技術(shù)編號(hào)：11730790
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，特別涉及一種在金屬導(dǎo)線之間具有空氣間隙(airgap)的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體工業(yè)導(dǎo)入具有更高性能和更多功能的新一代集成電路(IC)，會(huì)增加形成的元件密度且同時(shí)縮小集成電路的構(gòu)件或元件之間的尺寸和間隙，這會(huì)導(dǎo)致各種問題。舉例來說，對(duì)于任兩個(gè)相鄰的導(dǎo)電物而言，當(dāng)減少導(dǎo)電物之間的距離時(shí)，會(huì)增加得到的電容(寄生電容(parasiticcapacitance))。上述增加的電容會(huì)導(dǎo)致功率消耗的增加，和電阻-電容時(shí)間常數(shù)(resistiv...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。