1.一種制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：將經過了金屬工藝的半導體集成電路器件，經過樹脂鑲嵌和機械研磨拋光后，用一定濃度的金屬腐蝕液腐蝕已拋光的表面來修正橫截面形變，并對多層金屬層次進行分解，再用清水沖洗干凈并吹干，得到可在光學顯微鏡和掃描電子顯微鏡下觀察并準確測量各層金屬厚度的樣品。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：所述金屬工藝包括電鍍、蒸鍍和磁控濺射。
3.根據(jù)權利要求1所述的制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：所述金屬包括金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）。
4.根據(jù)權利要求1所述的制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：所述樹脂鑲嵌和機械研磨拋光的方法用于消除樣品表面的劃痕，且保證其在光學顯微鏡下不會顯示出劃痕，并且使感興趣區(qū)暴露于樣品表面，其感興趣區(qū)主要包括需觀察的背孔、空氣橋、缺陷。
5.根據(jù)權利要求1所述的制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：所述金屬腐蝕液包括碘-碘化鉀溶液，其中，碘單質和碘離子在室溫下的摩爾濃度之比不大于0.5，即摩爾濃度之比I2：I-≤0.5，并且所述碘-碘化鉀溶液中碘化鉀的質量濃度不大于58%。
6.根據(jù)權利要求1所述的制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：所述金屬腐蝕的腐蝕時間為15至90秒,用于修正由于機械研磨拋光造成橫截面變形的問題以利觀察并準確測量金屬厚度。
7.根據(jù)權利要求1所述的制備半導體集成電路器件金屬橫截面樣品的方法，其特征在于：所述對金屬的化學腐蝕對不同金屬腐蝕程度的不同,也可準確分解多層金屬層次和各自厚度。