專利名稱：一種高效dr非晶硅探測板的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及醫(yī)療器械及金屬探傷領域，具體涉及直接X線數(shù)字化成像(DR)領域。
背景技術：
DR由探測器、影像處理器、圖像顯示器等組成。透射過人體后的X線信號被探測獲取，直接形成數(shù)字影像，數(shù)字影像數(shù)據(jù)傳到計算機，在顯示器上顯示，也可以進行后期處理。現(xiàn)在主要的DR探測器為非晶硅探測器和非晶硒探測器，其它還有空氣探測器、CCD探測器。 非晶硅探測器和非晶硒探測器都被稱為平板探測器。傳統(tǒng)DR非晶硅探測器探測板采用單面數(shù)據(jù)采集，即閃爍體涂層(如碘化銫等)+薄膜晶體管(TFT)。成像所需X線劑量相對較高，且數(shù)據(jù)信號較弱，抗干擾能力差。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型提供一種高效DR非晶硅探測板，理論上效率提高一倍。要解決的技術問題增加源數(shù)據(jù)的采集，提高數(shù)據(jù)信號采集效率。本實用新型解決其技術問題的技術方案是探測板閃爍體涂層上下均有TFT層供數(shù)據(jù)采集，即薄膜晶體管(TFT)+閃爍體涂層(如碘化銫等)+薄膜晶體管(TFT)，因閃爍體涂層上下均有TFT數(shù)據(jù)采集層，從而增加一倍的數(shù)據(jù)源。本實用新型的有益效果是提高傳統(tǒng)DR的X線轉(zhuǎn)換率，降低X線輻射劑量，減少輻身寸危害。
以下結合附圖
對本實用新型進一步說明。圖I是本實用新型的結構示意圖。圖中上基板，2.上TFT層，3.閃爍體涂層，4.下TFT層，5.下基板。
具體實施方式
探測器探測板采用上下兩塊基板，上基板相對薄一些，有利于X線穿透，上基板涂層朝下，下基板涂層朝上，上下TFT層呈單元對應，中間為閃爍體涂層(如碘化銫等)，閃爍體涂層與上下兩邊TFT層緊密相連，形式上類似傳統(tǒng)屏-片攝影中的膠片與上下增感屏之間的關系，中間閃爍體涂層接收X線轉(zhuǎn)化為可見光，再由上下光電管及薄膜三極管轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?，上下單元信號疊加，理論上可提高一倍檢測效率。
權利要求1.一種高效DR非晶硅探測板，其特征是探測板閃爍體涂層上下均有TFT層供數(shù)據(jù)采集。
2.根據(jù)權利要求I所述的探測板，其特征是探測板采用上下兩塊基板，上基板涂層朝下，下基板涂層朝上，上下TFT層呈單元對應。
3.根據(jù)權利要求I所述的探測板，其特征是閃爍體涂層與上下兩邊TFT層緊密相連。
專利摘要本實用新型提供一種高效DR非晶硅探測板，探測板采用雙面數(shù)據(jù)采集，即薄膜晶體管(TFT)+閃爍體涂層(如碘化銫等)+薄膜晶體管(TFT)，閃爍體涂層兩邊均有TFT數(shù)據(jù)采集層，從而增加一倍的數(shù)據(jù)源，提高了傳統(tǒng)DR的X線轉(zhuǎn)換率，降低X線輻射劑量，減少輻射危害。
文檔編號G01T1/20GK202523710SQ201120353279
公開日2012年11月7日 申請日期2011年9月14日 優(yōu)先權日2011年9月14日
發(fā)明者孫建松 申請人:孫建松