技術(shù)編號：12599059
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本說明書涉及半導(dǎo)體裝置和制作半導(dǎo)體裝置的方法。背景技術(shù)近年來，GaN/AlGaN高電子遷移率晶體管(HEMT)和GaN/AlGaN肖特基二極管關(guān)于它們替代Si或SiC用作高壓(HV)裝置的潛力引起廣泛的關(guān)注。GaN/AlGaNHEMT通常包括具有位于許多GaN層上的AlGaN層的襯底。柵極、源極和漏極位于AlGaN層上方。在操作期間，電流經(jīng)由二維電子氣(2DEG)在漏極和源極之間流動，該二維電子氣(2DEG)形成于AlGaN層和上部GaN層之間的界面處。通過將合適的電壓施加到柵極實現(xiàn)斷開，使得在...
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