技術(shù)編號：12275171
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于高能物理及天體物理技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種開合式三維溝槽電極硅探測器。背景技術(shù)探測器廣泛應(yīng)用于高能物理、天體物理、航空航天、軍事、醫(yī)學(xué)等技術(shù)領(lǐng)域，在高能物理及天體物理之中，探測器處于強(qiáng)輻照條件下，因此對探測器本身有嚴(yán)格的要求，要求其具有較強(qiáng)的抗輻照能力，且漏電流以及全耗盡電壓不能太大，對于其體積的大小也有不同的要求。傳統(tǒng)的“三維溝槽電極硅探測器”有許多的不足之處，首先是在進(jìn)行電極刻蝕時不能完全的貫穿整個硅體，使得探測器有一部分不能刻蝕，稱該部分為“死區(qū)”，“死區(qū)”部分的電場較弱，電荷分布不均...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。