技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法，該半導(dǎo)體裝置混裝有具有所需的擊穿電壓的齊納二極管或減少了電容的電壓依賴性的電容器，從而能夠?qū)崿F(xiàn)多樣的電路。該半導(dǎo)體裝置具備：半導(dǎo)體層；第一導(dǎo)電型的阱，其被配置在半導(dǎo)體層的第一區(qū)域內(nèi)；第一導(dǎo)電型的第一雜質(zhì)擴散區(qū)，其被配置在阱中；第一導(dǎo)電型的第二雜質(zhì)擴散區(qū)，其被配置在半導(dǎo)體層的第二區(qū)域內(nèi)；絕緣膜，其被配置在第二雜質(zhì)擴散區(qū)上；電極，其被配置在絕緣膜上；第二導(dǎo)電型的第三雜質(zhì)擴散區(qū)，其被配置在至少第一雜質(zhì)擴散區(qū)上。

技術(shù)研發(fā)人員：桑澤和伸;佐久間盛敬;新田博明;関澤充生;遠藤剛廣
受保護的技術(shù)使用者：精工愛普生株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.07
技術(shù)公布日：2017.07.14