在具體實(shí)施例中，靠近成核層220的緩沖膜242中的陽離子(金屬原子)含量可為10％至100％Al，其余為Ga，并且靠近溝道膜244的緩沖膜242中的陽離子含量可為0％至50％Al，其余為Ga。緩沖膜242的厚度可取決于所設(shè)計(jì)的電路的漏極至源極電壓(V_DS)。在實(shí)施例中，緩沖膜242具有在大約1微米至5微米范圍內(nèi)的厚度。如果電子器件被設(shè)計(jì)成在非常高的電壓下操作，則緩沖膜242可比5微米厚。

溝道膜244可包含III-V半導(dǎo)體材料，并且在實(shí)施例中，可為III-N材料。在具體實(shí)施例中，溝道膜244包含單晶GaN。溝道膜244可具有在大約20nm至4000nm范圍內(nèi)的厚度。阻擋膜246可用于幫助減小污染物或其他材料在阻擋膜246和柵極介電層260下面的一個(gè)或多個(gè)膜之間遷移的可能性。在具體實(shí)施例中，阻擋膜246可包含AlGaN，其中陽離子含量為5％至30％鋁，其余為鎵。阻擋層246可具有在大約2至30nm范圍內(nèi)的厚度。在另一個(gè)實(shí)施例中，在阻擋層246與溝道層244之間存在薄隔層。隔層在0.5nm與2nm之間。隔層的Al含量在80重量％與100重量％之間。

半導(dǎo)體層使用外延生長技術(shù)形成。在具體實(shí)施例中，含金屬膜可使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，可使用半導(dǎo)體層的不同組成，如InAlGaN、InP等。

介電層260包含膜，膜中的一者或多者可為雙向HEMT的柵極電介質(zhì)。柵極電介質(zhì)可包括寬能隙高介電常數(shù)(“高k”)材料，或它們的任意組合。高k值可允許較高柵極過載。高k材料具有與通過原子層沉積形成的Al₂O₃類似或一樣好的質(zhì)量。此類高k材料還具有對(duì)氮化硅的高蝕刻選擇性，因此在蝕刻包含氮化硅的上覆層時(shí)其可另外充當(dāng)蝕刻阻擋件。因此，高k材料有助于增加蝕刻再現(xiàn)性和可重復(fù)性以改善器件的可制造性并且另外改善被形成的晶體管的性能。柵極介電層260可包括氮化硅膜和AlN膜。氮化硅膜可具有在大約5nm至60nm范圍內(nèi)的厚度，并且AlN氮化物膜可具有在大約1nm至20nm范圍內(nèi)的厚度。在另一個(gè)實(shí)施例中，柵極介電層260可包括更少或更多膜，所述膜具有如上所述的相同或不同組成。柵極介電層260可具有氮化物氮化物鍵合，該鍵合位于氮化硅膜與AlN膜之間并且減少氮化硅/AlN界面處的界面態(tài)形成，這可改善分散/電流崩塌相關(guān)的現(xiàn)象?？赏ㄟ^在氧化環(huán)境中(諸如O₂、N₂O等)氧化AlN膜的一部分來形成任選的Al₂O₃膜(未示出)。

介電層260還可包括可用于保護(hù)柵極電介質(zhì)的封蓋膜。封蓋膜可包含氮化硅并且具有在大約20nm至500nm范圍內(nèi)的厚度。柵極電介質(zhì)和封蓋膜可使用化學(xué)氣相技術(shù)或物理氣相技術(shù)形成。

在實(shí)施例中，可形成成核層220、半導(dǎo)體層以及介電層260，而不將工件暴露于空氣或另一種含氧氣體。因此，可形成層和膜而在層和膜中的任一者之間的界面處不存在氧化物。在另一個(gè)實(shí)施例中，可在形成膜或?qū)又械娜魏我徽呋蚨嗾咧g將工件暴露于空氣。如果在成品的器件中不保留界面氧化物，則界面氧化物可在還原環(huán)境中進(jìn)行還原或蝕刻，例如，背部濺射，以在形成后續(xù)層或膜之前移除界面氧化物。在又一個(gè)實(shí)施例中，可形成并保留氧化膜。例如，在形成柵極電介質(zhì)之后，可在形成封蓋膜之前將工件暴露于空氣。

