本發(fā)明涉及照明領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光器件(英文全稱為Organic Light Emitting Device，簡稱為OLED)作為下一代照明技術(shù)，具有面發(fā)光、低散熱、低能耗、輕、薄等優(yōu)點(diǎn)。更重要的是，我國每年照明用電量約為6000億度，占全國年度電量的12％，每年照明排放5.98億噸二氧化碳。若用OLED照明代替現(xiàn)有照明，每年可節(jié)約用電4000億度，減少二氧化碳排放3.99億噸，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

OLED照明的一個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)是可以實(shí)現(xiàn)任意形狀的大尺寸面光源，然而，由于OLED器件為層狀的薄膜器件，正極和負(fù)極的間距比較小，電極中的針孔、臺階以及邊沿的粗糙度都可能造成正負(fù)極的接觸，特別是大尺寸器件，正負(fù)極短路問題極有可能發(fā)生，從而影響有機(jī)電致發(fā)光裝置的產(chǎn)品良率。

現(xiàn)有技術(shù)中，一般采用在器件中加入一層可以導(dǎo)電的功能層，從而加厚器件的整體厚度，以增大陰極和陽極之間的距離，降低它們直接接觸的機(jī)會，從而避免短路缺陷出現(xiàn)，或者是在陰極部分加入金屬短路防止層，但器件厚度的增加必然導(dǎo)致器件的開啟電壓增加，效率降低，導(dǎo)致器件整體性能不高。而另外一種現(xiàn)有防短路的設(shè)計(jì)則是將大面積尺寸的OLED屏進(jìn)行像素化的設(shè)計(jì)，然后針對每個(gè)像素設(shè)計(jì)防短路層，使像素獨(dú)立化，起到防止短路缺陷的目的(或者即使某個(gè)像素出現(xiàn)短路現(xiàn)象也不影響整個(gè)屏體的工作)，雖然這種方法有效降低了短路的風(fēng)險(xiǎn)，但是隨著像素化設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的增多，屏體開口率下降嚴(yán)重。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為此，本發(fā)明所要解決的是現(xiàn)有防短路結(jié)構(gòu)工藝復(fù)雜、制造成本高，影響器件開口率的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置的第一電極層、有機(jī)層和第二電極層，還包括直接設(shè)置在第一電極層上的防短路組件；

所述第一電極層，包括若干導(dǎo)電單元以及為各所述導(dǎo)電單元載入電流的若干載流條；

所述防短路組件包括：

若干導(dǎo)流條，設(shè)置在所述第一電極層上，各所述導(dǎo)流條用于串聯(lián)至少2個(gè)所述導(dǎo)電單元至所述載流條，且各所述導(dǎo)流條之間不直接導(dǎo)通；

第一輔助電極層，直接覆蓋在所述載流條及導(dǎo)流條的上表面；

絕緣層，設(shè)置在所述第一輔助電極層的上表面和側(cè)面。

可選地，所述防短路組件還包括：

第二輔助電極層，直接設(shè)置在所述載流條與第一輔助電極之間。

可選地，所述導(dǎo)流條長度方向的至少一側(cè)設(shè)置有若干彎折部，所述導(dǎo)流條設(shè)置在相鄰兩列所述導(dǎo)電單元之間，所述彎折部延伸至所述導(dǎo)電單元上。

可選地，所述導(dǎo)流條的長度與寬度比不少于10:1。

可選地，所述導(dǎo)流條的方阻為10Ω/□—100000Ω/□；所述第一輔助電極層的方阻為0.1Ω/□—10000Ω/□；所述第二輔助電極層的方阻為40Ω/□—400000Ω/□。

