技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種電子元器件電極的制作方法及電子元器件，制作方法包括以下步驟：S1，在用于制作電子元器件的薄膜生帶上沉積導(dǎo)電聚合物，形成一層厚度≤1μm的導(dǎo)電層；S2，在所述導(dǎo)電層上鋪光阻劑；S3，對(duì)光阻劑進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)曝光時(shí)所使用的掩膜板中的電極圖案去除所述導(dǎo)電層上的部分光阻劑，在所述導(dǎo)電層上保留的光阻劑之間形成電極溝槽；S4，電鍍處理，在所述導(dǎo)電層上的所述電極溝槽中電鍍沉積金屬材料，形成電極；S5，去除光阻劑及光阻劑底部的導(dǎo)電聚合物，保留電極底部的導(dǎo)電聚合物，從而在薄膜生帶上制得電極。本發(fā)明的制作方法可制得精細(xì)化的電極，且制得的電極的電導(dǎo)率較高。

技術(shù)研發(fā)人員：余瑞麟;戴春雷;王亞珂
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳順絡(luò)電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201611145965
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.13
技術(shù)公布日：2017.05.31