技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制備方法，所述氮化鎵半導(dǎo)體器件包括依次層疊的基板、緩沖層、高阻抗層、非有意摻雜氮化鎵層、通道層以及電極；所述高阻抗層包括多層交替生長的非摻雜氮化鎵層和碳摻雜氮化鎵層。該氮化鎵半導(dǎo)體器件為了改善擊穿電壓及漏電(leakage)的特性，將多層的非摻雜氮化鎵層(Un?doped?GaN)和碳摻雜氮化鎵層(C?doped?GaN)交叉生長，能改善高阻抗層的品質(zhì)使其能生長得更厚，可以使底部上升的位錯彎曲。

技術(shù)研發(fā)人員：李東鍵;金榮善;駱薇薇;孫在亨
受保護的技術(shù)使用者：英諾賽科（珠海）科技有限公司
文檔號碼：201611180049
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.19
技術(shù)公布日：2017.05.31