技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種短溝道半導(dǎo)體/石墨烯異質(zhì)結(jié)光探測器的構(gòu)筑方法，首先，將平均直徑為100納米的ZnS納米線以接近90°的角度轉(zhuǎn)移到石墨烯條帶上，構(gòu)建由石墨烯條帶與單根ZnS納米線交叉的結(jié)構(gòu)；之后，使用光刻技術(shù)，在與單根ZnS納米線交叉的石墨烯條帶上鍍Au薄膜并隨后除去ZnS納米線掩膜來制作有著低于100納米間隙的Au電極；最后，將ZnSe薄膜鍍在位于Au電極間隙中的石墨烯條帶上，短溝道半導(dǎo)體/石墨烯異質(zhì)結(jié)光探測器就構(gòu)筑完成了。本發(fā)明工藝簡單，成本低廉，具有較好的實(shí)用價(jià)值。

技術(shù)研發(fā)人員：王敏;許智豪;吳從軍;蔡曹元;馬楊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：合肥工業(yè)大學(xué)
文檔號碼：201611164999
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.16
技術(shù)公布日：2017.05.31