1.一種石墨烯/氮化鎵/金屬納米顆粒雙向發(fā)光二極管，其特征在于，自下而上依次有藍寶石襯底層或硅襯底層(1)、氮化鎵層(2)、石墨烯層(3)、金屬納米顆粒層(4)，在石墨烯層(3)上設有正面電極(5)，在氮化鎵層(2)上還設有側面電極(6)，所述的氮化鎵層為p型多晶材料，厚度為2～10μm。
2.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/氮化鎵/金屬納米顆粒雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的金屬納米顆粒為金、鈀、銀、鈦、鉻、鎳的一種或幾種的復合納米顆粒，直徑為5～200nm。
3.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/氮化鎵/金屬納米顆粒雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的正面電極為金、鈀、銀、鈦、鉻、鎳的一種或者幾種的復合電極。
4.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/氮化鎵/金屬納米顆粒雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的側面電極為金、鈀、銀、鈦、鉻、鎳的一種或者幾種的復合電極。
5.根據(jù)權利要求1所述的石墨烯/氮化鎵/金屬納米顆粒雙向發(fā)光二極管，其特征在于，所述的石墨烯的厚度為1-10層。
6.制備如權利要求1-5任一項所述的石墨烯/氮化鎵/金屬納米顆粒雙向發(fā)光二極管的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：
1)在藍寶石或硅襯底上用金屬化學氣相沉積法生長P型氮化鎵外延層；
2)在步驟1)所得氮化鎵片上用電子束蒸發(fā)鍍膜方法沉積側面電極，并預留面積；
3)將步驟2)所得氮化鎵片進行表面清洗并干燥表面；
4)將石墨烯轉移至步驟3)處理后的氮化鎵片的預留面積處；
5)在石墨烯層上制作正面電極，并預留面積；
6)將金屬納米顆粒旋涂至步驟5)的石墨烯上預留面積處。