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一種OLED器件及其制作方法與流程

文檔序號:12066186閱讀:532來源:國知局
一種OLED器件及其制作方法與流程

本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體地講,涉及一種OLED器件及其制作方法。



背景技術(shù):

目前,在照明和顯示領(lǐng)域中,有機電致發(fā)光器件(OLED器件)由于其諸如低啟動電壓,輕薄,自發(fā)光等自身的特點,而被廣泛地應用于開發(fā)照明產(chǎn)品以及面板行業(yè)中,以達到低能耗、輕薄和面光源等需求。

OLED器件發(fā)光的原理主要為通過激子的復合,然后從發(fā)光層出射到空氣中。目前OLED器件主要通過蒸鍍法制備,材料利用率較低,成本較高,且重現(xiàn)性較差,因此,產(chǎn)品良率一直得不到提升;而且,在由OLED器件組成的柔性器件中,OLED器件的彎折很容易使成膜材料受損,導致發(fā)光效率降低或者器件失效。因此,蒸鍍法對于未來的OLED器件發(fā)展具有一定的局限性。

溶液法是目前主要研究的一種器件制備方法,其中主要為旋涂法,即將材料配置成溶液進行旋涂;但是旋涂法利用率依然較低,通過旋涂操作,大部分材料溶液會因此旋轉(zhuǎn)而分離至器件外面,導致此部分材料溶液不能利用,且旋涂法的膜厚控制較難,主要表現(xiàn)為中心膜厚與邊緣膜厚厚度差別較大,導致發(fā)光效率有差異。因此,旋涂法對于未來的OLED器件商業(yè)化也具有一定的局限性。

另外一種溶液法,則為新興的噴墨打印法(簡稱InkJet printing),該方法主要將材料滴落到像素內(nèi),材料利用率接近100%,但是由于滴落的精度較差,因此,像素密度會受到影響,從而導致該方法無法獲得具有高像素密度的OLED器件。



技術(shù)實現(xiàn)要素:

為解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題,本發(fā)明提供了一種OLED器件及其制作方法,該OLED器件通過設置限位腔并用于容納液態(tài)的發(fā)光材料,從而起到發(fā)光層的作用,可有效控制發(fā)光層的位置和厚度。

為了達到上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案:

一種OLED器件,包括基板以及依次疊層設置在所述基板上的陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子注入層和陰極;所述發(fā)光層包括夾設于所述空穴傳輸層和所述電子注入層之間的限位腔以及填充于所述限位腔內(nèi)部的液體發(fā)光材料。

進一步地,所述空穴傳輸層與所述電子注入層之間夾設有多個疊層設置的發(fā)光層。

進一步地,所述陽極在所述陰極所在的平面上的投影與所述陰極相交并形成多個交點,所述限位腔在陰極所在的平面上的投影將所述多個交點納于其間。

進一步地,所述限位腔的深度為30nm~300nm。

進一步地,所述液體發(fā)光材料為具有空穴傳輸性能或電子傳輸性能的支鏈材料。

進一步地,所述液體發(fā)光材料為咔唑類材料、或三苯胺類材料。

進一步地,所述陽極和所述陰極的材料均選自氧化銦錫、金屬電極材料中的任意一種。

進一步地,所述OLED器件還包括設置于所述陰極上的蓋板。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種如上任一所述的OLED器件的制作方法,包括步驟:A、在基板上依次疊層制作陽極和空穴傳輸層;B、在所述空穴傳輸層上制作限位腔;C、向所述限位腔內(nèi)注入液體發(fā)光材料,形成發(fā)光層;D、在所述發(fā)光層上依次疊層制作電子注入層和陰極。

進一步地,在所述空穴傳輸層上采用掩膜版進行蒸鍍來制作所述限位腔。

本發(fā)明通過在空穴傳輸層和電子注入層之間設置限位腔,并在限位腔內(nèi)注入液體發(fā)光材料,從而形成OLED器件的發(fā)光層。該發(fā)光層具有以下有益效果:(1)可以提高液體發(fā)光材料的利用率,控制最終獲得的發(fā)光層的位置和厚度;(2)發(fā)光層內(nèi)部的分子間的結(jié)構(gòu)不會因為彎折等造成失效,因此更有利于將其應用于柔性器件的制作中;(3)相比現(xiàn)有技術(shù)中的OLED器件,本發(fā)明的OLED器件中電子和空穴的傳輸均在發(fā)光層內(nèi)部完成,因此空穴和電子由于膜層缺陷造成的損失會大幅降低;這是由于膜層越多,出現(xiàn)電子缺陷的幾率越大;(4)發(fā)光層所鄰接的表面呈平整狀,使得發(fā)光層是一個整體的發(fā)光區(qū)域,對光的出射完全沒有影響,由此可以避免膜層具有凹陷對發(fā)光效率造成的消極影響;這是由于,膜層表面形成凹陷后,容納在凹陷處的液體發(fā)光材料所發(fā)光的光線會在各個凹陷中進行出射,然后發(fā)射到外部,這樣,相鄰的凹陷的發(fā)光會互相消除,還有可能由于凹陷的存在使光線發(fā)生全反射而不能出射到空氣中。因此,采用本發(fā)明的OLED器件的結(jié)構(gòu),可有效利用液體發(fā)光材料,盡可能地避免陷阱的存在,有利于提高發(fā)光效率。