圖2還包括源極/漏極電極272、柵極電極276和柵極電極277、漏極/源極電極274、屏蔽結(jié)構(gòu)282和284、層間介電(ILD)層270和280，以及鈍化層290。在形成介電層260的一部分之后，可將阻擋膜246和介電層260的各部分圖案化以限定開口，并且在開口內(nèi)形成漏極/源極電極272和源極/漏極電極274。漏極/源極電極272和源極/漏極電極274可包括導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層具有一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電材料膜。導(dǎo)電層為至少50重量％的鋁、銅、貴金屬或者前述任一項(xiàng)的合金。在另一個(gè)實(shí)施例中，漏極/源極電極272和源極/漏極電極274可覆蓋在阻擋膜246上面并且不延伸到阻擋膜246內(nèi)。

在形成介電層260的其余部分之后，可將介電層260的各部分圖案化以限定開口，并且形成作為屏蔽結(jié)構(gòu)282和284、柵極電極276以及柵極電極277的一部分的互連件?；ミB件覆蓋在漏極/源極電極272和源極/漏極電極274上面并且與之連接。柵極電極276和277中的每一者具有階梯結(jié)構(gòu)，其中最靠近溝道膜244的一部分為晶體管的柵極，并且在較高高度下并側(cè)向延伸的部分提供屏蔽幫助以減小柵極電容。具體地講，柵極電極276的屏蔽部分朝源極/漏極電極274側(cè)向延伸并且有助于減小柵極電極276與源極/漏極電極274之間的電容。相似地，柵極電極277的屏蔽部分朝漏極/源極電極272側(cè)向延伸并且有助于減小柵極電極277與漏極/源極電極272之間的電容。

互連件以及柵極電極276和277可由導(dǎo)電層形成，該導(dǎo)電層可包括一個(gè)或多個(gè)膜。在實(shí)施例中，導(dǎo)電層包括導(dǎo)電膜，與導(dǎo)電層中的任何其他導(dǎo)電膜相比較，所述導(dǎo)電膜更靠近半導(dǎo)體層。導(dǎo)電層具有這樣的組成，所述組成被選擇成為被形成的晶體管提供適當(dāng)?shù)墓瘮?shù)。導(dǎo)電層可包含Ti、TiN、Al、Pd、Pt、W、Au、Ni或者它們的任意組合的堆疊，并且具有50nm至200nm范圍內(nèi)的厚度。導(dǎo)電層還可包括另一個(gè)導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜比更靠近半導(dǎo)體層的導(dǎo)電膜更具導(dǎo)電性。這一其他導(dǎo)電膜可包含至少50重量％的鋁、銅、貴金屬或者前述任一項(xiàng)的合金。

隨后形成ILD層270和280以及屏蔽結(jié)構(gòu)282和284的其余部分。ILD層270和280中的每一者可包括一個(gè)或多個(gè)氧化物膜、氮化物膜或氮氧化物膜，并且在具體實(shí)施例中為氮化硅膜。ILD層270和280中的每一者具有在0.1微米至4微米范圍內(nèi)的厚度。

屏蔽結(jié)構(gòu)的各部分在ILD層270和280中的每一者之前或之后形成。側(cè)向延伸部分2821和2841在形成ILD層270之后并且在形成ILD層280之前形成，并且側(cè)向延伸部分2822和2842在形成ILD層270和280之后形成。在實(shí)施例中，側(cè)向延伸部分2821和2841可在相同互連層面下形成，并且側(cè)向延伸部分2822和2842可在不同互連層面下形成。屏蔽結(jié)構(gòu)282，包括部分2821和2822，電連接到漏極/源極電極272，并且屏蔽結(jié)構(gòu)284，包括部分2841和2842，電連接到源極/漏極電極274。

