1.一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，在硅體(3)上貫穿刻蝕后經(jīng)過擴(kuò)散摻雜形成開合式溝槽電極(6)、中央電極(1)，開合式溝槽電極(6)環(huán)繞于中央電極(1)之外，中央電極(1)接負(fù)極，開合式溝槽電極(6)接正極，開合式溝槽電極(6)為存在開口、不連續(xù)的圓柱結(jié)構(gòu)，開合式溝槽電極(6)與中央電極(1)均貫穿探測器底部；探測器最底端設(shè)有二氧化硅保護(hù)層(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述中央電極(1)為空心的圓柱形，半徑是5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述中央電極(1)由鋁層和重?fù)诫s硼硅層構(gòu)成，鋁層位于最上層，厚度為1μm；重?fù)诫s硼硅層位于鋁層下面，厚度為200μm～500μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述開合式溝槽電極(6)為空心圓柱環(huán)，開合式溝槽電極(6)的寬度10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述開合式溝槽電極(6)由鋁層和重?fù)诫s磷硅層構(gòu)成，鋁層位于最上層，厚度為1μm；重?fù)诫s磷硅層位于鋁層下面，厚度為200μm～500μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述硅體(3)為p型，硅體(3)由二氧化硅層和輕摻雜硼硅層構(gòu)成，二氧化硅層位于最上層，厚度為1μm；輕摻雜硼硅層位于二氧化硅層下面，厚度為200μm～500μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述二氧化硅保護(hù)層(5)厚度為1μm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種開合式三維溝槽電極硅探測器，其特征在于，所述開合式溝槽電極(6)開口的內(nèi)側(cè)弧長為3μm～10μm。