技術(shù)編號：11730948
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法等。背景技術(shù)例如，作為電路元件而使用一種如下的半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置搭載有利用MOS(MetalOxideSemiconductor：金屬氧化物半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)而形成的電容器(MOS電容器)。一直以來，MOS電容器由在半導(dǎo)體基板上隔著柵絕緣膜所形成的柵電極和夾著柵絕緣膜而與柵電極對置的基板區(qū)域(在下文中也稱為“電極區(qū)域”)構(gòu)成。然而，當與形成MOS場效應(yīng)晶體管的基板區(qū)域同樣地使用雜質(zhì)濃度較低的基板區(qū)域來構(gòu)成MOS電容器時，通過被施加在柵電極上的電壓...
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