技術(shù)編號(hào):12451101
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開(kāi)涉及電子器件,并且更具體地講,涉及包括高電子遷移率晶體管(HEMT)或雙向高電子遷移率晶體管的電子器件。背景技術(shù)高電子遷移率晶體管(HEMT),并且具體地講GaN晶體管,因其在相對(duì)高溫下承載大量電流的能力而被使用。包括雙向HEMT的電子器件具有一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。需要對(duì)包括雙向HEMT的電子器件進(jìn)行進(jìn)一步改進(jìn)。實(shí)用新型內(nèi)容根據(jù)實(shí)用新型的一個(gè)方面,提供了包括HEMT結(jié)構(gòu)的電子器件,該電子器件包括漏極/源極電極、源極/漏極電極、相比于源極/漏極電極更靠近漏極/源極電極的第一柵極電極以及第一屏蔽結(jié)構(gòu)...
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