本發(fā)明涉及平板顯示技術領域，特別涉及一種全彩QLED顯示器件及其制作方法。

背景技術：

量子點(Quantum Dots)是一些肉眼無法看到的、極其微小的半導體納米晶體，是一種粒徑不足10納米的顆粒。通常說來，量子點是由鋅、鎘、硒和硫原子組合而成。量子點有一個與眾不同的特性，即每當受到光或電的刺激，量子點便會發(fā)出有色光線，光線的顏色由量子點的組成材料和大小形狀決定，這一特性使得量子點能夠改變光源發(fā)出的光線顏色。

有機發(fā)光二極管(OLED)是新一代LED的研究熱點，然而其在封裝技術及使用壽命上都存在著無法避免的問題。量子點作為新型的發(fā)光材料，具有光色純度高、發(fā)光量子效率高、發(fā)光顏色可調、使用壽命長等優(yōu)點，成為目前新型LED發(fā)光材料的研究熱點。因此，以量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層的量子點發(fā)光二極管(QLED)成為了目前新型LED研究的主要方向，并在照明以及平板顯示領域具有廣闊的應用前景。量子點發(fā)光二極管(QLED)因具有色域廣、色純度高、低功耗、低成本、穩(wěn)定性好，被譽為繼OLED之后新一代照明顯示技術。目前制備白光QLED采用兩種方法：1)由紅綠藍量子點發(fā)光材料通過電致發(fā)光組合形成白光；2)采用藍光的QLED搭配紅色量子點光致發(fā)光區(qū)和綠色量子點光致發(fā)光區(qū)組成。由于藍光量子點發(fā)光材料的發(fā)光效率較低，因此高效的藍光量子點發(fā)光材料成為制約QLED顯示器發(fā)展的瓶頸。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種全彩QLED顯示器件及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術中，采用藍光的QLED搭配紅色量子點光致發(fā)光區(qū)和綠色量子點光致發(fā)光區(qū)組成的QLED顯示器件，由于藍光量子點發(fā)光材料的發(fā)光效率較低，因此高效的藍光量子點發(fā)光材料成為制約QLED顯示器發(fā)展的瓶頸的問題。

本發(fā)明的技術方案如下：

一種全彩QLED顯示器件，包括基板及在所述基板上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層與彩膜層，及設在所述彩膜層上的透明蓋板；

其中，所述發(fā)光層的制作材料為綠光量子點發(fā)光材料，所述彩膜層包括間隔設置的多個光提取層，及設置于多個所述光提取層之間的紅色像素層與藍色像素層。

優(yōu)選地，每個所述光提取層兩邊分別為所述紅色像素層與所述藍色像素層。

優(yōu)選地，所述紅色像素層的制作材料為光致發(fā)光的紅色量子點發(fā)光材料。

優(yōu)選地，所述藍色像素層的制作材料為光致發(fā)光的藍色上轉換發(fā)光材料。

優(yōu)選地，所述發(fā)光層的發(fā)光波長在所述藍色上轉換發(fā)光材料的吸收波長范圍之內。

優(yōu)選地，所述紅色像素層與所述藍色像素層均通過噴墨打印的方式填充在多個所述光提取層之間。

優(yōu)選地，所述光提取層的制作材料為二氧化鈦。

一種全彩QLED顯示器件的制作方法，包括以下步驟：

在基板上依次層疊形成陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、陰極層；

在透明蓋板上形成一層光提取層；

在所述光提取層上形成多個間隔的像素凹槽；

在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層與藍色像素層，所述光提取層、所述紅色像素層與所述藍色像素層共同形成彩膜層；

將所述彩膜層與所述陰極層對組壓合，形成所述全彩QLED顯示器件。

優(yōu)選地，在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層與藍色像素層，具體包括：將藍色上轉換發(fā)光材料與紅光量子點發(fā)光材料，分別通過噴墨打印的方式填充到與其對應的所述像素凹槽內，以形成所述藍色像素層與所述紅色像素層。

