技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種制備半導(dǎo)體集成電路器件金屬橫截面樣品的新方法,該方法包括傳統(tǒng)方法中對(duì)半導(dǎo)體集成電路器件用樹脂進(jìn)行鑲嵌，再進(jìn)行機(jī)械研磨拋光,并創(chuàng)新地采用化學(xué)腐蝕，解決了機(jī)械研磨拋光后延展性較好的金屬橫截面變形較嚴(yán)重的問(wèn)題。采用該方法制備的樣品可在光學(xué)顯微鏡或掃描電子顯微鏡下準(zhǔn)確地測(cè)量各層金屬的厚度。本發(fā)明具有成本低、周期短、易操作、無(wú)毒害的特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：劉萬(wàn)鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都海威華芯科技有限公司
文檔號(hào)碼：201611081478
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.30
技術(shù)公布日：2017.05.31