1.一種背結(jié)背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：
基片；
復(fù)合在所述基片前表面的絕緣介質(zhì)層；
復(fù)合在所述絕緣介質(zhì)層上的摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層；
復(fù)合在所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層上的減反射層；
所述基片前表面、所述絕緣介質(zhì)層、所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層和所述減反射層具有陷光結(jié)構(gòu)；
復(fù)合在所述基片背表面的復(fù)合層；
復(fù)合在所述復(fù)合層表面的電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片背表面的復(fù)合層包括P型摻雜區(qū)、N型摻雜區(qū)、背面鈍化層；
所述電極包括正電極和負(fù)電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)相鄰交替復(fù)合在所述基片背表面，和/或所述P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)相隔交替刻蝕在所述基片背表面；
所述P型摻雜區(qū)和N型摻雜區(qū)之間的相隔處為基片，所述基片的表面復(fù)合有背面鈍化層；
所述P型摻雜區(qū)表面的一部分接觸所述正電極，所述P型摻雜區(qū)表面的其余部分復(fù)合有背面鈍化層；
所述N型摻雜區(qū)表面的一部分接觸所述負(fù)電極，所述N型摻雜區(qū)表面的其余部分復(fù)合有背面鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片背表面具有溝道，所述溝道的底面復(fù)合有N型摻雜區(qū)，所述溝道的側(cè)面復(fù)合有背面鈍化層；
所述N型摻雜區(qū)表面的一部分接觸所述負(fù)電極，所述N型摻雜區(qū)表面的其余部分復(fù)合有背面鈍化層；
所述基片背表面的其余部分復(fù)合有P型摻雜區(qū)；
所述P型摻雜區(qū)表面的一部分接觸所述正電極，所述P型摻雜區(qū)表面的其余部分復(fù)合有背面鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，所述減反射層的材質(zhì)為透光材料，包括氮化硅、ITO、氧化硅和氧化鈦中的一種或多種；
所述減反射層的厚度為10～100nm；
所述背面鈍化層包括氧化硅層、氮化硅層和碳化硅層中的一種或多種；
所述背面鈍化層的厚度為10～100nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片的材質(zhì)包括硅材料；
所述硅材料包括單晶硅、多晶硅和硅薄膜中的一種或多種；
所述基片的厚度為100～300μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片的材質(zhì)包括摻雜的硅材料；
所述摻雜的硅材料為硼、磷、鎵和砷中的一種或多種摻雜的硅材料；
所述基片的摻雜類型為N型或P型，且所述基片的摻雜類型與所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的摻雜類型相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，所述基片的摻雜類型與所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的摻雜類型同為N型時，所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的摻雜濃度的條件為：
使得摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的費米能級高于所述基片的費米能級；
所述基片的摻雜類型與所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的摻雜類型同為P型時，所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的摻雜濃度的條件為：
使得摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的費米能級低于所述基片的費米能級。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述絕緣介質(zhì)層的材質(zhì)為絕緣材料；
所述絕緣材料包括氧化硅、氧化鋁和氮化硅中的一種或多種；
所述絕緣介質(zhì)層的厚度為0.2～50nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的材質(zhì)為硼、磷、鎵和砷中的一種或多種摻雜的半導(dǎo)體材料；
所述半導(dǎo)體材料包括多晶硅、微晶硅和非晶硅中的一種或多種；
所述摻雜半導(dǎo)體導(dǎo)電層的厚度為2nm～1μm。