技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本公開實施例提供一種半導(dǎo)體裝置，包括設(shè)置于基板上方的第一層間介電層，金屬導(dǎo)線，設(shè)置于第一層間介電層和金屬導(dǎo)線上方的第二層間介電層，第一空氣間隙和第二空氣間隙。金屬導(dǎo)線內(nèi)嵌于第一層間介電層中，金屬導(dǎo)線之間以第一間隙或第二間隙配置，第二間隙的長度大于第一間隙的長度。第一空氣間隙，利用第二層間介電層形成，第一空氣間隙形成于第一區(qū)域中，且夾設(shè)于以第一間隙配置的相鄰兩條金屬導(dǎo)線之間。第二空氣間隙，利用第二層間介電層形成，第二空氣間隙形成于第二區(qū)域中，且夾設(shè)于以大于第一間隙的一間隙配置的相鄰兩條金屬導(dǎo)線之間。沒有相鄰兩條金屬導(dǎo)線以小于第一間隙的一間隙配置。

技術(shù)研發(fā)人員：吳於貝;魏圣軒;李莉渝;吳岱洋;陳殿豪;鄭價言
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.26
技術(shù)公布日：2017.07.14