附圖說明

通過結(jié)合附圖進行的以下描述,本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚,附圖中:

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例1的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖;

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例2的OLED器件的制作方法的步驟流程圖。

具體實施方式

以下,將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而,可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明,并且本發(fā)明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反,提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應用,從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。在附圖中,為了清楚起見,可以夸大元件的形狀和尺寸,并且相同的標號將始終被用于表示相同或相似的元件。

實施例1

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例1的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體參照圖1,根據(jù)本實施例的OLED器件包括基板11以及依次疊層設置在基板11上的陽極21、空穴傳輸層31、發(fā)光層4、電子注入層32和陰極22;發(fā)光層4包括夾設于空穴傳輸層31和電子注入層32之間的限位腔41以及填充于限位腔41內(nèi)部的液體發(fā)光材料42。

具體來講,陽極21和陰極22的排布方向相互交錯,且限位腔41相對的兩邊優(yōu)選將與這兩邊在同一方向上的陽極21或陰極22完全容納于之間;也就是說,陽極21在陰極22所在平面上的投影相交并且具有多個交點,而限位腔41在陰極22所在平面上的投影優(yōu)選將這些交點容納在其內(nèi)部,以使這些交點接通的電流能夠激發(fā)位于限位腔41內(nèi)部的液體發(fā)光材料42。由此,根據(jù)陰極21和陽極22的排布位置即可設置限位腔41的位置,因此可對其內(nèi)部的液體發(fā)光材料42的區(qū)域進行準確的定位。

一般地,陽極21和陰極22的排布方向相互垂直。

限位腔41的深度為30nm~300nm,由此,即可對液體發(fā)光材料42的厚度進行限定。

具體地,液體發(fā)光材料42是具有空穴傳輸性能或電子傳輸性能的支鏈材料,如咔唑類材料、或三苯胺類材料。

在本實施例中,陽極21的材料為氧化銦錫(簡稱ITO),陰極22的材料為金屬Ag;當然,陽極21的材料也可以選自其他金屬電極材料,而陰極22的材料也可以是ITO或其他金屬電極材料,此處不在贅述,本領(lǐng)域技術(shù)人員參照現(xiàn)有技術(shù)即可。

優(yōu)選地,上述OLED器件一般通過設置在陰極22上的蓋板12與基板11之間來進行和板封裝。

值得說明的是,本實施例提供的OLED器件所具有的結(jié)構(gòu),根據(jù)對發(fā)光層的不同要求,還可以設置多層發(fā)光層;也就是說,在空穴傳輸層31和電子注入層32之間設置多個依次堆疊的發(fā)光層。

本實施例通過在空穴傳輸層31和電子注入層32之間設置限位腔41,并在限位腔41內(nèi)注入液體發(fā)光材料42,從而形成OLED器件的發(fā)光層4。該發(fā)光層4一方面可以提高液體發(fā)光材料42的利用率,控制最終獲得的發(fā)光層4的位置和厚度,另一方面由于發(fā)光層4內(nèi)部的分子間的結(jié)構(gòu)不會因為彎折等造成失效,將更有利于采用該OLED器件進行柔性器件的制作。

實施例2

實施例2提供了一種如實施例1所述的OLED器件的制作方法。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例2的OLED器件的制作方法的步驟流程圖。

參照圖2,根據(jù)本實施例的OLED器件的制作方法包括下述步驟:

S1、在基板11上依次疊層制作陽極21和空穴傳輸層31。

在本實施例中,陽極21的材料為ITO,空穴傳輸層31的材料為聚3,4-乙撐二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸鹽(簡稱PEDOT/PSS)。

具體來講,在基板11上制作完成ITO涂層后,在ITO涂層上旋涂PEDOT/PSS,獲得空穴傳輸層31。

S2、在空穴傳輸層31上制作限位腔41。

采用掩膜版進行蒸鍍,在在空穴傳輸層31上制作限位腔41;該限位腔41的厚度為30nm~300nm

S3、向限位腔41內(nèi)注入液體發(fā)光材料42,形成發(fā)光層4。

液體發(fā)光材料42是具有空穴傳輸性能或電子傳輸性能的支鏈材料,如咔唑類材料、或三苯胺類材料。

S4、在發(fā)光層4上依次疊層制作電子注入層32和陰極22。

優(yōu)選地,可采用將陰極22和電子注入層32首先制作在蓋板12上,然后再將蓋板12扣合在步驟S3獲得的器件結(jié)構(gòu)上,并將蓋板12和基板11進行和板封裝即可。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明,但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解:在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下,可在此進行形式和細節(jié)上的各種變化。

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