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半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法與流程

文檔序號:12806974閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其包括:在半導(dǎo)體晶片的表面上形成標(biāo)記,標(biāo)記的至少一部分布置在預(yù)定周邊區(qū)域中,預(yù)定周邊區(qū)域位于待形成半導(dǎo)體元件的相應(yīng)的預(yù)定元件區(qū)域的周圍;利用標(biāo)記在預(yù)定元件區(qū)域內(nèi)形成半導(dǎo)體元件;在形成半導(dǎo)體元件之后,形成跨越所述表面上的包括預(yù)定元件區(qū)域或預(yù)定周邊區(qū)域的范圍而延伸的膜從而用膜覆蓋標(biāo)記的至少一部分;以及在形成膜之后,沿著切割區(qū)域切斷半導(dǎo)體晶片,切割區(qū)域位于預(yù)定周邊區(qū)域的周圍。

技術(shù)研發(fā)人員:成田勝俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者:豐田自動車株式會社
技術(shù)研發(fā)日:2016.11.15
技術(shù)公布日:2017.07.04
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