本發(fā)明屬于鈣鈦礦成膜領(lǐng)域，尤其涉及一種錫基鈣鈦礦薄膜、制備方法及其太陽(yáng)能電池器件。
背景技術(shù)：
：隨著科技水平的進(jìn)步，人們對(duì)環(huán)境污染的問(wèn)題越來(lái)越重視。清潔能源，尤其是太陽(yáng)能日益收到青睞。鈣鈦礦太陽(yáng)能電池由于其能量轉(zhuǎn)化效率高、能大幅降低太陽(yáng)能電池的使用成本而廣受科學(xué)家和商業(yè)公司的關(guān)注。隨著研究的深入，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的效率增長(zhǎng)到了21%左右，主要得益于CH3NH3PbI3材料的高的可見(jiàn)光吸收效率、長(zhǎng)激子壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度、高雙極遷移率和低激子結(jié)合能及器件結(jié)構(gòu)和工藝的優(yōu)化。但是由于鉛元素具有較高的毒性，對(duì)于環(huán)境和人體有較大的危害，因此尋找取代元素成為一項(xiàng)新的研究課題，錫作為鉛的同族元素，具有無(wú)毒、應(yīng)用廣泛等特點(diǎn)，所以越來(lái)越多的研究人員對(duì)于錫基鈣鈦礦進(jìn)行了研究。對(duì)于錫基鈣鈦礦材料，現(xiàn)在主要存在的問(wèn)題是：錫元素的易氧化性使得其容易由+2價(jià)氧化成+4價(jià)，而錫元素的氧化會(huì)破壞材料的晶體結(jié)構(gòu)，影響其在器件中的應(yīng)用；同時(shí)錫元素在鈣鈦礦中存在一定的離子空位，這就增加了鈣鈦礦材料的載流子濃度，使得其金屬導(dǎo)電性增加，影響光生載流子的有效傳輸、轉(zhuǎn)移。為此，需要研發(fā)一種新的鈣鈦礦薄膜的制備方法，能夠抑制錫元素的氧化，降低鈣鈦礦材料的本征載流子濃度，提高有效光生載流子的數(shù)量。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，旨在解決現(xiàn)有鈣鈦礦薄膜中錫元素易氧化和本征載流子濃度高的問(wèn)題。一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，該方法包括以下步驟：步驟A：制備前驅(qū)體溶液；所述前驅(qū)體溶液系將鈣鈦礦和磷酸酯類(lèi)加入溶液中獲得，所述溶液系DMF和DMSO中的一種或兩種的混合液；步驟B：制備鈣鈦礦薄膜；所述鈣鈦礦薄膜系所述前驅(qū)體溶液經(jīng)旋涂獲得。磷酸酯類(lèi)目前主要用于pvc的阻燃增塑劑，主要品種有磷酸三甲苯酯(TCP)，磷酸三苯酯(TPP)、磷酸二苯一辛酯(DPOP)，以及新開(kāi)發(fā)的Reofos50等?？梢愿鶕?jù)需要對(duì)DMF和DMSO進(jìn)行共混，其中優(yōu)選的，DMF:DMSO=5:1。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：還包括步驟C：對(duì)步驟B獲得的所述鈣鈦礦薄膜進(jìn)行熱處理。經(jīng)過(guò)熱處理后的鈣鈦礦薄膜具有更好的性質(zhì)。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：步驟A中所述鈣鈦礦種類(lèi)為錫基有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦CH3NH3SnAxB3-x和錫基無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料CsSnAxB3-x中的一種或幾種，其中A、B=Cl、Br或I。這些材料能夠獲得性質(zhì)更好的鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：步驟A中所述鈣鈦礦的濃度為0.7-1.5M。該濃度更有利于形成性質(zhì)更好的鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：步驟A中所述磷酸酯類(lèi)為磷酸三苯酯，所述磷酸三苯酯濃度為0.01～1.0M。這種材料和濃度能夠獲得性質(zhì)更好的鈣鈦礦薄膜。磷酸三苯酯作為一種抗氧化劑材料可以在一定程度上抑制2+錫元素的氧化，同時(shí)富電子的磷元素會(huì)降低錫元素的離子空位，進(jìn)而降低鈣鈦礦材料的本征載流子濃度，提高有效光生載流子的數(shù)量，這就為獲得高效的無(wú)鉛鈣鈦礦太陽(yáng)能電池提供了基礎(chǔ)。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述步驟B中旋涂的旋轉(zhuǎn)速度為2000-5000rpm。