1.一種釹鐵硼薄片的制備方法，包括：
按設(shè)計成分配料、熔煉、速凝鑄片；
采用物理氣相沉積方法，將重稀土元素粒子或者高熔質(zhì)元素粒子沉積在釹鐵硼薄片上。
2.如權(quán)利要求1所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：在惰性氣氛中物理氣相沉積，溫度為300～500℃，沉積速率為0.01～50μm/min。
3.如權(quán)利要求2所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：惰性氣氛為氬氣或氦氣或真空，物理氣相沉積采用磁控濺射沉積、離子鍍沉積或蒸發(fā)源沉積。
4.如權(quán)利要求1所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：高熔質(zhì)元素粒子采用Dy、Tb、W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga元素的粒子；重稀土元素粒子采用Dy或者Tb元素的粒子。
5.如權(quán)利要求1至4任一項所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：將釹鐵硼合金薄片和重稀土靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi)；抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；對釹鐵硼薄片加熱，開啟物理氣相沉積裝置，采用物理氣相沉積將重稀土粒子沉積在釹鐵硼薄片上；停止物理氣相沉積，待溫度降至室溫后取出釹鐵硼薄片。
6.如權(quán)利要求5所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：對釹鐵硼薄片加熱的加熱溫度為300～500℃，重稀土粒子沉積速率為0.01～50μm/min。
7.如權(quán)利要求5所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：重稀土靶材為元素Dy或者Tb中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。
8.如權(quán)利要求1至4任一項所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：將釹鐵硼合金薄片和高熔質(zhì)靶材分別置于物理氣相沉積裝置內(nèi)；抽真空至真空度高于2.0×10-2Pa，充入氬氣至0.2～1.0Pa；對釹鐵硼薄片加熱，開啟物理氣相沉積裝置，采用物理氣相沉積將高熔質(zhì)粒子沉積在釹鐵硼薄片上；停止物理氣相沉積，待溫度降至室溫后取出釹鐵硼薄片。
9.如權(quán)利要求8所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：對釹鐵硼薄片加熱的加熱溫度為300～500℃，高熔質(zhì)粒子沉積速率為0.01～50μm/min。
10.如權(quán)利要求8所述釹鐵硼薄片的制備方法，其特征在于：高熔質(zhì)靶材為元素W、Mo、V、Ti、Ta、Zr、Nb、Co、Cr或者Ga中至少一種元素的純金屬、合金或氧化物。