技術(shù)編號：12477779
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及離子注入技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應用于玻璃基板有源矩陣發(fā)光二極管面板的離子注入設備的運轉(zhuǎn)方法。背景技術(shù)現(xiàn)有的離子注入設備，使用直流電引出離子束，并對離子束加速后，向處理室的基板照射離子束。在離子注入過程中，離子注入物在離子源內(nèi)部耗損累積形成淀積物，所述淀積物將導致離子源腔室內(nèi)壁的電容結(jié)構(gòu)、電極板間的電容結(jié)構(gòu)發(fā)生改變，從而引發(fā)頻發(fā)的異常放電。所述異常放電較輕微時，將造成離子源引出束流不穩(wěn)定，使得離子注入均一性下降；當所述異常放電嚴重時，將在基板上產(chǎn)生灰塵或臟污污染基板，甚至使得離子源及引出...
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