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述步驟C中加熱溫度為75-99攝氏度。本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是：所述步驟C中加熱時(shí)間為5-10min。通過(guò)加入磷酸三苯酯可以大大縮短熱處理所需時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明的另一目的在于提供一種錫基鈣鈦礦薄膜，該錫基鈣鈦礦薄膜具有更好的光電性質(zhì)。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種錫基鈣鈦礦薄膜，由DMF和DMSO中的一種或兩種的混合液作為溶劑、鈣鈦礦和磷酸三苯酯作為溶質(zhì)組成的溶液經(jīng)旋涂并熱處理后獲得，其中所述鈣鈦礦種類(lèi)為錫基有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦CH3NH3SnAxB3-x和錫基無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料CsSnAxB3-x中的一種或幾種，其中A、B=Cl、Br或I；所述鈣鈦礦的濃度為0.7-1.5M；所述磷酸三苯酯濃度為0.01～1.0M。本發(fā)明的另一目的在于提供一種錫基鈣鈦礦薄膜的太陽(yáng)能電池器件，旨在進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池器件的轉(zhuǎn)化效率。該錫基鈣鈦礦薄膜的太陽(yáng)能電池器件包括依次相連的金屬氧化物導(dǎo)電襯底ITO層/電子傳輸層TiO2/鈣鈦礦層/空穴傳輸Spiro-OMeTAD層/金屬導(dǎo)電銀層；或是依次相連的金屬氧化物導(dǎo)電襯底ITO、空穴傳輸層PEDOT:PSS、鈣鈦礦層、電子傳輸PCBM層、金屬導(dǎo)電鋁層，所述鈣鈦礦層由之前獲得的所述錫基鈣鈦礦薄膜組成。該太陽(yáng)能電池器件可以獲得更好的性能。此外，其應(yīng)用還包含各種基于此發(fā)明的成膜方法獲得鈣鈦礦薄膜的器件，如鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、光探測(cè)器、存儲(chǔ)器等。本發(fā)明的有益效果是：本方案提供的錫基鈣鈦礦薄膜、方法及其太陽(yáng)能電池器件在錫基鈣鈦礦溶液中引入磷酸三苯酯（TPPi），在獲得得高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜的情況下同時(shí)降低了薄膜本征載流子濃度，進(jìn)而提高了光生載流子的壽命，獲得了較高效率的無(wú)鉛鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件，此外，本發(fā)明技術(shù)方案能夠在低溫、短時(shí)間內(nèi)獲得致密、均勻而又低本征載流子的半導(dǎo)體鈣鈦礦薄膜，將這些薄膜用于光電器件，可以獲得良好性能。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法的流程圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明由鈣鈦礦MASnI3（MA+=CH3NH3+）、3-CPACl（3-氯丙胺鹽酸鹽：3-ChloropropylamineHydrochloride）混合溶液制備的薄膜的SEM照片。其中41為未添加TPPi，42為添加TPPi。圖3是根據(jù)本發(fā)明由鈣鈦礦CsSnI3與TPPi混合溶液制備的薄膜的SEM照片。其中51為未添加TPPi，52為添加TPPi。圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的含有錫基鈣鈦礦薄膜的反式結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池器件的示意圖。圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的含有錫基鈣鈦礦薄膜的正式結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池器件的示意圖。圖6是本發(fā)明實(shí)例1中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下的光電J-V曲線(xiàn)。圖7是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例2中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下的光電J-V曲線(xiàn)。