技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體器件可以包括：在第一方向上彼此間隔開的成對的有源圖案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成對的有源圖案的成對柵電極；在成對的有源圖案的側(cè)壁上的柵間隔物；在成對的柵電極之間位于成對的有源圖案上的源極/漏極區(qū)；在成對的柵電極之間以及在成對的有源圖案之間的間隔物保護(hù)圖案。間隔物保護(hù)圖案可以共同連接到柵間隔物。

技術(shù)研發(fā)人員：高鏞璿;樸相真;趙學(xué)柱;樸炳哉;韓政男
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.25
技術(shù)公布日：2017.08.11