本發(fā)明涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于玻璃基板有源矩陣發(fā)光二極管面板的離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的離子注入設(shè)備，使用直流電引出離子束，并對(duì)離子束加速后，向處理室的基板照射離子束。在離子注入過程中，離子注入物在離子源內(nèi)部耗損累積形成淀積物，所述淀積物將導(dǎo)致離子源腔室內(nèi)壁的電容結(jié)構(gòu)、電極板間的電容結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，從而引發(fā)頻發(fā)的異常放電。所述異常放電較輕微時(shí)，將造成離子源引出束流不穩(wěn)定，使得離子注入均一性下降；當(dāng)所述異常放電嚴(yán)重時(shí)，將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板，甚至使得離子源及引出電極系統(tǒng)失去固有電壓，造成設(shè)備停止運(yùn)轉(zhuǎn)。針對(duì)這一問題，現(xiàn)有技術(shù)的解決方法是：在離子注入間隙，把氫氣導(dǎo)入離子源，在離子源內(nèi)部產(chǎn)生氫等離子體，清洗離子源內(nèi)部的淀積物，但是，在實(shí)際運(yùn)用中，僅僅對(duì)離子源內(nèi)部進(jìn)行清洗，無法做到完全去除淀積物，剩余的淀積物仍會(huì)造成離子注入設(shè)備發(fā)生異常放電。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，通過在離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓，向所述引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓和規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓，使得所述離子注入設(shè)備中淀積物的異常放電提前發(fā)生，減少離子注入時(shí)發(fā)生淀積物的異常放電。

為解決上述問題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為：

本發(fā)明提供一種離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，所述離子注入設(shè)備設(shè)有離子源與引出電極系統(tǒng)，在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓，向所述引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓和規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓，若所述離子注入設(shè)備發(fā)生異常放電，則重新啟動(dòng)所述離子注入設(shè)備，再進(jìn)行離子注入；若所述離子注入設(shè)備未發(fā)生異常放電，則將電弧電壓、引出電壓和加速電壓恢復(fù)至規(guī)定電壓后，再進(jìn)行離子注入。

具體的，將所述規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)設(shè)置為規(guī)定電壓的1.5倍。

進(jìn)一步地，在向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓的同時(shí)，將離子源的燈絲電流增大至規(guī)定電流的設(shè)定倍數(shù)。

具體地，將所述規(guī)定電流設(shè)定倍數(shù)設(shè)置為規(guī)定電流的1.05倍。

又進(jìn)一步地，在向所述離子源施加的電弧電壓恢復(fù)至規(guī)定電壓的同時(shí)，將離子源的燈絲電流恢復(fù)至規(guī)定電流。

本發(fā)明的有益效果在于：本發(fā)明提供的一種離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，通過在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓，向所述引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓和規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓，使得所述離子注入設(shè)備中淀積物的異常放電提前發(fā)生，減少離子注入時(shí)發(fā)生淀積物的異常放電；改善了離子注入設(shè)備進(jìn)行離子注入時(shí)發(fā)生異常放電，導(dǎo)致離子注入均一性下降、設(shè)備停止運(yùn)轉(zhuǎn)的問題。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一種離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法的流程框圖；

圖2是離子注入過程中極內(nèi)異常放電結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是離子注入過程中極間異常放電結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚的描述，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

以氣體等離子體作為離子源的離子注入設(shè)備，在進(jìn)行所述等離子體持續(xù)點(diǎn)亮及離子束引出注入過程中，離子不斷的撞擊離子源腔室、離子源的燈絲、引出電極系統(tǒng)的電極板，使得離子注入物在離子源內(nèi)部耗損累積形成淀積物。該過程被視為氣相濺鍍或氣相沉積過程。所述淀積物將導(dǎo)致離子源腔室內(nèi)壁的電容結(jié)構(gòu)、電極板間的電容結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，從而引發(fā)頻發(fā)的異常放電。所述異常放電較輕微時(shí)，將造成離子源引出束流不穩(wěn)定，使得離子注入均一性下降；當(dāng)所述異常放電嚴(yán)重時(shí)，將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板，甚至使得離子源及引出電極系統(tǒng)失去固有電壓，造成設(shè)備停止運(yùn)轉(zhuǎn)。

所述異常放電包括極板的極內(nèi)放電和極板間的極間放電，本發(fā)明實(shí)施例以離子注入物在引出電極系統(tǒng)的引出電極上的沉積后發(fā)生異常放電為例，需要說明的是，離子注入物在離子源腔室內(nèi)壁或引出電極系統(tǒng)的其他電極板上發(fā)生的異常放電原理相同。如圖2所示，為離子注入過程中極內(nèi)異常放電結(jié)構(gòu)示意圖，所述引出電極上施加的電壓為負(fù)電壓，當(dāng)所述離子注入物為氟等離子體或硼等離子體時(shí)，離子注入物將在引出電極系統(tǒng)的引出電極上沉積形成絕緣的氟化物或硼化物，隨著該絕緣物的沉積變厚，后續(xù)撞擊在該位置的正離子的電荷將越來越難以釋放，因而在氟化物的表面形成電荷累積，當(dāng)電荷累積至足夠高時(shí)，所述累積的電荷將擊穿極板附近的氣體或絕緣物及與本極板發(fā)生放電，同時(shí)絕緣物部分被擊落后將再次開始累積形成新的絕緣物，所述被擊落的絕緣物將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板。