圖8是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例3中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下的光電J-V曲線(xiàn)。具體實(shí)施方式以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。本方案首先提供一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，該方法包括以下步驟：步驟A：制備前驅(qū)體溶液；所述前驅(qū)體溶液系將鈣鈦礦和磷酸酯類(lèi)加入溶液中獲得，所述溶液系DMF和DMSO中的一種或兩種的混合液；所述鈣鈦礦種類(lèi)為錫基有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦CH3NH3SnAxB3-x和錫基無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料CsSnAxB3-x中的一種或幾種，其中A、B=Cl、Br或I。所述鈣鈦礦的濃度為0.7-1.5M。所述磷酸酯類(lèi)為磷酸三苯酯，所述磷酸三苯酯濃度為0.01～1.0M。這些材料和濃度能夠獲得性質(zhì)更好的鈣鈦礦薄膜。磷酸酯類(lèi)目前主要用于pvc的阻燃增塑劑，主要品種有磷酸三甲苯酯(TCP)，磷酸三苯酯(TPP)、磷酸二苯一辛酯(DPOP)，以及新開(kāi)發(fā)的Reofos50等。磷酸三苯酯（下稱(chēng)TPPi）作為一種抗氧化劑材料可以在一定程度上抑制2+錫元素的氧化，同時(shí)富電子的磷元素會(huì)降低錫元素的離子空位，進(jìn)而降低鈣鈦礦材料的本征載流子濃度，提高有效光生載流子的數(shù)量，這就為獲得高效的無(wú)鉛鈣鈦礦太陽(yáng)能電池提供了基礎(chǔ)。步驟B：制備鈣鈦礦薄膜；所述鈣鈦礦薄膜系所述前驅(qū)體溶液經(jīng)旋涂獲得。其中，旋涂的旋轉(zhuǎn)速度為2000-5000rpm，旋涂時(shí)間為50-70秒?？梢愿鶕?jù)需要對(duì)DMF和DMSO進(jìn)行共混，其中優(yōu)選的，DMF:DMSO=5:1。步驟C：對(duì)步驟B獲得的所述鈣鈦礦薄膜進(jìn)行熱處理。經(jīng)過(guò)熱處理后的鈣鈦礦薄膜具有更好的性質(zhì)。其中加熱溫度為75-99攝氏度。加熱時(shí)間為5-10min。通過(guò)加入磷酸三苯酯可以大大縮短熱處理所需時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法的流程圖。其中101為不含TPPi的無(wú)鉛鈣鈦礦溶液，102為由101溶液制備的具有高的本征載流子濃度的鈣鈦礦薄膜，103為基于102薄膜制備的具有高的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池，100為向101溶液中加入TPPi，111為含TPPi的無(wú)鉛鈣鈦礦溶液，112為由101溶液制備的具有低的本征載流子濃度的鈣鈦礦薄膜，113為基于112薄膜制備的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池。本方案的另一目的在于提供一種錫基鈣鈦礦薄膜。一種錫基鈣鈦礦薄膜，由DMF和DMSO中的一種或兩種的混合液作為溶劑、鈣鈦礦和磷酸三苯酯作為溶質(zhì)組成的溶液經(jīng)旋涂并熱處理后獲得，其中所述鈣鈦礦種類(lèi)為錫基有機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦CH3NH3SnAxB3-x和錫基無(wú)機(jī)鈣鈦礦材料CsSnAxB3-x中的一種或幾種，其中A、B=Cl、Br或I；所述鈣鈦礦的濃度為0.7-1.5M；所述磷酸三苯酯濃度為0.01～1.0M。圖2是根據(jù)本發(fā)明由鈣鈦礦MASnI3（MA+=CH3NH3+）、3-CPACl（3-氯丙胺鹽酸鹽：3-ChloropropylamineHydrochloride）混合溶液制備的薄膜的SEM照片。其中41為未添加TPPi，42為添加TPPi。圖3是根據(jù)本發(fā)明由鈣鈦礦CsSnI3與TPPi混合溶液制備的薄膜的SEM照片。其中51為未添加TPPi，52為添加TPPi。表1是上述未加入/加入TPPi不同CsSnI3薄膜的載流子濃度。表1前驅(qū)體溶液薄膜載流子濃度（/cm3）CsSnI32.555×1018CsSnI3:TPPi3.407×1016通過(guò)對(duì)比發(fā)現(xiàn)加入TPPi后獲得的晶型更好。制備的薄膜的載流子濃度相差兩個(gè)數(shù)量級(jí)。性能上具有非常明顯的改變。