側(cè)向延伸部分2821、2822、2841和2842有助于減小柵極至源極/漏極電容(柵極電極276與源極/漏極電極274和屏蔽結(jié)構(gòu)284的組合之間)和柵極至漏極/源極電容(柵極電極277與漏極/源極電極272和屏蔽結(jié)構(gòu)282的組合之間)。對(duì)于屏蔽結(jié)構(gòu)282而言，側(cè)向延伸部分2821在柵極電極276上方側(cè)向延伸到與柵極電極276相比較更靠近源極/漏極電極274的位置，并且側(cè)向延伸部分2822在柵極電極276和部分2821上方側(cè)向延伸到與柵極電極276和部分2821相比較側(cè)向更靠近源極/漏極電極274的位置。對(duì)于屏蔽結(jié)構(gòu)284而言，側(cè)向延伸部分2841在柵極電極277上方側(cè)向延伸到與柵極電極277相比較更靠近漏極/源極電極272的位置，并且側(cè)向延伸部分2842在柵極電極277和部分2841上方側(cè)向延伸到與柵極電極277和部分2841相比較側(cè)向更靠近漏極/源極電極272的位置。

屏蔽結(jié)構(gòu)282和284的剩余部分，包括部分2821、2822、2841和2842，可包括如此前相對(duì)于漏極/源極電極272和源極/漏極電極274所述的材料中的任何一者。如相互比較或者與電極272和274相比較，屏蔽結(jié)構(gòu)282和284可具有相同組成或不同組成。

鈍化層290可形成在ILD層280以及屏蔽結(jié)構(gòu)282和284上方。鈍化層可包括一個(gè)或多個(gè)氮化物膜或氮氧化物膜，并且可包括一個(gè)或多個(gè)氧化物膜。

圖3包括根據(jù)可供選擇的實(shí)施例的電子器件的剖視圖。與圖2相比較，圖3更準(zhǔn)確示出了將看到的結(jié)構(gòu)特征和高度差值。圖3的實(shí)施例與圖2中示出的實(shí)施例類似但相對(duì)于圖2中示出的實(shí)施例具有至少一個(gè)顯著的差異。如圖3所示，屏蔽結(jié)構(gòu)382和384包括側(cè)向延伸部分3821和3841，所述部分被圖案化，使得開口分別覆蓋在柵極電極276和277上面。部分3821和3841在圖3中未示出的位置處分別連接至屏蔽結(jié)構(gòu)382和384的其余部分。在實(shí)施例中，柵極電極276的至多90％、至多50％或至少40％由側(cè)向延伸部分3821覆蓋。在另一個(gè)實(shí)施例中，柵極電極277的至多90％、至多50％或至少40％由側(cè)向延伸部分3841覆蓋。側(cè)向延伸部分3822和3842與相對(duì)于圖2所述的側(cè)向延伸部分2822和2842類似。與圖2的實(shí)施例相比較，部分3821和3841中的開口有助于減小柵極至漏極/源極電容(柵極電極276與漏極/源極電極272和屏蔽結(jié)構(gòu)282的組合之間)和柵極至源極/漏極電容(柵極電極277同樣源極/漏極電極274和屏蔽結(jié)構(gòu)284的組合之間)。屏蔽結(jié)構(gòu)382和384可包括此前相對(duì)于屏蔽結(jié)構(gòu)282和284所述的材料中的任何一者。

圖4包括電路400的示意圖，該電路400包括雙向HEMT 430以及開關(guān)晶體管420和440。開關(guān)晶體管420的漏極/源極耦接到漏極/源極端子422，并且開關(guān)晶體管420的源極/漏極耦接到雙向HEMT 430的漏極/源極。雙向HEMT 430的源極/漏極耦接到開關(guān)晶體管440的漏極/源極，并且開關(guān)晶體管440的源極/漏極耦接到源極/漏極端子444。雙向HEMT 430的柵極中的一者耦接到開關(guān)晶體管420的漏極/源極，并且雙向HEMT 430的另一柵極耦接到開關(guān)晶體管440的源極/漏極。開關(guān)晶體管420的柵極耦接到柵極端子426，并且開關(guān)晶體管440的柵極耦接到柵極端子447。雙向HEMT 430在耦接到襯底端子438的管芯襯底內(nèi)或上方。在具體實(shí)施例中，耦接中的每一者均可為電連接。

