技術特征：

1.一種GeBi合金薄膜，包括P型硅襯底，以及采用分子束外延方法形成于P型硅襯底之上的GeBi合金薄膜。

2.根據(jù)權利要求1所述的GeBi合金薄膜，其特征在于，所述GeBi合金薄膜的厚度為150～660nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的GeBi合金薄膜，其特征在于，所述P型硅襯底為硼摻雜的P型Si基片，其電阻率為1×10^-5～2×10^-4Ω·cm，載流子濃度為1×10²⁰～1×10²¹。

4.根據(jù)權利要求1所述的GeBi合金薄膜，其特征在于，所述采用分子束外延方法制備GeBi合金薄膜時，以固體Ge材料作為Ge源，固體Bi材料作為Bi源，控制基片溫度為200～400℃，Ge源溫度為1000～1300℃，Bi源溫度為300～600℃，薄膜的生長時間為150～220min，生長速率為1～3nm/min。

5.根據(jù)權利要求1所述的GeBi合金薄膜，其特征在于，所述GeBi合金薄膜中，Ge的質量分數(shù)為60％～98％，Bi的質量分數(shù)為2％～40％。

6.一種GeBi合金薄膜的制備方法，包括以下步驟：

步驟1：依次采用氫氟酸、去離子水、丙酮、酒精和去離子水清洗P型硅襯底，并采用氮氣吹干；

步驟2：將步驟1清洗干燥后的硅襯底放入分子束外延腔室中，抽真空至2×10^-7～5×10^-7torr；

步驟3：采用分子束外延法在步驟2的硅襯底上生長薄膜，其中，襯底溫度為200～400℃，Ge源溫度為1000～1300℃，Bi源溫度為300～600℃，生長時間為150～220min，生長速率為1～3nm/min；

步驟4：待薄膜生長完成后，將Bi源溫度降低至400℃以下，Ge源溫度降低至300℃以下，襯底溫度降低至室溫，取出襯底，即可在硅襯底上得到GeBi合金薄膜。

7.權利要求1至6中任一項所述GeBi合金薄膜在紅外光電探測器中的應用。