優(yōu)選地，所述彩膜層與所述陰極層通過框膠進行對組壓合，形成所述全彩QLED顯示器件。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明的一種全彩QLED顯示器件及其制作方法，通過使用綠光量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層，并在彩膜層上間隔設置多個光提取層，在多個光提取層之間設置藍色像素層和綠色像素層，有效地解決藍光量子點發(fā)光材料壽命較短的問題，實現(xiàn)超寬色域顯示，而且其光提取層可以大大提高綠光QLED的出光率，進而提高綠光QLED的發(fā)光效率。

【附圖說明】

圖1為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第一步驟形成的綠光QLED的整體結構示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第二步驟中在透明蓋板上形成的光提取層結構示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第三步驟中在光提取層上形成的多個像素凹槽的結構示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第四步驟中在多個像素凹槽上形成的藍色像素層與紅色像素層的結構示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第五步驟中形成的全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖，或為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖；

圖6為現(xiàn)有技術的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖；

圖7為現(xiàn)有技術的另一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖；

圖8為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的實施步驟流程圖。

【具體實施方式】

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。

實施例一

請參考圖5，圖5為本實施例的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖，從圖5可以看到：

本發(fā)明的一種全彩QLED顯示器件，包括基板1及在所述基板1上依次層疊設置的陽極層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、陰極層6與彩膜層7，及設在所述彩膜層7上的透明蓋板8。

其中，所述發(fā)光層4的制作材料為綠光量子點發(fā)光材料，所述彩膜層7包括間隔設置的多個光提取層72，及設置于多個所述光提取層72之間的紅色像素層73與藍色像素層71。

在本實施例中，每個所述光提取層72兩邊分別為所述紅色像素層73與所述藍色像素層71。

在本實施例中，所述紅色像素層73的制作材料為光致發(fā)光的紅色量子點發(fā)光材料。紅色量子點發(fā)光材料為光致材料，發(fā)光層4發(fā)射的光線可以使其產(chǎn)生綠光。

在本實施例中，所述藍色像素層71的制作材料為光致發(fā)光的藍色上轉換發(fā)光材料。

在本實施例中，所述發(fā)光層4的發(fā)光波長在所述藍色上轉換發(fā)光材料的吸收波長范圍之內，這就保證了發(fā)光層4發(fā)射的光線能夠激發(fā)所述藍色上轉換發(fā)光材料，使其產(chǎn)生藍光。

在本實施例中，所述紅色像素層73與所述藍色像素層71均通過噴墨打印的方式填充在多個所述光提取層72之間。

在本實施例中，所述光提取層72的制作材料為二氧化鈦，二氧化鈦材料可以大大提高綠光的出光率。

請參考圖6和圖7，圖6為現(xiàn)有技術的一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖，圖7為現(xiàn)有技術的另一種全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖。

從圖6可以看到，現(xiàn)有技術的一種全彩QLED顯示器件，其包括基板11和在該基板11上依次層疊的陽極層12、空穴傳輸層13、發(fā)光層14、電子傳輸層18、陰極層19和透明蓋板20，其中發(fā)光層14是由紅光量子點發(fā)光材料構成的紅色像素層15、綠光量子點發(fā)光材料構成的綠色像素層16和藍光量子點發(fā)光材料構成的藍色像素層17順序組合而成，它們通過電致發(fā)光的方式共同形成白光。

從圖7可以看到，現(xiàn)有技術的另一種全彩QLED顯示器件，其包括基板21和在該基板21上依次層疊的陽極層22、空穴傳輸層23、發(fā)光層24、電子傳輸層25、陰極層26、彩膜層27和透明蓋板31，其中，發(fā)光層24是由藍光量子點發(fā)光材料組成，彩膜層27由空白層28、綠光量子點發(fā)光材料構成的綠色像素層29和紅光量子點發(fā)光材料構成的紅色像素層30共同組成。

由于藍光量子點發(fā)光材料的發(fā)光效率比較低，現(xiàn)有技術的上述兩種全彩QLED顯示器件的發(fā)光效率均受到很大的限制。

本發(fā)明的一種全彩QLED顯示器件，通過使用綠光量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層4，并在彩膜層7上間隔設置多個光提取層72，在多個光提取層72之間設置藍色像素層71和紅色像素層73，并且藍色像素層71的制作材料為藍色上轉換發(fā)光材料，紅色像素層73的制作材料為紅光量子點發(fā)光材料，有效地解決藍光量子點發(fā)光材料壽命較短的問題，實現(xiàn)超寬色域顯示，而且其光提取層72可以大大提高綠光QLED的出光率，進而提高綠光QLED的發(fā)光效率。