可選地，所述導(dǎo)電單元為任意多邊形。

可選地，所述第一輔助電極層的厚度為0.1μm—10μm；所述第二輔助電極層的厚度為0.1μm—10μm。

本發(fā)明還提供所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

形成包括導(dǎo)電單元和載流條的第一電極層；

在所述第一電極層上形成串聯(lián)至少2個(gè)所述導(dǎo)電單元至所述載流條的導(dǎo)流條；

形成覆蓋所述載流條上表面的第二輔助電極層；

形成覆蓋在所述第二輔助電極及導(dǎo)流條上表面的第一輔助電極層；

形成覆蓋所述第一輔助電極層上表面及側(cè)面的絕緣層。

可選地，所述載流條為金屬條、金屬氧化物條、導(dǎo)電膠條中的一種，通過濺射工藝、涂布工藝、打印工藝、粘附工藝、光刻工藝以及刻蝕工藝中的至少一種制備；

可選地，所述第一輔助電極層和所述第二輔助電極層通過濺射工藝、涂布工藝、打印工藝、光刻工藝以及刻蝕工藝中的至少一種制備。

可選地，所述絕緣層分別通過涂布工藝、打印工藝、光刻工藝、刻蝕工藝中的至少一種制備。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案相比現(xiàn)有技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括層疊設(shè)置的第一電極層、有機(jī)層和第二電極層，還包括直接設(shè)置在第一電極層上的防短路組件；第一電極層，包括若干導(dǎo)電單元以及為各導(dǎo)電單元載入電流的若干載流條；防短路組件包括：若干導(dǎo)流條，設(shè)置在第一電極層上，各導(dǎo)流條用于串聯(lián)至少2個(gè)導(dǎo)電單元至載流條，形成像素單元間的通電路徑，且各導(dǎo)流條之間不直接導(dǎo)通；第一輔助電極層，直接覆蓋在載流條及導(dǎo)流條上表面；絕緣層設(shè)置在第一輔助電極上；防短路組件設(shè)置在各像素的通電路徑上，不但可以增加電極間的間隔，有效解決器件短路問題；而且，即使局部區(qū)域出現(xiàn)短路點(diǎn)，串聯(lián)多個(gè)導(dǎo)電單元的導(dǎo)流條能夠阻止電流經(jīng)過短路點(diǎn)泄漏，以控制出現(xiàn)短路的面積。同時(shí)，防短路組件僅設(shè)置在各像素的通電路徑上，對器件的開口率影響極小。

本發(fā)明實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，結(jié)構(gòu)簡單、工藝成熟，產(chǎn)品良率高。

附圖說明

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚的理解，下面根據(jù)本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中

圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中第一電極層與導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明實(shí)施例1中導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明實(shí)施例1中第一電極層與防短路組件結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明實(shí)施例2中第一電極層與導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明實(shí)施例2中導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明實(shí)施例3中第一電極層與導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是本發(fā)明實(shí)施例3中導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是本發(fā)明另一實(shí)施例中導(dǎo)流條結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中附圖標(biāo)記表示為：1-基板、2-第一電極層、3導(dǎo)電單元、4-載流條、5-導(dǎo)流條、6-第一輔助電極層、7-第二輔助電極層、8-絕緣層。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。

本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)施，而不應(yīng)該被理解為限于在此闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例，使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明的構(gòu)思充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，本發(fā)明將僅由權(quán)利要求來限定。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件例如層、區(qū)域或基板被稱作“形成在”或“設(shè)置在”另一元件“上”時(shí)，該元件可以直接設(shè)置在所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱作“直接形成在”或“直接設(shè)置在”另一元件上時(shí)，不存在中間元件。

實(shí)施例1

本實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括在基板1上層疊設(shè)置的第一電極層2、有機(jī)層和第二電極層，還包括直接設(shè)置在第一電極層2上的防短路組件。

如圖1所示，第一電極層2包括若干導(dǎo)電單元3以及為各導(dǎo)電單元3載入電流的若干載流條4；防短路組件包括：用于串聯(lián)至少2個(gè)導(dǎo)電單元3至載流條4的導(dǎo)流條5，且各導(dǎo)流條5之間不直接導(dǎo)通。

還包括直接覆蓋在載流條4及導(dǎo)流條5上表面的第一輔助電極層6，以及設(shè)置在第一輔助電極層6上的絕緣層8。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例中，如圖3所示，防短路組件還包括：直接設(shè)置在第一輔助電極層6與載流條4之間的第二輔助電極層7。

如圖1和圖2所示，本實(shí)施例中，導(dǎo)流條5設(shè)置在相鄰兩列導(dǎo)電單元3之間，導(dǎo)流條5長度方向的同側(cè)設(shè)置有若干彎折部，彎折部延伸至相鄰兩行導(dǎo)電單元3上，用于連接2個(gè)相鄰的導(dǎo)電單元3。

導(dǎo)流條5的長度與寬度比不少于10:1，作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例中，導(dǎo)流條5的長度與寬度比30:1。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例中，導(dǎo)流條5為ITO(銦錫氧化物)層，其方阻為15Ω/□；第一輔助電極層6為Mo/Al/Mo層，其方阻為0.1Ω/□；第二輔助電極層7為金屬氧化物(ITO)層，方阻為50Ω/□，厚度為600nm；絕緣層8為聚酰亞胺(PI)層，厚度為1600nm。