在實(shí)施例中，開關(guān)晶體管420和440可為增強(qiáng)型晶體管，并且在另一個(gè)實(shí)施例中，開關(guān)晶體管420和440可為耗盡型晶體管。開關(guān)晶體管420和440可與雙向HEMT 430為相同管芯的部分，或者開關(guān)晶體管420和440以及雙向HEMT 430可在不同管芯上。開關(guān)晶體管420和440可為Si金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)或者可包括化合物半導(dǎo)體材料(如，SiC；Al_(1-x)Ga_xN，其中0≤x≤1；GaAs；InP等)。

圖5包括電子器件500的剖視圖，該電子器件500包括相同管芯上的晶體管420、430和440。如圖5的實(shí)施例中所示的層和組合物可與此前相對(duì)于圖3的實(shí)施例所述的相同。因此，層的圖案化為圖3和圖5的實(shí)施例之間的差異。開關(guān)柵極電極572為開關(guān)晶體管420的柵極，阻擋柵極電極576為雙向HEMT 430的柵極中的一者，阻擋柵極電極577為雙向HEMT 430的另一柵極，并且開關(guān)柵極電極574為開關(guān)晶體管440的柵極。電流的方向由開關(guān)晶體管420和440經(jīng)由開關(guān)柵極電極572和574進(jìn)行控制。阻擋柵極電極576允許在開關(guān)柵極電極572與漏極/源極電極272之間的電壓差值在5V至30V范圍內(nèi)時(shí)打開開關(guān)晶體管420。相似地，阻擋柵極電極577允許在開關(guān)柵極電極574與漏極/源極電極274之間的電壓差值在5V至30V范圍內(nèi)時(shí)打開開關(guān)晶體管440。

屏蔽結(jié)構(gòu)582和584包括側(cè)向延伸部分5821、5822、5841和5842。側(cè)向延伸部分5821覆蓋在開關(guān)柵極電極572上面并且與阻擋柵極電極576建立物理接觸和電接觸。側(cè)向延伸部分5841覆蓋在開關(guān)柵極電極574上面并且與阻擋柵極電極577建立物理接觸和電接觸。在另一個(gè)實(shí)施例中，側(cè)向延伸部分5821和5841中的一者或兩者可在其對(duì)應(yīng)開關(guān)柵極電極572或574上方包括開口以減小此類開關(guān)柵極電極的柵極電容，并且可允許對(duì)應(yīng)開關(guān)晶體管的更快開關(guān)速度。側(cè)向延伸部分5822和5842比其下面的側(cè)向延伸部分5821和5841進(jìn)一步側(cè)向延伸。

圖6包括電子器件600的剖視圖，該電子器件600包括相同管芯上的晶體管420、430和440。電子器件600包括另外的電極和屏蔽結(jié)構(gòu)。在圖6的中心附近示出的結(jié)構(gòu)為雙向HEMT 430的部分并且此類結(jié)構(gòu)相對(duì)于圖2有所描述。圖6的左手側(cè)附近的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于開關(guān)晶體管420，并且右手側(cè)附近的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于開關(guān)晶體管440。

