技術(shù)特征：

1.一種電子元器件電極的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：S1，在用于制作電子元器件的薄膜生帶上沉積導(dǎo)電聚合物，形成一層厚度≤1μm的導(dǎo)電層；S2，在所述導(dǎo)電層上鋪光阻劑；S3，對(duì)光阻劑進(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)曝光時(shí)所使用的掩膜板中的電極圖案去除所述導(dǎo)電層上的部分光阻劑，在所述導(dǎo)電層上保留的光阻劑之間形成電極溝槽；S4，電鍍處理，在所述導(dǎo)電層上的所述電極溝槽中電鍍沉積金屬材料，形成電極；S5，去除光阻劑及光阻劑底部的導(dǎo)電聚合物，保留電極底部的導(dǎo)電聚合物，從而在薄膜生帶上制得電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：步驟S1中，所述薄膜生帶包括PET膜和附著在所述PET膜上的生坯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：步驟S2中，所述光阻劑的厚度大于等于10μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：步驟S2中，所述光阻劑為感光膠，通過旋涂法在所述導(dǎo)電層上均勻平鋪感光膠；或者，所述光阻劑為感光干膜，通過壓膜的方式在所述導(dǎo)電層上均勻平鋪感光干膜。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：步驟S3中，曝光時(shí)使用的掩膜板中的電極圖案的線寬、線間距均≤10μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：步驟S4中，所述金屬材料為銀或者銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：步驟S5中，先采用脫膜液去除所述光阻劑，再采用溶劑將裸露出來的導(dǎo)電聚合物溶解去除并進(jìn)行清洗。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：所述脫膜液為強(qiáng)堿性溶液。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子元器件電極的制作方法，其特征在于：制得的電極的線寬、線間距均≤10μm，電極的厚度與線寬的比例大于等于1。

10.一種電子元器件，包括電極，其特征在于：所述電極為根據(jù)權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的制作方法制得的。