本發(fā)明屬于有機場效應晶體管的制備方法領域,尤其涉及到一種改善柔性打印有機薄膜晶體管的制作方法。
背景技術:
無機電子器件問世以后,基于有機半導體的電子器件的應用前景隨著時間的推移而越發(fā)廣闊,比如有機太陽能電池、有機發(fā)光二極管、有機場效應晶體管、有機光電存儲器等納米器件。其中,有機場薄膜晶體管,簡稱organic thin-film transistor(OTFT),在經歷了多年的調查研究后,其頗具吸引力的特征逐漸映入大眾眼簾。
OTFT的獨特優(yōu)勢在于它可實現(xiàn)大面積機械柔性顯示,同時擁有高性能、低功耗、低成本和易加工等技術特點,作為顯示器色彩豐富清晰。如今對于OTFT的追求之一在于進一步地縮短響應時間提升其性價比,諸多的努力也使得OTFT在環(huán)境生物等領域的傳感檢測方面有用武之地。比如,Narayan和他的團隊最初研究出的一種基于poly(3-octylthiophene-2,5-diyl)的OTFT光傳感器,就已經可以獲得100的開關電流的比(K.S.Narayan and N.Kumar,Appl.Phys.Lett.2001,79,1891-1893).。由此,各國各公司、高等院校和科研院所開始緊張密集地研究,以角逐這個行業(yè)的龍頭老大,爭取研發(fā)OTFT應用產品的一席之地。
OTFT中使用的有機材料基本可分為兩類,一是聚合物,比如商業(yè)化藥品poly(3-hexylthiophene),簡稱P3HT;另一類則是小分子,典型例子則是并五苯。由于眾多聚合物中強大的π-π鍵間作用可以大大促進載流子的傳輸,越來越多的研究致力于各種能改善OTFT載流子遷移率、電流開關比、閾值電壓和亞閾值擺幅等性能參數(shù)的有機新型功能材料的使用。為了進一步增強OTFT性能,努力工作主要集中在以下幾個方面:(1)研究探尋合成路線以構建出更利于載流子傳輸?shù)牟牧夏P?,主要用于活性層、介電層和部分修飾層材料材料?2)與傳統(tǒng)的涂膜技術相比較,溶液法等新型途徑獲得的有機薄膜在大面積、低成本的OTFT器件制備技術中更有潛在優(yōu)勢。甚至在2014年,S.Tiwari等人發(fā)現(xiàn)懸浮膜轉移法獲得的OTFT電學性能比旋涂膜法制備的器件效果更佳(S.Tiwari,W.Takashima,S.Nagamatsu,S.K.Balasubramanian,and R.Prakash,J.Appl.Phys.2014,116,094306)。(3)由于載流子流經的活性層與介電層的距離僅為幾個分子的厚度,所以半導體和介電層的界面效應成為改善OTFT性能的重要方式之一,通過適當?shù)慕缑嫘揎椈蜃越M裝處理可以顯著提升其載流子遷移率(X.Zhao,Q.Tang,H.Tian,Y.Tong,and Y.Liu,Org.Electron.2015,16,171-176)。(4)此外,越來越多的小組開始在活性層中摻雜各種有機分子,以此進一步增強其導電性。不同有機材料的摻雜濃度會導致OTFT活性層表面形貌的變化,部分還會由于結晶度的差異影響其性能(H.Kleemann,C.Schuenemann,A.A.Zakhidov,M.Riede,B.Lüssem,and K.Leo,Org.Electron.2012,13,58-65)。
雖然我國的科研水平與發(fā)達國家?guī)缀跬剑荗TFT經典活性層材料的單一使用使得性價比無法進一步提升,導致基于OTFT器件的產業(yè)化生產應用明顯不足。
技術實現(xiàn)要素:
解決的技術問題:針對傳統(tǒng)經典材料的頻繁使用致使制備成本過高、制備OTFT工藝手段較為復雜、傳統(tǒng)器件能耗太大等技術問題,本發(fā)明提供一種改善柔性打印有機薄膜晶體管的制作方法,成本低廉,工藝簡單,能耗較低。
技術方案:一種改善柔性打印有機薄膜晶體管的制作方法,包括以下步驟:
步驟一:將相片紙分別用去離子水和氮氣清理表面;
步驟二:將經過步驟一處理的相片紙置于培養(yǎng)皿中放入真空干燥箱加熱;
步驟三:在經過步驟二處理的相片紙上打印銀電極,將相片紙置于培養(yǎng)皿中放入真空干燥箱加熱;
步驟四:將BFTII和P3HT混合后用氯仿做溶劑配成混合溶液,在所述混合溶液打印在經過步驟三處理的相片紙上的銀電極溝道中,然后進行熱退火處理,BFTII的分子結構如下:
步驟五:在經過步驟四處理的相片紙上打印介電層,將相片紙置于培養(yǎng)皿中放在真空干燥箱中加熱;
步驟六:涂紫外固化膠進行紫外固化,蓋上玻璃片后封裝完畢。
作為優(yōu)選,所述相片紙切割尺寸為1.6cm×1.4cm。
作為優(yōu)選,步驟三中所述銀電極為邊柵結構,所述邊柵結構包括柵極、漏極、源極和溝道,所述溝道長度為80μm,寬度為8000μm。