開關(guān)柵極電極672為開關(guān)晶體管420的柵極，阻擋柵極電極276為雙向HEMT 330的柵極中的一者，阻擋柵極電極277為雙向HEMT 330的另一柵極，并且開關(guān)柵極電極674為開關(guān)晶體管440的柵極。電流的方向由開關(guān)晶體管420和440經(jīng)由開關(guān)柵極電極672和674進(jìn)行控制。阻擋柵極電極676允許在開關(guān)柵極電極672與漏極/源極電極272之間的電壓差值在5V至30V范圍內(nèi)時(shí)打開開關(guān)晶體管420。相似地，阻擋柵極電極677允許在開關(guān)柵極電極674與漏極/源極電極274之間的電壓差值在5V至30V范圍內(nèi)時(shí)打開開關(guān)晶體管440。

p型III-V半導(dǎo)體層670設(shè)置在柵極電極676和677與阻擋膜246之間。圖6的實(shí)施例中的開關(guān)晶體管420和440為增強(qiáng)型晶體管。層670可包括Al_(1-y)Ga_yN層，其中0<y≤1并且載體雜質(zhì)為C、Mg或Si。

電極672和674分別為電路400的漏極/源極和源極/漏極。電極672和674可包括此前相對(duì)于電極272和274所述的材料中的任何一者。電極272為開關(guān)晶體管420的源極/漏極和雙向HEMT 430的漏極/源極，并且電極274為雙向HEMT 430的源極/漏極電極和開關(guān)晶體管440的漏極/源極。在實(shí)施例中，漏極/源極電極272和672以及源極/漏極電極274和674可具有相同的組成并且可在相同工藝步驟期間形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，與電極272和274相比較，電極672和674可具有不同的組成或者在單獨(dú)的時(shí)間形成。

屏蔽結(jié)構(gòu)682和684的物理設(shè)計(jì)可與屏蔽結(jié)構(gòu)282和284不同或相同。在如圖6所示的實(shí)施例中，屏蔽結(jié)構(gòu)682和684不同于屏蔽結(jié)構(gòu)282和284。具體地講，屏蔽結(jié)構(gòu)682和684具有在柵極電極676和677上方的側(cè)向延伸部分6822和6842，其中側(cè)向延伸部分6822和6842與屏蔽結(jié)構(gòu)282和284的側(cè)向延伸部分2822和2842處于相同互連層面。然而，屏蔽結(jié)構(gòu)682和684不具有與屏蔽結(jié)構(gòu)282和284的側(cè)向延伸部分2821和2841處于相同互連層面的側(cè)向延伸部分。參見屏蔽結(jié)構(gòu)682和684，與其中屏蔽結(jié)構(gòu)682和684具有與屏蔽結(jié)構(gòu)282和284相同的物理設(shè)計(jì)的不同實(shí)施例相比較，不存在與側(cè)向延伸部分2821和2841處于相同互連層面的側(cè)向延伸部分有助于減小柵極至漏極/源極電容(柵極電極676與漏極/源極電極672和屏蔽結(jié)構(gòu)682的組合之間)和柵極至源極/漏極電容(柵極電極677與源極/漏極電極674和屏蔽結(jié)構(gòu)684的組合之間)。

屏蔽結(jié)構(gòu)682和684可包括如此前相對(duì)于屏蔽結(jié)構(gòu)282和284所述的材料中的任何一者。在實(shí)施例中，屏蔽結(jié)構(gòu)282、284、682和684可具有相同的組成并且可在相同工藝步驟期間形成。在另一個(gè)實(shí)施例中，與屏蔽結(jié)構(gòu)272和274相比較，屏蔽結(jié)構(gòu)682和684可具有不同的組成或者在單獨(dú)的時(shí)間形成。

如此前所述，晶體管可為耗盡型晶體管或增強(qiáng)型晶體管。圖2和圖3的實(shí)施例中所示的雙向HEMT以及圖5中所示的開關(guān)晶體管為耗盡型晶體管。可通過使位于柵極電極276、277、572和574下方的阻擋層246完全或局部凹陷并且在阻擋膜246與柵極電極276、277、572和574之間形成介電膜來將晶體管改變?yōu)樵鰪?qiáng)型晶體管。在另一個(gè)實(shí)施例中，可通過在阻擋膜246與柵極電極276、277、572和574之間形成p型III-V半導(dǎo)體層將晶體管改變?yōu)樵鰪?qiáng)型晶體管?？赏ㄟ^移除層670將圖6的實(shí)施例中的開關(guān)晶體管改變?yōu)楹谋M型晶體管。

