技術(shù)編號：12478645
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種氮化鎵半導(dǎo)體器件及其制備方法。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體與硅板或者砷化鎵(GaAs)相比較有能帶隙(Eg＝3.4eV)寬的特性及高溫下(700℃)安定性高的優(yōu)點(diǎn)。GaN電力半導(dǎo)體與硅(Si)電力半導(dǎo)體相比還有低溫阻抗的特點(diǎn)，這在電力半導(dǎo)體啟動時擁有使開關(guān)轉(zhuǎn)換(switching)損失最小化及系統(tǒng)消費(fèi)電力最小化的優(yōu)點(diǎn)。GaN半導(dǎo)體器件作為可以實(shí)現(xiàn)小型化，高電壓，高轉(zhuǎn)換時的低損耗，高效率的新生代電力器件，在產(chǎn)業(yè)用，電力網(wǎng)，情報通信(ICT)等領(lǐng)域需求在不斷...
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