作為優(yōu)選,步驟四中所述混合溶液中BFTII和P3HT的總質量與氯仿的體積比為4mg/mL。
作為優(yōu)選,步驟四中所述BFTII占BFTII和P3HT總質量的百分比為0~40%。
作為優(yōu)選,步驟四中所述BFTII占BFTII和P3HT總質量的百分比為10%。
作為優(yōu)選,步驟四中所述熱退火溫度為100℃,真空退火10分鐘。
有益效果:本發(fā)明制造成本低,工藝簡單,通過在新型低聚OTFT活性層材料中摻雜聚合物和熱退火方法,即可使得OTFT在保持較低閾值電壓的條件下,載流子遷移率提升兩個以上數(shù)量級,開關比也能上升一個數(shù)量級,適于大規(guī)模產業(yè)化應用。
附圖說明
圖1制得的銀電極示意圖。
圖2制得的OTFT的結構示意圖。
圖3純BFTII活性層的原子力顯微圖像。
圖4 BFTII活性層在10%P3HT摻雜濃度下的原子力顯微圖像。
圖5制得的性能最佳OTFT器件為P3HT在活性層中摻雜濃度10%時的轉移特性曲線。
圖6制得的性能最佳OTFT器件為P3HT在活性層中摻雜濃度10%時的輸出特性曲線。
圖7 OTFT載流子遷移率在不同P3HT摻雜濃度下的比較。
圖8 OTFT電流開關比在不同P3HT摻雜濃度下的比較。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明做進一步詳細描述。
實施例1
本發(fā)明提供了一種改善柔性打印有機薄膜晶體管的制作方法,方案的實施主要包括基底材料的選擇,納米銀墨水的配制、活性層墨水的配制、介電層墨水的配制、活性層的制備、銀電極的制備、介電層的制備、熱退火處理和產品封裝等,制得的銀電極示意圖如圖1所示,所述銀電極由柵極、源極、漏極和溝道組成,在同一平面內,柵極電壓的變化可以很好的調控源漏電流,所述銀電極為邊柵結構,設計溝道長度為80μm,寬度為8000μm。制得的OTFT的結構示意圖如圖2所示,從下向上依次為相片紙基底、銀電極、摻雜的活性層(P3HT+BFTII)和介電層?;撞牧霞瓤梢赃x擇相片紙,也可以選擇玻璃、硅片,又可以選擇其他柔性基底材料,如PC、PET塑料等?;撞牧系倪x擇主要是根據(jù)目標產品的需求來衡量,如果要用作貼合可變形的傳感檢測或顯示板,柔性基底更為合適;如果用做透明發(fā)光,最為合適的是玻璃基底。本發(fā)明選擇了相片紙做為基底,電極采用邊柵結構。
本發(fā)明所述方法具體步驟如下:相片紙切割尺寸為1.6cm×1.4cm,將相片紙分別用去離子水和氮氣清理表面。清理后的相片紙置于培養(yǎng)皿中放入真空干燥箱,在40℃下烘3小時后取出;在取出后的相片紙上打印銀電極,之后將相片紙置于培養(yǎng)皿中放入真空干燥箱,在40℃下烘3小時后取出;以氯仿做溶劑,將P3HT和BFTII作為溶質,配成溶液的濃度為4mg/mL,P3HT占溶質總質量百分比從0%~40%每10%增加一次進行比較,將配制好的混合溶液分別在相片紙的銀電極溝道中打印,打印過程中確保溶液與溝道兩邊接觸良好,將打印好的相片紙在100℃的溫度下真空退火10分鐘。經過退火處理后,在相片紙上打印介電層,之后將相片紙置于培養(yǎng)皿中放入真空干燥箱,在40℃下烘3小時后取出,OTFT初步制作完成。
參照圖3,隨著活性層摻入的P3HT濃度從0變化到40%。圖3中BFTII活性層的原子力顯微圖像顯示出純BFTII分子呈現(xiàn)棒狀堆疊的狀態(tài),相互之間有很多空隙,隨著活性層摻入的P3HT濃度從0逐漸增加的過程中,P3HT分子逐漸填充進了之前的空隙之間,使得表面愈加平整,如圖4所示,BFTII活性層在10%的P3HT摻雜濃度下載流子遷移率最高,相比純的BFTII活性層提高一個數(shù)量級,開關比也有所提高,為最佳效果濃度。
所述活性層材料BFTII是一種新型低聚有機半導體,其最高占據(jù)分子軌道能級(HOMO)和最低未占據(jù)分子軌道能級(LUMO)分別為-5.09eV和-3.60eV,作為OTFT的活性層能表現(xiàn)出很好的場效應特性。
用測試臺探針分別連接OTFT的三個電極并通過Keithley源表能夠對制得的OTFT進行電學性能測試,性能最佳OTFT器件為P3HT在活性層中摻雜濃度10%時的情況,其轉移特性曲線和輸出特性曲線分別見圖5和圖6,遷移率達到1.25×10-2cm2V-1s-1,同時電流開關比也達到2×104。各OTFT載流子遷移率和電流開關比在不同P3HT摻雜濃度下的比較分別見圖7和圖8,當P3HT摻雜濃度為10%,載流子遷移率相比未摻雜時提升了一個數(shù)量級,開關比也提升很多,繼續(xù)摻雜至40%則又逐漸減小。
測試完畢后,在四周涂上紫外固化膠,蓋上蓋玻璃,紫外固化,即完成了封裝。