在另一個(gè)可供選擇的實(shí)施例中，圖3中的側(cè)向延伸部分3821和3841中的開口可與側(cè)向延伸部分3822和3842或者與其他實(shí)施例中的屏蔽結(jié)構(gòu)的其他側(cè)向延伸部分中的任何一者一起使用，諸如圖2、圖5和圖6中所示的那些。開口可減小電容耦合并且允許更快開關(guān)速度。相似地，參見圖6中的屏蔽結(jié)構(gòu)682和684，不含與側(cè)向延伸部分2821和2841處于相同互連層面的側(cè)向延伸部分允許柵極電極676與屏蔽結(jié)構(gòu)682之間以及柵極電極677與屏蔽結(jié)構(gòu)684之間的較小電容耦合。另外，柵極電極和屏蔽結(jié)構(gòu)的屏蔽部分還有助于減小與雙向HEMT、電路或兩者的相反電極的電容耦合，并且因此可允許更快開關(guān)速度。

本文所述的實(shí)施例允許各種構(gòu)造和電路中的雙向HEMT。在實(shí)施例中，電路可包括集成在相同管芯中的開關(guān)晶體管。電路可由開關(guān)晶體管的柵極進(jìn)行控制，所述柵極未電連接到雙向HEMT的阻擋電極。因此，用于開關(guān)晶體管的柵極電極的電壓范圍可在較小電壓范圍內(nèi)操作。屏蔽結(jié)構(gòu)可具有不同物理設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)允許設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)電路時(shí)更靈活，并且可允許電路在更快開關(guān)速度下操作。

許多不同的方面和實(shí)施例是可能的。那些方面和實(shí)施例中的一些在下文進(jìn)行描述。在閱讀本說明書后，技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，那些方面和實(shí)施例僅為示例性的，而不限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例可根據(jù)如下所列的實(shí)施例中的任一個(gè)或多個(gè)。

實(shí)施例1。一種包括雙向HEMT的電子器件，該電子器件包括：

第一漏極/源極電極；

第一源極/漏極電極；

耦接到第一漏極/源極電極的第一阻擋柵極電極；

設(shè)置在第一漏極/源極電極與第一阻擋柵極電極之間的第一開關(guān)柵極電極，其中第一開關(guān)柵極電極未電連接到第一阻擋柵極電極；

耦接到第一源極/漏極電極的第二阻擋柵極電極；以及

設(shè)置在第一源極/漏極電極與第二阻擋柵極電極之間的第二開關(guān)柵極電極，其中第二開關(guān)柵極電極未電連接到第二阻擋柵極電極，

其中第一阻擋柵極電極、第一開關(guān)柵極電極、第二阻擋柵極電極和第二開關(guān)柵極電極位于相同管芯上。

實(shí)施例2。實(shí)施例1的電子器件，該電子器件還包括第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到第一漏極/源極電極并且包括第一部分，該第一部分限定覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面的第一開口。

實(shí)施例3。實(shí)施例2的電子器件，其中：

第一屏蔽結(jié)構(gòu)還包括覆蓋在第一部分上面的第二部分、第一部分內(nèi)的第一開口以及第一開關(guān)柵極電極；并且

第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到第一阻擋柵極電極。

實(shí)施例4。實(shí)施例1的電子器件，該電子器件還包括第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到第一漏極/源極電極并且包括：

第一側(cè)向延伸部分，該第一側(cè)向延伸部分為第一互連層面的一部分并且覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面，并且與第一開關(guān)柵極電極相比較，第一側(cè)向延伸部分在第一側(cè)向方向上更靠近第一源極/漏極電極延伸；以及

第二側(cè)向延伸部分，該第二側(cè)向延伸部分為覆蓋在第一互連層面上面的第二互連層面的一部分，其中第二側(cè)向延伸部分覆蓋在第一開關(guān)柵極電極和第一側(cè)向延伸部分上面，并且與第一開關(guān)柵極電極和第一側(cè)向延伸部分相比較，第二側(cè)向延伸部分在第一側(cè)向方向上更靠近第一源極/漏極電極延伸。

