技術(shù)特征：

1.超薄電子傳輸層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制造方法，其特征在于：包括如下步驟：

將導電玻璃層浸潤于四氯化鈦水溶液，然后用去離子水沖洗導電玻璃，最后將導電玻璃放在加熱板上150度烘干30min，至此導電玻璃層上形成電子傳輸層，導電玻璃層處理完成；

將CH₃NH₃I和PbCl₂以摩爾比5:1-1:1溶解于N,N-二甲基甲酰胺中形成鈣鈦礦溶液，使用勻膠機將鈣鈦礦溶液沉積在處理完成的導電玻璃層上，控制溫度在70℃-150℃，使得鈣鈦礦溶液結(jié)晶成為甲胺鉛碘多晶膜；

將空穴傳輸材料的氯苯溶液均勻的旋涂在甲胺鉛碘多晶膜上形成空穴傳輸材料層；

使用蒸鍍方法，空穴傳輸材料層上蒸鍍蒸鍍銀電極層；

所述四氯化鈦水溶液中四氯化鈦物質(zhì)的量濃度為0.01-0.7mol/L,所述導電玻璃層在四氯化鈦水溶液中浸潤時間為0.5-10小時。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的所述的超薄電子傳輸層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述空穴傳輸材料材料為spiro-OMeTAD，其合成步驟如下：將spiro-OMeTAD和四丁基吡啶和雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰加入至氯苯中形成氯苯溶液，上述氯苯溶液中四丁基吡啶的物質(zhì)的量濃度為spiro-OMeTAD的物質(zhì)的量濃度的80 %，雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰的物質(zhì)的量濃度為spiro-OMeTAD的物質(zhì)的量濃度的30 %。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的所述的超薄電子傳輸層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述氯苯溶液中spiro-OMeTAD物質(zhì)的量濃度為0.5-1.5mol/L。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的所述的超薄電子傳輸層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述導電玻璃層和電子傳輸層組成的整體在可見光波長范圍內(nèi)光透射率在80%-85%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的所述的超薄電子傳輸層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述導電玻璃層和電子傳輸層組成的整體的粗糙度在11-13納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的所述的超薄電子傳輸層結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦太陽能電池的制造方法，其特征在于：所述導電玻璃層和電子傳輸層組成的整體單色光轉(zhuǎn)化率在40%-80%。