本發(fā)明的另一目的在于提供一種錫基鈣鈦礦薄膜的太陽(yáng)能電池器件，旨在進(jìn)一步提高太陽(yáng)能電池器件的轉(zhuǎn)化效率。圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的含有錫基鈣鈦礦薄膜的反式結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池器件的示意圖。其中21為透明導(dǎo)電玻璃層，22為空穴傳輸層，23為基于圖1中的成膜方法制備的鈣鈦礦薄膜，24為電子傳輸層，25----金屬電極層。圖5是本發(fā)明實(shí)施例提供的含有錫基鈣鈦礦薄膜的正式結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池器件的示意圖。其中31為透明導(dǎo)電玻璃層，32為電子傳輸層，33為基于圖1中的成膜方法制備的鈣鈦礦薄膜，34為空穴傳輸層，35為金屬電極層。該錫基鈣鈦礦薄膜的太陽(yáng)能電池器件包括依次相連的金屬氧化物導(dǎo)電襯底ITO層/電子傳輸層TiO2/鈣鈦礦層/空穴傳輸Spiro-OMeTAD層/金屬導(dǎo)電銀層；或是依次相連的金屬氧化物導(dǎo)電襯底ITO、空穴傳輸層PEDOT:PSS、鈣鈦礦層、電子傳輸PCBM層、金屬導(dǎo)電鋁層，所述鈣鈦礦層由權(quán)利要求9中獲得的所述錫基鈣鈦礦薄膜組成。該太陽(yáng)能電池器件可以獲得更好的性能。該太陽(yáng)能電池器件可以獲得更好的性能。下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本方案。實(shí)例1（1）將TPPi、SnI2和CsI按照摩爾比0.6:1:1加入到DMF:DMSO（5:1）混合溶劑中（SnI2濃度為1M），溶液在70℃下攪拌12h。（2）將ITO分別在丙酮、ITO清洗液、去離子水和異丙醇中超聲清洗10min，烘干后使用UV-O3清洗機(jī)處理30min。將PEDOT:PSS以3500rpm，30s的旋涂工藝沉積在ITO表面，N2手套箱內(nèi)130℃處理1h。其中ITO(Indium-TinOxide)是指氧化銦錫,即氧化銦錫透明導(dǎo)電玻璃（3）將（1）中配置的鈣鈦礦溶液滴加到PEDOT:PSS表面，3000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂30s獲得鈣鈦礦薄膜；薄膜最后在90℃加熱臺(tái)上加熱10min。（4）在鈣鈦礦薄膜上以1500rpm、30s的旋涂工藝沉積PCBM薄膜。最后在10-4Pa的真空度下熱蒸鍍100nm銀電極。（5）性能測(cè)試：制備過(guò)程結(jié)束后對(duì)有機(jī)無(wú)機(jī)雜化的全固態(tài)太陽(yáng)能電池的性能進(jìn)行測(cè)試，主要進(jìn)行電流密度-電壓（J-V）測(cè)試，曲線(xiàn)圖像為圖6所示，測(cè)試結(jié)果如表2所示。表2是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例1中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下測(cè)得的參數(shù)。表2前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)換效率(%)短路電流(mA/cm2)開(kāi)路電壓(V)填充因子CsSnI3:TPPi0.546.4440.2330.359圖6是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例1中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下的光電J-V曲線(xiàn)。其中曲線(xiàn)61為光電流曲線(xiàn)，62為暗電流曲線(xiàn)。實(shí)例2（1）將TPPi、SnI2和CsI按照摩爾比0.6:1:1加入到DMF:DMSO（5:1）混合溶劑中（SnI2濃度為1M），溶液在70℃下攪拌12h。（2）將Ti(OBu)4、無(wú)水乙醇和冰乙酸按摩爾比1:16:1.5混合，攪拌1h形成A溶液；摩爾比為1:4:0.075的蒸餾水、無(wú)水乙醇和硝酸混合，攪拌1h形成B溶液；其中A溶液的無(wú)水乙醇是B溶液的兩倍。將B溶液逐滴加入到A溶液后，繼續(xù)攪拌2h形成澄清而透明的TiO2前驅(qū)體溶膠C。（3）將FTO分別在丙酮、ITO清洗液、去離子水和異丙醇中超聲清洗10min，烘干后使用等離子清洗機(jī)處理3min。將（2）中制備的TiO2前驅(qū)體溶膠C以6000rpm，60s的旋涂工藝沉積在FTO表面，最后在馬弗爐中500℃溫度下燒結(jié)40min，獲得致密的TiO2薄膜。