實施例二

請參考圖8，圖8為本實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的實施步驟流程圖。從圖8可以看到，本發(fā)明的一種全彩QLED顯示器件的制作方法，包括以下步驟：

步驟S101：在基板1上依次層疊形成陽極層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、陰極層6，形成綠光QLED。

在本步驟中，所述基板1可以采用柔性基板1，也可以采用硬質基板1，如玻璃基板1。所述陽極層2可采用常規(guī)的陽極材料制成，優(yōu)選的，所述陽極層2為圖案化的ITO材料制作而成。所述空穴傳輸層3可采用常規(guī)的空穴傳輸材料制成，其厚度根據(jù)實際需要選擇性設置，范圍在0～100nm之間，優(yōu)選為40～50nm。所述發(fā)光層4可采用本領域常用的無機量子點材料制備獲得，所述發(fā)光層4的厚度為10～100nm。所述電子傳輸層5可采用本領常規(guī)的材料制成，其厚度可采用本領域常規(guī)厚度，優(yōu)選的，所述電子傳輸層55采用具有高電子傳輸性能的n型氧化鋅，厚度優(yōu)選為30～60nm。所述陰極層6可采用本領域常用的陰極材料，包括但不限于金屬鋁或金屬銀，另外優(yōu)選所述陰極層6的厚度為100～150nm。

該步驟如圖1所示，圖1為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第一步驟形成的綠光QLED的整體結構示意圖。

步驟S102：在透明蓋板8上形成一層光提取層72。在本步驟中，所述光提取層72的制作材料優(yōu)選為但不限于二氧化鈦，二氧化鈦材料可以大大提高綠光的出光率。

該步驟如圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第二步驟中在透明蓋板8上形成的光提取層72結構示意圖。

步驟S103：在所述光提取層72上形成多個間隔的像素凹槽。該像素凹槽時用來填充像素層的，包括藍色像素層71和紅色像素層73。

該步驟如圖3所示，圖3為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第三步驟中在光提取層72上形成的多個像素凹槽的結構示意圖。

步驟S104：在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層73與藍色像素層71，所述光提取層72、所述紅色像素層73與所述藍色像素層71共同形成彩膜層7。在本步驟中，在多個所述像素凹槽內分別形成紅色像素層73與藍色像素層71，具體包括：將藍色上轉換發(fā)光材料與紅光量子點發(fā)光材料，分別通過噴墨打印的方式填充到與其對應的所述像素凹槽內，即將藍色上轉換發(fā)光材料與紅光量子點發(fā)光材料分別填充到預設的像素凹槽位置內，以形成所述藍色像素層71與所述紅色像素層73。其中，相鄰的兩個像素凹槽對應的像素層為不同顏色的像素層。

該步驟如圖4所示，圖4為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第四步驟中在多個像素凹槽上形成的藍色像素層71與紅色像素層73的結構示意圖。

步驟S105：將所述彩膜層7與所述陰極層6對組壓合，形成所述全彩QLED顯示器件。在本步驟中，所述彩膜層7與所述陰極層6通過框膠進行對組壓合，形成全彩QLED顯示器件，該全彩QLED顯示器件從下到上分別為基板1、陽極層2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、陰極層6、彩膜層7和透明蓋板8，光線從透明蓋板8射出。

該步驟如圖5所示，圖5為本發(fā)明實施例的一種全彩QLED顯示器件的制作方法的第五步驟中形成的全彩QLED顯示器件的整體結構示意圖。

本發(fā)明的一種全彩QLED顯示器件的制作方法，通過使用綠光量子點發(fā)光材料作為發(fā)光層4，并在彩膜層7上間隔設置多個光提取層72，在多個光提取層72之間設置藍色像素層71和紅色像素層73，并且藍色像素層71的制作材料為藍色上轉換發(fā)光材料，紅色像素層73的制作材料為綠光量子點發(fā)光材料，有效地解決藍光量子點發(fā)光材料壽命較短的問題，實現(xiàn)超寬色域顯示，而且其光提取層72可以大大提高綠光QLED的出光率，進而提高綠光QLED的發(fā)光效率。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。