技術總結
本公開內(nèi)容提出一種半導體裝置和制作半導體裝置的方法。該裝置包括襯底，該襯底具有AlGaN層，該AlGaN層位于GaN層上，用于在AlGaN層和GaN層之間的界面處形成二維電子氣。該裝置還包括多個接觸。接觸中的至少一個接觸包括位于襯底的主表面上的歐姆接觸部分。歐姆接觸部分包括第一導電材料。接觸中的至少一個接觸還包括溝槽，該溝槽從主表面向下延伸到襯底中。溝槽穿過AlGaN層且到GaN層中。溝槽至少部分地用第二導電材料填充。第二導電材料是與第一導電材料不同的導電材料。

技術研發(fā)人員：雷德弗里德勒·阿德里安斯·瑪利亞·胡爾克斯;約翰內(nèi)斯·J·T·M·唐克爾;簡·雄斯基;杰倫·安東·克龍
受保護的技術使用者：安世有限公司
文檔號碼：201611041068
技術研發(fā)日：2016.11.22
技術公布日：2017.06.09