實(shí)施例5。實(shí)施例4的電子器件，其中第一屏蔽結(jié)構(gòu)的第一側(cè)向延伸部分電連接到第一阻擋柵極電極。

實(shí)施例6。實(shí)施例1的電子器件，該電子器件還包括：

設(shè)置在第一阻擋柵極電極與第一開關(guān)柵極電極之間的第二漏極/源極電極；以及

設(shè)置在第二阻擋柵極電極與第二開關(guān)柵極電極之間的第二源極/漏極電極。

實(shí)施例7。實(shí)施例6的電子器件，該電子器件還包括耦接到第一漏極/源極電極的第一屏蔽結(jié)構(gòu)；以及耦接到第二漏極/源極電極的第二屏蔽結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例8。實(shí)施例7的電子器件，其中：

第二屏蔽結(jié)構(gòu)包括：

第一側(cè)向延伸部分，該第一側(cè)向延伸部分覆蓋在第一阻擋柵極電極上面并且為第一互連層面的一部分；以及

第二側(cè)向延伸部分，該第二側(cè)向延伸部分覆蓋在第一阻擋柵極電極和第一側(cè)向延伸部分上面，其中第二側(cè)向延伸部分為第二互連層面的一部分；并且

第一屏蔽結(jié)構(gòu)包括側(cè)向延伸部分，該側(cè)向延伸部分覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面并且為第二互連層面的一部分，其中第一屏蔽結(jié)構(gòu)不包括在第一開關(guān)柵極電極上方延伸的第一互連層面處的側(cè)向延伸部分。

實(shí)施例9。實(shí)施例1的電子器件，其中第一開關(guān)柵極電極為第一開關(guān)晶體管的一部分，并且第二開關(guān)柵極電極為第二開關(guān)晶體管的一部分，其中第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管為耗盡型晶體管。

實(shí)施例10。實(shí)施例1的電子器件，其中第一開關(guān)柵極電極為第一開關(guān)晶體管的一部分，并且第二開關(guān)柵極電極為第二開關(guān)晶體管的一部分，其中第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管為增強(qiáng)型晶體管。

實(shí)施例11。一種包括雙向HEMT結(jié)構(gòu)的電子器件，該電子器件包括：

漏極/源極電極；

源極/漏極電極；

相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的第一柵極電極；

第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到漏極/源極電極并且包括第一側(cè)向延伸部分，其中：

第一側(cè)向延伸部分為覆蓋在第一柵極電極上面的第一互連層面的一部分；并且

與第一柵極電極相比較，第一側(cè)向延伸部分在水平方向上更靠近源極/漏極電極延伸；

相比于漏極/源極電極更靠近源極/漏極電極的第二柵極電極；以及

第二屏蔽結(jié)構(gòu)，該第二屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到源極/漏極電極并且包括第二側(cè)向延伸部分，其中：

第二側(cè)向延伸部分為覆蓋在第二柵極電極上面的不同互連層面的一部分；并且

與第二柵極電極相比較，第二側(cè)向延伸部分在水平方向上更靠近漏極/源極電極延伸。

實(shí)施例12。實(shí)施例11的電子器件，該電子器件還包括電連接到第一屏蔽結(jié)構(gòu)的第一阻擋柵極電極；以及電連接到第二屏蔽結(jié)構(gòu)的第二阻擋柵極電極。

實(shí)施例13。實(shí)施例11的電子器件，其中第一柵極電極為第一開關(guān)柵極電極，并且未電連接到第一屏蔽結(jié)構(gòu)以及未電連接到第二屏蔽結(jié)構(gòu)；并且第二柵極電極為第二開關(guān)柵極電極，并且未電連接到第一屏蔽結(jié)構(gòu)以及未電連接到第二屏蔽結(jié)構(gòu)。