如圖3所示，為離子注入過程中異常放電的極間放電結(jié)構(gòu)示意圖，當(dāng)離子注入物在引出電極上沉積形成的絕緣物的半徑逐漸增大至大于極板間距離，所述絕緣物的電阻大于極板間電阻，所述絕緣物表面的電荷增大至足夠大時(shí)，所述絕緣物表面累積的電荷將向臨近的極板發(fā)生放電，使得較多絕緣物被擊落，所述放電甚至?xí)饍蓸O板的擊穿，造成大量的絕緣物被擊落后再次開始累積形成新的絕緣物，述被擊落的絕緣物將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板。

基于這種在離子注入過程中發(fā)生異常放電對(duì)離子注入造成的不良影響，本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下：

本發(fā)明實(shí)施例提供一種離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法，所述離子注入設(shè)備設(shè)有離子源與引出電極系統(tǒng)，所述引出電極系統(tǒng)為四電極引出系統(tǒng)，包括加速電極、引出電極、抑制電極、接地電極，如圖1所示，本發(fā)明首先向離子源內(nèi)部提供工藝氣體，將離子源的參數(shù)設(shè)置為規(guī)定參數(shù)，如施加規(guī)定的電弧電壓，施加規(guī)定的燈絲電流，接著點(diǎn)燃等離子體，并在引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓，如規(guī)定的加速電壓和引出電壓，引出均勻束流，對(duì)基板進(jìn)入離子注入。在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓，向所述引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓和規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓，若所述離子注入設(shè)備發(fā)生異常放電，則重新啟動(dòng)所述離子注入設(shè)備，再進(jìn)行離子注入；若所述離子注入設(shè)備未發(fā)生異常放電，則將電弧電壓、引出電壓和加速電壓恢復(fù)至規(guī)定電壓后，再進(jìn)行離子注入。

具體的，以引出系統(tǒng)的引出電極為例，所述引出電極上施加的為負(fù)電壓，當(dāng)大量正離子碰撞在引出電極板上，所述引出電極板上的絕緣物增多，直至碰撞在引出電極板上的正離子的電荷在絕緣物表面形成正電電荷累積，并且未達(dá)到放電條件時(shí)，在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，此時(shí)，向引出電極施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓，則絕緣物上積累的正電與引出電極的電勢差將增大，從而引發(fā)放電，將所述絕緣物擊穿，進(jìn)入下一個(gè)絕緣物累積周期，使得淀積物的放電提前發(fā)生，在進(jìn)行離子注入期間，所述設(shè)備不再發(fā)生異常放電；但是，由于所述離子注入設(shè)備提前發(fā)生放電時(shí)，所述設(shè)備的引出電極系統(tǒng)將失去固有電壓，導(dǎo)致設(shè)備自動(dòng)停機(jī)，因此需重新啟動(dòng)所述離子注入設(shè)備，再進(jìn)行離子注入；若向引出電極施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓時(shí)，所述引出電極仍未發(fā)生極內(nèi)放電，則表明所述引出電極在施加規(guī)定電壓進(jìn)行離子注入時(shí)，也不會(huì)發(fā)生極內(nèi)異常放電，因此，將引出電極的電壓恢復(fù)至規(guī)定電壓，即可進(jìn)行離子注入。

當(dāng)引出電極上的絕緣物累積至足夠大，臨近引起極間放電，并且所述絕緣物表面的電荷累積未達(dá)到放電條件時(shí)，在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，此時(shí)，向加速電極施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓，則絕緣物表面積累的正電與加速電極板間電勢差增大，從而引發(fā)極間放電，較多絕緣物被擊落，使得淀積物的放電提前發(fā)生，在進(jìn)行離子注入期間，所述設(shè)備不再發(fā)生異常放電；但是，由于所述離子注入設(shè)備提前發(fā)生放電時(shí)，所述設(shè)備的引出電極系統(tǒng)將失去固有電壓，導(dǎo)致設(shè)備自動(dòng)停機(jī)，因此需重新啟動(dòng)所述離子注入設(shè)備，再進(jìn)行離子注入；若向加速電極施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓時(shí)，所述引出電極仍未發(fā)生極間放電，則表明所述加速電極在施加規(guī)定電壓進(jìn)行離子注入時(shí)，引出電極也將不會(huì)發(fā)生極間放電，因此，將加速電極的電壓恢復(fù)至規(guī)定電壓，即可進(jìn)行離子注入。

優(yōu)選地，將所述規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)設(shè)置為規(guī)定電壓的1.5倍，根據(jù)實(shí)際情況，所述規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)可以為其他倍數(shù)。

優(yōu)選地，在向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓的同時(shí)，將離子源的燈絲電流增大至規(guī)定電流的設(shè)定倍數(shù)。

優(yōu)選地，將所述規(guī)定電流設(shè)定倍數(shù)設(shè)置為規(guī)定電流的1.05倍，根據(jù)實(shí)際情況，所述規(guī)定電流設(shè)定倍數(shù)可以為其他倍數(shù)。

優(yōu)選地，在向所述離子源施加的電弧電壓恢復(fù)至規(guī)定電壓的同時(shí)，將離子源的燈絲電流恢復(fù)至規(guī)定電流。

需要說明的是，在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，可以一邊向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓，向所述引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓和規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓，一邊進(jìn)行離子源的清洗；也可以向所述離子源施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的電弧電壓、向所述引出電極系統(tǒng)施加規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的引出電壓和規(guī)定電壓設(shè)定倍數(shù)的加速電壓的同時(shí)對(duì)所述離子源進(jìn)行清洗。本發(fā)明的一種離子注入設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)方法適用于在所述離子注入設(shè)備離子注入結(jié)束后，進(jìn)行基板交換期間，對(duì)離子源進(jìn)行清洗前或清洗中進(jìn)行實(shí)施。

如上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式，但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。