技術(shù)特征：

1.一種錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A：制備前驅(qū)體溶液；所述前驅(qū)體溶液系將鈣鈦礦和磷酸酯類加入溶液中獲得，所述溶液系DMF和DMSO中的一種或兩種的混合液；

步驟B：制備鈣鈦礦薄膜；所述鈣鈦礦薄膜系所述前驅(qū)體溶液經(jīng)旋涂獲得。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，還包括步驟C：對步驟B獲得的所述鈣鈦礦薄膜進行熱處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述鈣鈦礦種類為錫基有機金屬鹵化物鈣鈦礦CH₃NH₃SnA_xB_3-x和錫基無機鈣鈦礦材料CsSnA_xB_3-x中的一種或幾種，其中A、B=Cl、Br或I。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述鈣鈦礦的濃度為0.7-1.5 M。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于，步驟A中所述磷酸酯類為磷酸三苯酯，所述磷酸三苯酯濃度為0.01～1.0 M。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟B中旋涂的旋轉(zhuǎn)速度為2000-5000 rpm。

7.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟C中加熱溫度為75-99攝氏度。

8.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一所述的錫基鈣鈦礦薄膜的制備方法，其特征在于：所述步驟C中加熱時間為5-10 min。

9.一種錫基鈣鈦礦薄膜，其特征在于：由DMF和DMSO中的一種或兩種的混合液作為溶劑、鈣鈦礦和磷酸三苯酯作為溶質(zhì)組成的溶液經(jīng)旋涂并熱處理后獲得，其中所述鈣鈦礦種類為錫基有機金屬鹵化物鈣鈦礦CH₃NH₃SnA_xB_3-x和錫基無機鈣鈦礦材料CsSnA_xB_3-x中的一種或幾種，其中A、B=Cl、Br或I；所述鈣鈦礦的濃度為0.7-1.5 M；所述磷酸三苯酯濃度為0.01～1.0 M。

10.一種基于權(quán)利要求9所述的錫基鈣鈦礦薄膜的太陽能電池器件，其特征在于：包括依次相連的金屬氧化物導(dǎo)電襯底ITO層/電子傳輸層TiO₂/鈣鈦礦層/空穴傳輸Spiro-OMeTAD層/金屬導(dǎo)電銀層；或是依次相連的金屬氧化物導(dǎo)電襯底ITO、空穴傳輸層PEDOT:PSS、鈣鈦礦層、電子傳輸PCBM層、金屬導(dǎo)電鋁層，所述鈣鈦礦層由權(quán)利要求9中獲得的所述錫基鈣鈦礦薄膜組成。