技術(shù)特征：

1.一種氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括依次層疊的基板、緩沖層、高阻抗層、非有意摻雜氮化鎵層、通道層、氮化鎵鋁層以及電極層；所述高阻抗層包括多層交替生長的非摻雜氮化鎵層和碳摻雜氮化鎵層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述非摻雜氮化鎵層和所述碳摻雜氮化鎵層的總層數(shù)≥10層，所述非摻雜氮化鎵層的厚度為1nm-500nm，所述碳摻雜氮化鎵層的厚度為1nm-500nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述碳摻雜氮化鎵層中碳的摻雜量為1×10¹⁶/cm³-1×10²⁰/cm³。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述高阻抗層的厚度為100nm-5μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述非有意摻雜氮化鎵層包含多層的應(yīng)變控制層和多層的掩蔽層，所述應(yīng)變控制層的層數(shù)≥0；所述掩蔽層的層數(shù)≥0。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述緩沖層的材質(zhì)為氮化鎵、氮化鋁或氮化鎵鋁。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述通道層為非有意摻雜氮化鎵層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板的材質(zhì)為藍(lán)寶石、氮化鎵或硅。

9.權(quán)利要求1-8任一項所述的氮化鎵半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供基板；

在所述基板上形成緩沖層；

在所述緩沖層上形成高阻抗層，所述高阻抗層包括多層交替生長的非摻雜氮化鎵層和碳摻雜氮化鎵層；

在所述高阻抗層上形成非有意摻雜氮化鎵層；

在所述非有意摻雜氮化鎵層上形成通道層；

在所述通道層上形成氮化鎵鋁層；在所述氮化鎵鋁層上形成電極層。