作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，基板1可以使用具有高透過率、高表面平滑度及具有優(yōu)異阻水阻氧性能的材料，并且該基板1可以使用玻璃基板、薄膜玻璃基板或者透明塑料基板，包括但不限于PET、PEN、PI、PEEK等。第一電極層2可以使用透明電極也可以使用半透明電極，包括但不限于銦錫氧化物、銦鋅氧化物、Ag、Au、Mg或其合金等。導(dǎo)流條5還可以為任意導(dǎo)電材料層。第一輔助電極層6可以為任意方阻為0.1Ω/□—10000Ω/□的導(dǎo)電材料層；第二輔助電極層7可以為導(dǎo)電聚合物、有機(jī)聚合物、過渡金屬氧化物、金屬硫化物、碳膜等方阻為40Ω/□—400000Ω/□的材料，絕緣層8還可以為其他一些無機(jī)或有機(jī)的絕緣材料；均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例中，導(dǎo)電單元3為ITO制得的陣列排布的方形圖案，作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，導(dǎo)電單元3還可以為任意高功函數(shù)透明材料制得的任意多邊形圖案，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

作為本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，本實(shí)施例中，第一輔助電極層6的厚度為0.1μm—100μm；第二輔助電極層7的厚度為0.1μm—100μm。

本實(shí)施例中，防短路組件設(shè)置在各像素的通電路徑上，不但可以增加電極間的間隔，有效解決器件短路問題；而且，串聯(lián)多個(gè)導(dǎo)電單元3的導(dǎo)流條5能夠有效提高器件的開口率。

另外，即使局部區(qū)域出現(xiàn)短路點(diǎn)，串聯(lián)多個(gè)導(dǎo)電單元3的導(dǎo)流條5能夠最大限度的降低流經(jīng)短路點(diǎn)的電流，以控制短路現(xiàn)象的發(fā)生面積。

有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟：

S1、通過磁控濺射工藝在基板1上形成ITO層，并通過光刻和刻蝕工藝進(jìn)行圖案化，形成包括導(dǎo)電單元3和載流條4的第一電極層2，以及串聯(lián)2個(gè)導(dǎo)電單元3至載流條4的導(dǎo)流條5。

作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，本步驟中，導(dǎo)電單元3和導(dǎo)流條5可以不同時(shí)形成也可以為不同材料，例如，先通過光刻和刻蝕工藝形成導(dǎo)電單元3，再通過狹縫涂布或者噴墨打印工藝形成導(dǎo)流條5等，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

S2、通過磁控濺射和刻蝕工藝，在載流條4及導(dǎo)流條5的上表面的第一輔助電極層6；作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，本步驟中，第一輔助電極層6通過濺射工藝、涂布工藝、打印工藝、光刻工藝以及刻蝕工藝中的至少一種制備，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

S3、通過磁控濺射和刻蝕工藝，在載流條4及第一輔助電極層6之間的第二輔助電極層7；作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，本步驟中，第二輔助電極層7通過濺射工藝、涂布工藝、打印工藝、光刻工藝以及刻蝕工藝中的至少一種制備，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

S4、通過旋涂和刻蝕工藝，在第一輔助電極層6上形成絕緣層8，絕緣層8覆蓋第一輔助電極的上表面及側(cè)面。作為本發(fā)明的可變換實(shí)施例，本步驟中，絕緣層8分別通過涂布工藝、打印工藝、光刻工藝、刻蝕工藝中的至少一種制備，均可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

需要了解的是，所述有機(jī)電致發(fā)光器件中的其他組件的結(jié)構(gòu)、相對結(jié)構(gòu)及制備工藝同現(xiàn)有或者今后發(fā)展的技術(shù)，本實(shí)施例不一一贅述。

實(shí)施例2

本實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方案，具體結(jié)構(gòu)與工藝同實(shí)施例1，唯一不同的是，如圖4、圖5所示，導(dǎo)流條5設(shè)置在間隔相鄰兩列導(dǎo)電單元3之間，導(dǎo)流條5長度方向的兩側(cè)均設(shè)置有若干彎折部，用于連接相鄰兩列兩行的四個(gè)導(dǎo)電單元3。

實(shí)施例3

本實(shí)施例提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方案，具體結(jié)構(gòu)與工藝同實(shí)施例1，唯一不同的是，如圖6、圖7所示，導(dǎo)電圖案5為六邊形，導(dǎo)流條6為人字形，設(shè)置在相鄰兩列導(dǎo)電單元3之間，導(dǎo)流條5長度方向的同側(cè)設(shè)置有若干彎折部，用于連接同一方向相鄰兩個(gè)導(dǎo)電單元3。

作為本發(fā)明可變換實(shí)施例，如圖8所示，導(dǎo)流條6為人字形還可以為x形，可用來連接相鄰4個(gè)導(dǎo)電單元。

顯然，上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實(shí)施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明的保護(hù)范圍之中。