其中FTO(Fluorine-dopedtinoxide)是否是指摻雜氟的SnO2透明導(dǎo)電玻璃。（4）將（1）中配置的鈣鈦礦溶液滴加到TiO2薄膜表面，3000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂30s獲得鈣鈦礦薄膜；薄膜最后在90℃加熱臺(tái)上加熱10min。（5）在鈣鈦礦薄膜上以4000rpm、30s的旋涂工藝沉積Spiro-OMeTAD（1ml氯苯溶液中含72.1mg的Spiro-OMeTAD，28.8μl的4-叔丁基吡啶和9.6mg的雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰）薄膜。最后在10-4Pa的真空度下熱蒸鍍100nm銀電極。（6）性能測(cè)試：制備過(guò)程結(jié)束后對(duì)有機(jī)無(wú)機(jī)雜化的全固態(tài)太陽(yáng)能電池的性能進(jìn)行測(cè)試，主要進(jìn)行電流密度-電壓（J-V）測(cè)試，曲線(xiàn)圖像為圖7所示，測(cè)試結(jié)果如表3所示。表3是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例2中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下測(cè)得的參數(shù)。表3前驅(qū)體溶液轉(zhuǎn)換效率(%)短路電流(mA/cm2)開(kāi)路電壓(V)填充因子CsSnI3:TPPi0.5766.4180.2490.360圖7是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例2中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下的光電J-V曲線(xiàn)。實(shí)例3（1）將TPPi、3-CPACl、SnI2和CH3NH3I按照摩爾比x:0.4:1:1（x=0、0.2或0.4）加入到DMF溶劑中（SnI2濃度為1M），溶液在70℃下攪拌12h。（2）將ITO分別在丙酮、ITO清洗液、去離子水和異丙醇中超聲清洗10min，烘干后使用UV-O3清洗機(jī)處理30min。將PEDOT:PSS以3500rpm，30s的旋涂工藝沉積在ITO表面，N2手套箱內(nèi)130℃處理1h。（3）將（1）中配置的鈣鈦礦溶液滴加到PEDOT:PSS表面，3000rpm轉(zhuǎn)速下旋涂30s獲得鈣鈦礦薄膜；薄膜最后在90℃加熱臺(tái)上加熱10min。（4）在鈣鈦礦薄膜上以1500rpm、30s的旋涂工藝沉積PCBM薄膜。最后在10-4Pa的真空度下熱蒸鍍100nm銀電極。（5）性能測(cè)試：制備過(guò)程結(jié)束后對(duì)有機(jī)無(wú)機(jī)雜化的全固態(tài)太陽(yáng)能電池的性能進(jìn)行測(cè)試，主要進(jìn)行電流密度-電壓（J-V）測(cè)試，曲線(xiàn)圖像為圖8所示，測(cè)試結(jié)果如表4所示。表4是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例3中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下測(cè)得的參數(shù)。表4TPPi含量轉(zhuǎn)換效率(%)短路電流(mA/cm2)開(kāi)路電壓(V)填充因子00.0020.0970.0760.2710.2M0.0060.1470.1520.2680.4M0.0070.1030.1670.407圖8是根據(jù)本發(fā)明制備的實(shí)例3中的太陽(yáng)能電池在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光AM（1.5G）下的光電J-V曲線(xiàn)。其中曲線(xiàn)81為未添加TPPi，82為添加0.2M的TPPi，83為添加0.4M的TPPi。本方案提供的錫基鈣鈦礦薄膜、方法及其太陽(yáng)能電池器件在錫基鈣鈦礦溶液中引入磷酸三苯酯（TPPi），在獲得得高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜的情況下同時(shí)降低了薄膜本征載流子濃度，進(jìn)而提高了光生載流子的壽命，獲得了較高效率的無(wú)鉛鈣鈦礦太陽(yáng)能電池器件，此外，本發(fā)明技術(shù)方案能夠在低溫、短時(shí)間內(nèi)獲得致密、均勻而又低本征載流子的半導(dǎo)體鈣鈦礦薄膜，將這些薄膜用于光電器件，可以獲得良好性能。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。當(dāng)前第1頁(yè)1 2 3