實(shí)施例14。實(shí)施例13的電子器件，其中第一開關(guān)柵極電極為第一開關(guān)晶體管的一部分，并且第二開關(guān)柵極電極為第二開關(guān)晶體管的一部分，其中第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管為耗盡型晶體管。

實(shí)施例15。實(shí)施例13的電子器件，其中第一開關(guān)柵極電極為第一開關(guān)晶體管的一部分，并且第二開關(guān)柵極電極為第二開關(guān)晶體管的一部分，其中第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管為增強(qiáng)型晶體管。

實(shí)施例16。一種包括HEMT結(jié)構(gòu)的電子器件，該電子器件包括：

漏極/源極電極；

源極/漏極電極；

相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的第一柵極電極；以及

第一屏蔽結(jié)構(gòu)，該第一屏蔽結(jié)構(gòu)電連接到漏極/源極電極并且包括第一部分，該第一部分限定覆蓋在第一開關(guān)柵極電極上面的第一開口。

實(shí)施例17。實(shí)施例16的電子器件，該電子器件還包括第一開關(guān)柵極電極，其中第一柵極電極為電連接到第一屏蔽結(jié)構(gòu)的第一阻擋柵極電極。

實(shí)施例18。實(shí)施例17的電子器件，該電子器件還包括第二開關(guān)柵極電極、第二阻擋柵極電極和第二屏蔽結(jié)構(gòu)，其中：

第一開關(guān)柵極電極設(shè)置在漏極/源極電極與第一阻擋柵極電極之間；

第二開關(guān)柵極電極設(shè)置在源極/漏極電極與第二阻擋柵極電極之間；并且

第二屏蔽結(jié)構(gòu)與第一屏蔽結(jié)構(gòu)間隔開并且覆蓋在第二開關(guān)柵極電極上面。

實(shí)施例19。實(shí)施例18的電子器件，其中第一開關(guān)柵極電極為第一開關(guān)晶體管的一部分，并且第二開關(guān)柵極電極為第二開關(guān)晶體管的一部分，其中第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管為耗盡型晶體管。

實(shí)施例20。實(shí)施例18的電子器件，其中第一開關(guān)柵極電極為第一開關(guān)晶體管的一部分，并且第二開關(guān)柵極電極為第二開關(guān)晶體管的一部分，其中第一開關(guān)晶體管和第二開關(guān)晶體管為增強(qiáng)型晶體管。

注意，并不需要上文在一般性說明或例子中所述的所有活動(dòng)，某一具體活動(dòng)的一部分可能不需要，并且除了所述的那些之外還可能執(zhí)行一項(xiàng)或多項(xiàng)另外的活動(dòng)。還有，列出的活動(dòng)所按的順序不一定是執(zhí)行所述活動(dòng)的順序。

上文已經(jīng)關(guān)于具體實(shí)施例描述了有益效果、其他優(yōu)點(diǎn)和問題解決方案。然而，這些有益效果、優(yōu)點(diǎn)、問題解決方案，以及可導(dǎo)致任何有益效果、優(yōu)點(diǎn)或解決方案出現(xiàn)或變得更明顯的任何特征都不應(yīng)被解釋為是任何或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵、需要或必要特征。

本文描述的實(shí)施例的說明書和圖示旨在提供對(duì)各種實(shí)施例的結(jié)構(gòu)的一般性理解。說明書和圖示并非旨在用作對(duì)使用本文所述的結(jié)構(gòu)或方法的設(shè)備及系統(tǒng)的所有要素和特征的窮盡性及全面性描述。為了清楚起見在本文的單獨(dú)實(shí)施例的背景下描述的某些特征也可以按組合方式在單個(gè)實(shí)施例中提供。相反，為了簡便起見而在單個(gè)實(shí)施例的背景下描述的各種特征也可以單獨(dú)地或以任何子組合的方式提供。此外，對(duì)表示為范圍的值的提及包括在該范圍內(nèi)的所有值。許多其他實(shí)施例僅對(duì)閱讀了本說明書之后的技術(shù)人員是顯而易見的。因此，本公開應(yīng)當(dāng)被看作是示例性的，而非限制性的。